进气装置及进气方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种进气装置及进气方法，进气装置包括：进气装置本体，在进气装置本体的侧边设置有若干第一进气口和若干第二进气口，第一进气口进入的气体能直冲进气装置本体的中心区域，正对第二进气口处设置有挡板，使得第二进气口进入的气体需要越过挡板然后从挡板处扩散至进气装置本体的中心区域，采用上述进气装置，能够实现晶圆中心区与晶圆边缘区的进气速率不同，晶圆中心区与晶圆边缘区的气体分布量不同，从而实现晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率不同

【技术实现步骤摘要】
进气装置及进气方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种进气装置及进气方法
。

技术介绍

[0002]在芯片制造过程中，很多工艺需要向腔室内充入气体，而现有的都是顶部进气方式，采用这种进气方式会使得晶圆的中心与边缘的进气速率接近一致，晶圆的中心与边缘的气体近似均匀分布，而在实际工程应用中，需要晶圆的中心和边缘的气体分布量不同来使得晶圆中心区与边缘区的反应速率不同，而目前还没有相关技术能够实现晶圆的中心和边缘的气体分布量不同
。

技术实现思路

[0003]基于此，针对上述问题，本专利技术提供一种进气装置及进气方法
。
[0004]本专利技术提供一种进气装置，包括：进气装置本体，在所述进气装置本体的侧边设置有若干第一进气口和若干第二进气口，所述第一进气口进入的气体能直冲所述进气装置本体的中心区域，正对所述第二进气口处设置有挡板，使得所述第二进气口进入的气体需要越过所述挡板然后从所述挡板处扩散至所述进气装置本体的中心区域
。
[0005]上述进气装置，当只打开第一进气口时，气体通过第一进气口进入进气装置本体后直冲进气装置本体的中心区域然后再向进气装置本体的边缘扩散，使得晶圆中心区的进气速率和气体分布量大于晶圆边缘区，从而使得晶圆中心区的反应速率大于晶圆边缘区；当只打开第二进气口时，气体通过第二进气口进入进气装置本体后越过挡板然后从挡板处扩散至进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率，综上，采用上述进气装置，能够实现晶圆中心区与晶圆边缘区的进气速率不同，晶圆中心区与晶圆边缘区的气体分布量不同，从而实现晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率不同
。
[0006]在其中一个实施例中，还包括控制模块，所述控制模块分别控制所述第一进气口和所述第二进气口的开关
。
控制模块能单独控制第一进气口的打开与关闭，也能单独控制第二进气口的打开与关闭，采用上述控制模块能够根据需求实时控制第一进气口的开关和第二进气口的开关，从而能够实现晶圆中心区反应速率大于晶圆边缘区
、
晶圆中心区反应速率小于晶圆边缘区
、
晶圆中心区反应速率等于晶圆边缘区三种状态间实时切换
。
[0007]在其中一个实施例中，所述进气装置本体位于腔室内晶圆的上方
。
[0008]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的俯视图的形状包括圆形，所述进气装置本体至少覆盖所述晶圆
。
[0009]在其中一个实施例中，所述挡板距离所述进气装置本体中心的距离大于等于所述晶圆的半径
。
[0010]在其中一个实施例中，所述第一进气口高于所述挡板顶部，所述第二进气口低于所述挡板顶部
。
[0011]在其中一个实施例中，所述挡板的高度介于
1mm~100mm
之间
。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一进气口的直径小于所述第二进气口的直径
。
[0013]在其中一个实施例中，所述第一进气口呈中心对称排布，所述第二进气口呈中心对称排布，所述第一进气口的数量大于等于3个，所述第二进气口的数量大于等于3个
。
[0014]在其中一个实施例中，所述挡板包括环形挡板
。
[0015]在其中一个实施例中，所述第二进气口和所述挡板之间的底部还包括底板，所述挡板和所述底板构成缓冲空间，所述第二进气口进入的气体先在所述缓冲空间内盘旋扩散再溢出所述挡板
。
当只打开第二进气口时，气体通过第二进气口进入进气装置本体后在所述缓冲空间内盘旋扩散再溢出所述挡板然后从挡板处扩散至进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率
。
[0016]在其中一个实施例中，所述第二进气口方向指向所述进气装置本体中心
。
[0017]在其中一个实施例中，从所述第二进气口位置指向所述进气装置本体中心的方向与所述第二进气口方向之间的夹角大于0度小于
90
