一种氮化物发光器件及其制备方法技术

一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括ｎ－型电子注入层、ｐ－型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在ｎ－型电子注入层和ｐ－型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近ｐ型注入层，跃迁能量小的量子阱接近ｎ型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光器件，尤其是涉及一种非对称耦合量子阱为有源区的氮 化物发光器件，诸如发光二极管(LED)或激光二极管((LD)。
技术介绍
GaN基材料是指GaN、 InN、 A1N以及它们的三元和四元化合物，属于直接带隙半导体 材料，具有优异的机械和化学性能，室温下其发光波长涵盖了近红外、可见以及深紫外波段。 基于GaN基材料制作的半导体发光器件在大屏幕全色显示、照明、信息存储以及医学等领域 具有广阔的应用前景。目前，氮化物发光器件主要采用多量子阱结构作为有源层，载流子的注入方式为双极性 输入即电子和空穴分别从有源区的两端n型掺杂区和p型掺杂区输入，载流子在各个阱间 的分布主要由电子和空穴的输运特性来决定。由于空穴有效质量比电子有效质量大得多,而迁 移率比电子迁移率低，因此在InGaN多量子阱屮空穴的注入和分布是很不均匀的，最靠近p 区的量子阱中的空穴浓度最高，对发光的贡献最大。随着注入电流的增大，必然导致靠近p 区的量子阱中载流子大量聚集，使电子从有源区的泄露几率增加，从而大大降低有源区的外 量子效率，这也是导致高输出功率LED效率骤降的主要原因(X. F. Ni本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物发光器件，其特征在于至少包括ｎ－型电子注入层、ｐ－型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在ｎ－型电子注入层和ｐ－型空穴注入层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张江勇，张保平，王启明，蔡丽娥，余金中，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]