【技术实现步骤摘要】
一种沟槽栅蚀刻装置及蚀刻方法
[0001]本专利技术涉及晶圆加工领域，特别是涉及一种沟槽栅蚀刻装置及蚀刻方法
。
技术介绍
[0002]对于制作硅半导体集成电路所使用的硅晶片，由于其形状为圆形，也被称为晶圆
。
晶圆的加工一般包括涂胶
、
曝光
、
显影
、
沟槽腐蚀
、
电泳等工艺，沟槽腐蚀目的是将晶圆表面特定区域的硅与蚀刻液反应，从而形成沟槽
。
[0003]目前对于沟槽栅进行腐蚀或者说蚀刻可通过物理蚀刻和化学蚀刻的方法进行，以化学蚀刻为例，传统的化学蚀刻方式是将蚀刻液注入蚀刻池内，将一排待蚀刻的晶圆阵列设置在置物筐内，然后将置物筐浸入在蚀刻池内，等待一段时间后即可完成蚀刻
。
但是由于蚀刻池内的蚀刻液流动性较弱，导致晶圆周边蚀刻液的腐蚀能力相对较低，使得沟槽栅的蚀刻进度较慢
。
技术实现思路
[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种沟槽栅蚀刻装置及蚀刻方法，通过将传...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种沟槽栅蚀刻装置，其特征在于，包括：两输送组件，对称设置，且所述两输送组件中间留有间隔；多组定位件，沿所述输送组件的输送方向安装在所述输送组件上，所述定位件每组包括两个，且两个所述定位件同轴分别设置在所述两输送组件上；所述定位件内部设置有第一安装腔，所述定位件的一端部开设有第一贯通口，所述第一安装腔内活动卡接有定位块，所述定位件的未开设有所述第一贯通口的一端通过复位件与所述定位块弹性连接；置物件，用于放置硅晶片，所述置物件位于所述两输送组件之间，所述置物件的两侧端能够分别与同组的两个所述定位件吸附，当所述置物件的侧端安装在所述定位件上时，受所述置物件侧端吸附影响，所述定位件的端部延伸并插入到所述置物件的侧端；所述置物件端部为连接头，所述连接头表面开设有安装槽，所述安装槽的底端开设有第三定位槽，所述第三定位槽底端设置有磁吸件，当所述定位件卡接在所述安装槽内时，所述定位块被所述磁吸件吸附并插入所述第三定位槽内；喷淋件，位于所述输送组件上方，用于将蚀刻液喷淋到所述置物件内放置的硅晶片上
。2.
根据权利要求1所述的一种沟槽栅蚀刻装置，其特征在于，所述输送组件包括两传动轮
、
传动带和输送带，所述传动带分别套设在所述两传动轮上，所述输送带套设在所述传动带上，所述输送带上间隔开设有多个第一定位槽，所述第一定位槽的两侧端分别贯通所述输送带的两侧面，所述第一定位槽的顶面开设有开口，所述开口的宽度小于所述第一定位槽的宽度，所述第一定位槽和所述开口的表面进行覆胶设置，且所述第一定位槽的表面内设置有螺纹，用于安装所述定位件
。3.
根据权利要求2所述的一种沟槽栅蚀刻装置，其特征在于，所述喷淋件内沿所述输送组件的输送方向分布有第一排风区
、
第一喷淋区
、
第二排风区
、
第二喷淋区和第三排风区，所述第一排风区用于对硅晶片所处及临近空间的扬尘进行清除，所述第一喷淋区用于向硅晶片喷淋蚀刻液进行初步蚀刻，所述第二排风区用于对硅晶片表面初始蚀刻残留的蚀刻液进行清除，所述第二喷淋区用于向硅晶片喷淋蚀刻液进行再次蚀刻，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝乐，齐敏，曾祥，顾瑞娟，常佳峻，
申请(专利权)人：贵州芯际探索科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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