一种耐刻蚀的ArF光刻胶及其制备方法技术

本申请属于光刻胶材料技术领域，具体涉及一种耐刻蚀的ArF光刻胶及其制备方法。一种耐刻蚀的ArF光刻胶，包括以下重量份的原料：成膜树脂90‑100份、光致产酸剂5‑15份、有机碱0.5‑2份，耐刻蚀添加剂3‑10份，以及光刻胶溶剂3000‑5000份，其中，所述耐刻蚀添加剂为胆酸衍生物；所述成膜树脂包括侧链含内酯的甲基丙烯酸酯、侧链含脂肪环保护基的甲基丙烯酸酯和侧链含极性基团的甲基丙烯酸酯；本申请中的耐刻蚀的ArF光刻胶，可以形成较高分辨率图形的光刻胶；即兼具较高的分辨率和耐刻蚀性能，可推广光刻胶的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于光刻胶材料，具体涉及一种耐刻蚀的arf光刻胶及其制备方法。

技术介绍

1、光刻技术和光刻材料的进步是促进半导体行业发展的重要因素，随着集成电路集成度的不断提高，根据relay公式，光刻胶的分辨率与曝光波长成反比，所以降低曝光波长成为提高分辨率的主要途径。光刻胶分辨率由微米、亚微米向纳米级方向发展，这就要求曝光光源的波长不断减小，同时光刻胶在对应波长段有较高的透光率。光刻胶根据光刻精度和光源波长的不同，可分为g线光刻胶、i线光刻胶、krf光刻胶、arf光刻胶以及euv光刻胶。其中，arf光刻胶的光源波长为193nm，属于深紫外光刻胶，该光刻胶由于具有较高的光刻精度，作为先进制程的主导光刻工艺，结合多重曝光工艺，分辨率覆盖90-7nm，随着高端制程的发展，arf光刻胶需求越来越大。

2、目前，我国自主研发的商业化光刻胶材料主要包括酚醛树脂、聚对羟基苯乙烯等，主要用于g-线(436nm)与i-线(365nm)的光刻工艺。这类光刻胶材料在用于193nm工艺时存在光敏性较低，得到图形分辨率低，抗刻蚀能力较差，刻蚀速率的不同而导致刻蚀均一性差，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种耐刻蚀的ArF光刻胶，其特征在于：包括以下重量份的原料：成膜树脂90-100份、光致产酸剂5-15份、有机碱0.5-2份，耐刻蚀添加剂3-10份，以及光刻胶溶剂3000-5000份，其中，所述耐刻蚀添加剂为胆酸衍生物；所述成膜树脂包括侧链含内酯的甲基丙烯酸酯、侧链含脂肪环保护基的甲基丙烯酸酯和侧链含极性基团的甲基丙烯酸酯。

2.根据权利要求1所述的耐刻蚀的ArF光刻胶，其特征在于：所述侧链含内酯的甲基丙烯酸酯、侧链含脂肪环保护基的甲基丙烯酸酯和侧链含极性基团的甲基丙烯酸酯的摩尔百分比为（40-53）：（40-27）:20。

3.根据权利要求1所述的耐刻蚀的...

【技术特征摘要】

1.一种耐刻蚀的arf光刻胶，其特征在于：包括以下重量份的原料：成膜树脂90-100份、光致产酸剂5-15份、有机碱0.5-2份，耐刻蚀添加剂3-10份，以及光刻胶溶剂3000-5000份，其中，所述耐刻蚀添加剂为胆酸衍生物；所述成膜树脂包括侧链含内酯的甲基丙烯酸酯、侧链含脂肪环保护基的甲基丙烯酸酯和侧链含极性基团的甲基丙烯酸酯。

2.根据权利要求1所述的耐刻蚀的arf光刻胶，其特征在于：所述侧链含内酯的甲基丙烯酸酯、侧链含脂肪环保护基的甲基丙烯酸酯和侧链含极性基团的甲基丙烯酸酯的摩尔百分比为（40-53）：（40-27）:20。

3.根据权利要求1所述的耐刻蚀的arf光刻胶，其特征在于：所述胆酸衍生物为胆酸、石胆酸、脱氧胆酸中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的耐刻蚀的arf光刻胶，其特征在于：所述光致产酸剂为重氮盐，硫鎓盐，碘鎓盐，磺酰基重氮甲烷，n-羟基酰亚胺磺酸酯，亚胺磺酸酯，硝基苄苯磺酸酯，磺酸肟酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑祥飞，凤田，季昌彬，徐亮，陈韦帆，
申请(专利权)人：瑞红苏州电子化学品股份有限公司，
类型：发明
国别省市：