本发明专利技术涉及无刺红花的组织培养和快速繁殖方法，提供了种子的消毒处理方法、最佳的芽增殖培养基和诱导芽生根培养基。通过获得无菌苗、芽的增殖、诱导芽生根和练苗与移栽四个步骤，在短时间里获得大量该红花的种苗。本发明专利技术具有方法简单，繁殖速率快，稳定性强，培育周期短，生根率高，易成活的优点，在实际生产应用中具有较强的可行性，适用于新疆红花的产业化栽培，也为裕民无刺红花多倍体新品种研究奠定了基础。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种无剌红花的组织培养和快速繁殖方法，提供了种子的消毒处理方法、最佳的芽增殖培养基和诱导芽生根培养基。通过获得无菌苗、芽的增殖、诱导芽生根和练苗移栽四个步骤，在短时间里获得大量该红花的种苗，适用于裕民无剌红花的产业化栽培，也为新疆裕民无剌红花通过多倍体技术选育新品种研究奠定了基础。 专利技术所述的裕民无剌红花的组织培养和快速繁殖方法，按下列步骤进行 a、挑取饱满的无剌红花种子，在超净工作台上用0. 1%升汞灭菌15_30min，75%酒精表面消毒30sec-2min，无菌水冲洗4_6次； b、将步骤a中处理后的种子接入萌发培养基1/2MS中，温度23± 1°C ，光照强度 20001x，光照时间16h/d，进行种子萌发培养； c、将步骤b中苗龄7-15d的幼苗切除叶片和根，将l-2cm的茎段接入培养基 MS+6-BA0. 2-1. Omg/L+TDZ0. 3-1. 0mg/L+PP3330 . 5 -2. Omg/L中，置于温度23± 1°C，光照强度 20001x，光照时间16h/d，进行扩繁培养； d、将步骤c扩繁后1. 0-2. Ocm的腋芽切下，接入培养基1/2MS+NAA 0. 2-1. Omg/ L+IBA 0-0. 5mg/L中，置于温度23士1。C，光照强度20001x，光照时间16h/d，进行诱导生 根； e、将步骤d中获得的高为8-10cm的幼苗，在室温进行炼苗移栽，先打开三角瓶 的封口膜敞开置于温室中2-4d，洗去苗根部的培养基，移入蛭石、珍珠岩和营养土比例为1:1: l-3的混合介质中，每天敞开薄膜，通风数次直至适应环境为止。 本专利技术所述无剌红花的组织培养和快速繁殖方法优点在于 方法简单，稳定性强。本专利技术所采用方法——组织培养，方法简单实用，对设备的 要求较低，生产出的试管苗遗传性好。 快繁材料的选择本专利技术采用裕民无剌红花的茎为快繁对象，避免了用叶片等组 织诱导成苗必须要经过的愈伤阶段，保证了周期短，生根率高，易成活。本专利技术的结果表 明，在培养条件温度23士rC，光照20001x，时间16h/d下，培养基1/2MS+NAA 0. 2-1. Omg/ L+IBAO 0. 5mg/L中，平均生根率在90%以上。附图说明 图1为本专利技术种子消毒萌发7d后的无菌苗图 图2为本专利技术腋芽诱导30d后的苗 图3为本专利技术继代20d后的苗 图4为本专利技术诱导生根20d后的效果 图5为本专利技术移栽存活后的苗图具体实施方式 实施例1 : a、挑取饱满的裕民无剌红花种子，然后将种子在超净工作台上用0. 1%升汞灭菌 15min，75X酒精表面消毒lmin，无菌水冲洗5次； b、将步骤a中处理后的种子接入萌发培养基1/2MS中，温度23± 1 °C，光照 20001x，时间16h/d进行培养; c、将步骤b中苗龄7d的幼苗切除叶片和根，将lcm的茎段接入培养基MS+6-BA 1. 0mg/L+TDZ 0. 5mg/L+PP333 0 . 5mg/L中，置于温度23士1。C，光照20001x，时间16h/d进行 扩繁培养； d、将步骤c扩繁厚的幼苗中1. Ocm的腋芽切下，接入培养基1/2MS+NAA 0. 2mg/L 中，置于温度23士rC，光照20001x，时间16h/d条件下诱导生根； e、将步骤d中高为8cm的幼苗，先打开封口膜于温室中炼苗2d，后洗去苗根部的培 养基，移入蛭石、珍珠岩和营养土1 : 1 : l的混合介质中，每天敞开薄膜，通风数次直至适 应环境为止。 实施例2 : a、挑取饱满的裕民无剌红花种子，然后将种子在超净工作台上用0. 1%升汞灭菌 17min，75X酒精表面消毒30sec，无菌水冲洗4次； b、将步骤a中处理后的种子接入萌发培养基1/2MS中，温度23± 1 °C，光照 20001x，时间16h/d进行培养; c、将步骤b中苗龄8d的幼苗切除叶片和根，将1. 5cm的茎段接入培养基MS+6-BA 1.0mg/L+TDZ 0. 3mg/L+PP333 2. Omg/L中，置于温度23± 1°C ，光照20001x，时间16h/d进行4培养； d、将步骤c中1. 