【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体加工，特别涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
1、在半导体薄膜沉积、等离子刻蚀等半导体加工设备的加工过程中，通过射频能量激活的反应气体形成等离子体状态，与晶圆表面发生化学反应或物理作用。加工完成后，通过排气设备排出反应副产物。然而，由于等离子体具有扩散性，部分等离子体可能会扩散到排气区域。对此，通常使用限制环对等离子体进行熄灭。等离子体中的电子、离子与限制环中的气体通道发生碰撞，并传递能量给壁面，导致等离子体中的粒子失去能量，并与相反电荷的粒子相结合，形成中性粒子，完成电中和过程，有效的防止等离子体扩散到排气区域。
2、为了有效地从限制环的气体通道中抽出副产物以避免产生堆积，气体通道一般设置的相对较宽。然而，较宽的气体通道会降低碰撞概率导致等离子体熄灭失败，从而使其泄露到排气区域，对排气设备发生侵蚀。因此，如何在限制环设置有较宽气体通道的情况下，实现等离子体熄灭，仍然是一个重要的问题。
技术实现思路
1、本申请实施方式的目的在于提供一种等离子体处理装置，...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔邻近所述限制环靠近所述反应区域的表面设置。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔的延伸方向朝向相对所述限制环的径向倾斜设置，且向所述限制环靠近所述反应区域的一侧倾斜。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述辅助通道包括环绕所述载台设置、且开口朝向所述反应腔室的环形腔，以及与所述环形腔连通的穿孔，所述开口的部分经由所述限制环远离所述载台的一侧封闭，所述开口的其他部分与...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔邻近所述限制环靠近所述反应区域的表面设置。
3.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述进气孔的延伸方向朝向相对所述限制环的径向倾斜设置，且向所述限制环靠近所述反应区域的一侧倾斜。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述辅助通道包括环绕所述载台设置、且开口朝向所述反应腔室的环形腔，以及与所述环形腔连通的穿孔，所述开口的部分经由所述限制环远离所述载台的一侧封闭，所述开口的其他部分与所述进气孔连通，所述穿孔还与外界连通。
5.根据权利要求4所述的一种等离子体处理装置，其特征在于，所述开...
【专利技术属性】
技术研发人员：李可，王兆祥，向浪，王亮，涂乐义，
申请(专利权)人：上海谙邦半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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