度，更有利于气体在缓冲空间内盘旋
。
[0018]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的顶部包括上挡板
。
[0019]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的底部包括下过滤板
。
[0020]在其中一个实施例中，所述下过滤板至少覆盖晶圆
。
[0021]在其中一个实施例中，所述下过滤板包括若干第一通孔
。
[0022]在其中一个实施例中，所述第一通孔的孔径介于
0.1mm~50mm
之间
。
[0023]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的上方包括顶部进气口
。
搭配顶部进气口能够进一步调节晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率
。
[0024]在其中一个实施例中，所述进气装置本体的顶部包括上过滤板
。
[0025]在其中一个实施例中，所述上过滤板包括若干第二通孔
。
[0026]本专利技术还提供一种进气方法，包括：采用上述的进气装置对腔室进行进气操作
。
[0027]上述进气方法，当只打开第一进气口时，气体通过第一进气口进入进气装置本体后直冲进气装置本体的中心区域然后再向进气装置本体的边缘扩散，使得晶圆中心区的进气速率和气体分布量大于晶圆边缘区，从而使得晶圆中心区的反应速率大于晶圆边缘区；当只打开第二进气口时，气体通过第二进气口进入进气装置本体后越过挡板然后从挡板处扩散至进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率，综上，采用上述进气方法，能够实现晶圆中心区与晶圆边缘区的进气速率不同，晶圆中心区与晶圆边缘区的气体分布量不同，从而实现晶圆中心区与晶圆边缘区的反应速率不同
。
[0028]在其中一个实施例中，当需要晶圆中心区反应速率大于边缘区反应速率时，打开所述第一进气口，关闭所述第二进气口
。
当只打开第一进气口时，气体通过第一进气口进入进气装置本体后直冲进气装置本体的中心区域然后再向进气装置本体的边缘扩散，使得晶圆中心区的进气速率和气体分布量大于晶圆边缘区，从而使得晶圆中心区的反应速率大于晶圆边缘区
。
[0029]在其中一个实施例中，当需要晶圆中心区反应速率小于边缘区反应速率时，关闭所述第一进气口，打开所述第二进气口
。
当只打开第二进气口时，气体通过第二进气口进入
进气装置本体后越过挡板然后从挡板处扩散至进气装置本体的中心区域，使得晶圆边缘区的进气速率和气体分布量大于晶圆中心区，从而使得晶圆边缘区的反应速率大于晶圆中心区的反应速率
。
[0030]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种进气装置，其特征在于，包括：进气装置本体，在所述进气装置本体的侧边设置有若干第一进气口和若干第二进气口，所述第一进气口进入的气体能直冲所述进气装置本体的中心区域，正对所述第二进气口处设置有挡板，使得所述第二进气口进入的气体需要越过所述挡板然后从所述挡板处扩散至所述进气装置本体的中心区域，所述第一进气口高于所述挡板顶部，所述第二进气口低于所述挡板顶部
。2.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，还包括控制模块，所述控制模块分别控制所述第一进气口和所述第二进气口的开关
。3.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述进气装置本体位于腔室内晶圆的上方，所述进气装置本体的俯视图的形状包括圆形，所述进气装置本体至少覆盖所述晶圆，所述挡板距离所述进气装置本体中心的距离大于等于所述晶圆的半径
。4.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述挡板的高度介于
1mm~100mm
之间，所述挡板包括环形挡板
。5.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第一进气口的直径小于所述第二进气口的直径
。6.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第一进气口呈中心对称排布，所述第二进气口呈中心对称排布，所述第一进气口的数量大于等于3个，所述第二进气口的数量大于等于3个
。7.
根据权利要求1所述的进气装置，其特征在于，所述第二进气口和所述挡板之间的底部还包括底板，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈康，吴磊，涂乐义，梁洁，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：