ArF光刻胶成膜聚合物及其制备方法及用该聚合物制得的光刻胶及其应用技术

本申请涉及光刻胶技术领域，具体公开了ArF光刻胶成膜聚合物及其制备方法及用该聚合物制得的光刻胶及其应用。ArF光刻胶成膜聚合物，包括如下比例的各组分：降冰片烯新单体5

【技术实现步骤摘要】
ArF光刻胶成膜聚合物及其制备方法及用该聚合物制得的光刻胶及其应用


[0001]本申请涉及光刻胶
，更具体地说，它涉及一种ArF光刻胶成膜聚合物及其制备方法及用该聚合物制得的光刻胶及其应用。

技术介绍

[0002]随着集成电路集成度的不断提高，要求器件的尺寸越来越小，光刻胶分辨率由微米、亚微米向纳米级方向发展，这就要求曝光光源的波长不断减小。ArF曝光分为干式光刻和浸没式光刻，结合多重曝光技术，分辨率覆盖90
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7nm，是芯片制造的主流工艺。ArF光刻胶要求透光率高(193nm波长处)、分辨率高、感度快、抗刻蚀性强、边缘粗糙度小及缺陷少，因此对成膜聚合物提出了更高要求。
[0003]通常通过在ArF光刻胶成膜聚合物结构中大量引入脂肪环结构可以满足光刻胶在193nm波长处低吸收，耐蚀刻性强，但会导致光刻胶与衬底之间的粘附力降低；此外通过在ArF光刻胶成膜聚合物结构中引入环烯烃和降冰片烯类单体主链环状结构，大大提高了其透光率和耐蚀刻性，但是其疏水性太强，附着力差，制得的膜脆性大。
[0004]鉴于此，有必要开本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ArF光刻胶成膜聚合物，其特征在于：包括如下比例的各组分：降冰片烯新单体5
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20mol％；马来酸酐单体45
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55mol％；侧链含有保护基团的降冰片烯单体20
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40mol％；所述降冰片烯新单体结构通式如下：其中R1为烷基链，X为含有羟基和腈基的烷基，Y为亚甲基或氧原子。2.根据权利要求1所述的ArF光刻胶成膜聚合物，其特征在于：所述降冰片烯新单体通过环二烯单体(a)与烯烃单体(b)DA(Diels
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Alder)反应得到，反应过程如下所示：其中(a)单体为环戊二烯、呋喃、1,3
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环己二烯中的一种；(b)单体为N
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取代的马来酰亚胺单体，其结构通式如下：其中R为含有腈基的取代基。3.根据权利要求2所述的ArF光刻胶成膜聚合物，其特征在于：所述(b)单体的结构为如下所示结构中的一种：4.根据权利要求1所述的ArF光刻胶成膜聚合物，其特征在于：所述侧链含有脱保护基团的降冰片烯新单体的结构通式如下：
其中，R2、R3、R3为烷基或脂肪环基，R2、R3、R4也可组成环状结构。5.权利要求1
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4任意一项所述的ArF光刻胶成膜聚合物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，将降冰片烯新单体、马来酸酐单体、侧链含有脱保护基团的降冰片烯新单体和引发剂溶于第一溶剂得到溶液A；将所述溶液A在N2保护下，加热至60～90℃反应8
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20h得到聚合物溶液；S2，将所述聚合物溶液滴加到第二溶剂中，抽滤得到白色沉淀物；S3，将白色沉淀物在第一溶剂中溶解得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑祥飞，徐亮，陈韦帆，
申请(专利权)人：瑞红苏州电子化学品股份有限公司，
类型：发明
国别省市：