【技术实现步骤摘要】
垂直型功率器件封装结构和电子装置
[0001]本申请涉及功率器件模块化
，尤其涉及一种垂直型功率器件封装结构和电子装置。
技术介绍
[0002]在现有的垂直型功率器件封装结构中，常用铝线键合的方式进行封装。但铝线键合式封装会限制宽禁带半导体功率器件的性能，并且，铝线的寄生电感较大，容易被击穿。
[0003]基于此，本申请提供一种垂直型功率器件封装结构和电子装置。
技术实现思路
[0004]本申请第一方面实施例提供一种垂直型功率器件封装结构，包括基板和封装单元。基板包括导电电路层，封装单元包括功率芯片，包括沿基板的厚度方向相对设置的背面电极和正面电极，背面电极包括漏极，正面电极包括栅极和源极；
[0005]中间绝缘层，设于基板一侧，中间绝缘层包裹在功率芯片外侧，中间绝缘层具有贯穿中间绝缘层的通孔；
[0006]内层金属互联层，覆盖在围合形成通孔的中间绝缘层的侧壁表面；
[0007]第一外层金属互联层，位于中间绝缘层背向基板的一侧，第一外层金属互联层电连接背面电极和内层金属互联层
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直型功率器件封装结构，其特征在于，所述垂直型功率器件封装结构包括基板和封装单元，所述基板包括导电电路层，所述封装单元包括：功率芯片，包括沿所述基板的厚度方向相对设置的背面电极和正面电极，所述背面电极包括漏极，所述正面电极包括栅极和源极；中间绝缘层，设于所述基板一侧，所述中间绝缘层包裹在所述功率芯片外侧，所述中间绝缘层具有贯穿所述中间绝缘层的通孔；内层金属互联层，覆盖在围合形成所述通孔的所述中间绝缘层的侧壁表面；第一外层金属互联层，位于所述中间绝缘层背向所述基板的一侧，所述第一外层金属互联层电连接所述背面电极和所述内层金属互联层背向所述基板的一端；第二外层金属互联层，位于所述中间绝缘层靠近所述基板的一侧，所述第二外层金属互联层分别与所述导电电路层、所述内层金属互联层靠近所述基板的一端、以及所述正面电极电连接。2.根据权利要求1所述的垂直型功率器件封装结构，其特征在于，所述封装单元还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述通孔，所述第一绝缘层覆盖所述内层金属互联层、所述功率芯片、所述中间绝缘层背向所述基板的一侧以及所述中间绝缘层靠近所述基板的一侧。3.根据权利要求2所述的垂直型功率器件封装结构，其特征在于，所述内层金属互联层包括沿所述厚度方向相对设置的第一连接段和第二连接段，所述第一绝缘层包括多个第一连接孔，所述第一外层金属互联层通过所述第一连接孔分别电连接所述第一连接段和所述背面电极，所述第二外层金属互联层通过所述第一连接孔电连接所述第二连接段和所述正面电极。4.根据权利要求3所述的垂直型功率器件封装结构，其特征在于，所述封...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝乐，齐敏，顾瑞娟，
申请(专利权)人：贵州芯际探索科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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