【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体加工，特别涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
1、在半导体薄膜沉积、等离子刻蚀等半导体加工设备的加工过程中，通过射频能量激活的反应气体形成等离子体状态，与晶圆表面发生化学反应或物理作用。加工完成后，通过排气设备排出反应副产物。然而，由于等离子体具有扩散性，部分等离子体可能会扩散到排气区域。对此，通常使用限制环对等离子体进行熄灭。等离子体中的电子、离子与限制环中的气体通道发生碰撞，并传递能量给壁面，导致等离子体中的粒子失去能量，并与相反电荷的粒子相结合，形成中性粒子，完成电中和过程，有效的防止等离子体扩散到排气区域。
2、为了有效地从限制环的气体通道中抽出副产物以避免产生堆积，气体通道一般设置的相对较宽。然而，较宽的气体通道会降低碰撞概率导致等离子体熄灭失败，从而使其泄露到排气区域，对排气设备发生侵蚀。因此，如何在限制环设置有较宽气体通道的情况下，实现等离子体熄灭，仍然是一个重要的问题。
技术实现思路
1、本申请实施方式的目的在于提供一种等离子体处理装置，能够在限制环设置有较宽气体通道的情况下，实现等离子体熄灭。
2、为解决上述技术问题，本申请的实施方式提供了一种等离子体处理装置，等离子体处理装置包括腔体及限制环；腔体具有反应腔室，以及与反应腔室连通的进气通道与排气通道，进气通道用于向反应腔室通入反应气体，排气通道用于抽出副产物，腔体设置有承载晶圆的载台，腔体的腔壁设置有将反应腔室连通至外界的辅助通道；限制环环绕载台设置在反应腔室内，并
3、在一些实施方式中，进气孔邻近限制环靠近反应区域的表面设置。
4、在一些实施方式中，进气孔的延伸方向朝向相对限制环的径向倾斜设置，且向限制环靠近反应区域的一侧倾斜。
5、在一些实施方式中，辅助通道包括环绕载台设置、且开口朝向反应腔室的环形腔，以及与环形腔连通的穿孔，开口的部分经由限制环远离载台的一侧封闭，开口的其他部分与进气孔连通，穿孔还与外界连通。
6、在一些实施方式中，开口在限制环的轴向上的长度大于进气孔的直径。
7、在一些实施方式中，穿孔与进气孔错开设置。
8、在一些实施方式中，穿孔与进气孔的直径相同。
9、在一些实施方式中，环形腔在限制环的轴向上的截面形状为矩形。
10、在一些实施方式中，环形腔沿限制环径向方向的相对两侧分别设有一个密封圈，密封圈位于限制环与腔体的腔壁之间。
11、在一些实施方式中，辅助气体为cxfy、o2、sf6、h2、he的一种或多种。
12、本申请的实施方式提供的一种等离子体处理装置，采用从腔体的腔壁通入辅助气体并均匀导入限制环的方法来实现等离子体熄灭。腔体的腔壁设置有将反应腔室连通至外界的辅助通道，辅助气体经过辅助通道后进入限制环的多个气体通道，使辅助气体中电离能量高的气体分子与等离子体发生碰撞。从而能够在限制环设置有较宽气体通道的情况下，实现等离子体熄灭，防止等离子体泄露到排气区。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔邻近所述限制环靠近所述反应区域的表面设置。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔的延伸方向朝向相对所述限制环的径向倾斜设置，且向所述限制环靠近所述反应区域的一侧倾斜。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述辅助通道包括环绕所述载台设置、且开口朝向所述反应腔室的环形腔，以及与所述环形腔连通的穿孔，所述开口的部分经由所述限制环远离所述载台的一侧封闭，所述开口的其他部分与所述进气孔连通，所述穿孔还与外界连通。
5.根据权利要求4所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述开口在所述限制环的轴向上的长度大于所述进气孔的直径。
6.根据权利要求4所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述穿孔与所述进气孔相对设置。
7.根据权利要求4所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述穿孔与所述进气孔的直径相同。
8.根据权利要求4所述的一种等离子
9.根据权利要求4所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述环形腔沿所述限制环径向方向的相对两侧分别设有一个密封圈，所述密封圈位于所述限制环与所述腔体的腔壁之间。
10.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述辅助气体为CxFy、O2、SF6、H2、He的一种或多种。
...【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔邻近所述限制环靠近所述反应区域的表面设置。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔的延伸方向朝向相对所述限制环的径向倾斜设置，且向所述限制环靠近所述反应区域的一侧倾斜。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述辅助通道包括环绕所述载台设置、且开口朝向所述反应腔室的环形腔，以及与所述环形腔连通的穿孔，所述开口的部分经由所述限制环远离所述载台的一侧封闭，所述开口的其他部分与所述进气孔连通，所述穿孔还与外界连通。
5.根据权利要求4所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述开...
【专利技术属性】
技术研发人员：李可，王兆祥，向浪，王亮，涂乐义，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。