0-2. Ocm的腋芽切下，接入培养基1/2MS+NAA0. 2mg/L中，置于温 度23士rC，光照20001x，时间16h/d条件下诱导生根; e、将步骤d中的高为9cm的幼苗，先打开封口膜于温室中炼苗3d，后洗去苗根部的 培养基，移入蛭石、珍珠岩和营养土1 : 1 : 1.5的混合介质中，每天敞开薄膜，通风数次直 至适应环境为止。 实施例3: a、挑取饱满的裕民无剌红花种子，然后将种子在超净工作台上用0. 1%升汞灭菌 20min，75X酒精表面消毒1. 5min，无菌水冲洗6次； b、将步骤a中处理后的种子接入萌发培养基1/2MS中，温度23± 1 °C，光照 20001x，时间16h/d进行培养; c、将步骤b中苗龄9d的幼苗切除叶片和根，将2cm的茎段接入培养基MS+6-BA l.Omg/L+TDZ 1. 0mg/L+PP333 1. Omg/L中，置于温度23± 1°C ，光照20001x，时间16h/d进行 培养； d、将步骤c中1. 0-2. 0cm的腋芽切下，接入培养基l/2MS+NAA0. 2mg/L+IBA 0. 2mg/ L中，置于温度23士rC，光照20001x，时间16h/d条件下诱导生根； e、将步骤d中高为10cm的幼苗，先打开封口膜于温室中炼苗3d，后洗去苗根部的 培养基，移入蛭石、珍珠岩和营养土1 : 1 : 2的混合介质中，每天敞开薄膜，通风数次直至 适应环境为止。 实施例4 : a、挑取饱满的裕民无剌红花种子，然后将种子在超净工作台上用0. 1%升汞灭菌 15min，75X酒精表面消毒2min，无菌水冲洗5次； b、将步骤a中处理后的种子接入萌发培养基1/2MS中，温度23± 1 °C，光照 20001x，时间16h/d进行培养; c、将步骤b中苗龄10d的幼苗切除叶片和根，将lcm的茎段接入培养基MS+6-BA 0. 5mg/L+TDZ 1. 0mg/L+PP333 0 . 5mg/L中，置于温度23士1。C，光照20001x，时间16h/d进行 扩繁培养； d、将步骤c扩繁后的幼苗中2. Ocm的腋芽切下，接入培养基1/2MS+NAA 0. 4mg/ L+IBA 0. lmg/L中，并于置于温度23士rC，光照20001x，时间16h/d条件下进行诱导生根； e、将步骤d中高为8cm的幼苗，先打开封口膜于温室中炼苗4d，后洗去苗根部的培 养基，移入蛭石、珍珠岩和营养土1 : 1 : 2.5的混合介质中，每天敞开薄膜，通风数次直至适应环境为止。 实施例5 : a、挑取饱满的裕民无剌红花种子，然后将种子在超净工作台上用0. 1%升汞灭菌 17min，75X酒精表面消毒lmin，无菌水冲洗5次； b、将步骤a中处理后的种子接入萌发培养基1/2MS中，温度23± 1 °C，光照 20001x，时间16h/d进行培养; c、将步骤b中苗龄lld的幼苗切除叶片和根，将2cm的茎段接入培养基MS+6-BA 0. 5mg/L+TDZ 0. 5本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种无刺红花的组织培养和快速繁殖方法，其特征在于按下列步骤进行： ａ、挑取饱满的无刺红花种子，在超净工作台上用０．１％升汞灭菌１５－３０ｍｉｎ，７５％酒精表面消毒３０ｓｅｃ－２ｍｉｎ，无菌水冲洗４－６次； ｂ、将步骤ａ中处理后的种子接入培养基１／２ＭＳ中，置于温度２３±１℃，光照强度２０００ｌｘ，光照时间１６ｈ／ｄ，进行种子萌发培养； ｃ、将步骤ｂ中７－１５ｄ苗龄的无菌苗切除叶片和根后，剩余部分１－２ｃｍ长茎段接入培养基ＭＳ＋６－ＢＡ０．２－１．０ｍｇ／Ｌ＋ＴＤＺ０．３－１．０ｍｇ／Ｌ＋ＰＰ↓［３３３］０．５－２．０ｍｇ／Ｌ中，置于温度２３±１℃，光照强度２０００ｌｘ，光照时间１６ｈ／ｄ，进行扩繁培养； ｄ、将步骤ｃ扩繁后１．０－２．０ｃｍ的腋芽切下，接入培养基１／２ＭＳ＋ＮＡＡ０．２－１．０ｍｇ／Ｌ＋ＩＢＡ０－０．５ｍｇ／Ｌ中，置于温度２３±１℃，光照强度２０００ｌｘ，光照时间１６ｈ／ｄ，进行诱导生根； ｅ、将步骤ｄ中获得的高为８－１０ｃｍ的幼苗在温室进行炼苗移栽，先打开三角瓶的封口膜敞开置于温室中２－４ｄ，洗去瓶苗根部上附着的培养基，移入蛭石、珍珠岩和营养土比例为１∶１∶１－３的混合介质中，每天敞开薄膜，通风数次直至适应环境为止。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓军，牛力涛，郝秀英，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：65[中国|新疆]
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