一种ZnO基发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及ＺｎＯ基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层、ｎ型ＺｎＯ接触层、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层、ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、ｐ型ＺｎＯ接触层和多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层，然后采用磁控溅射法在ｎ型ＺｎＯ接触层上沉积与ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层并列的第一电极，在ｐ型ＺｎＯ接触层上沉积与多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层并列的第二电极。本发明专利技术的ＺｎＯ基发光二极管引入了多量子阱和分布布拉格结构，因此可以减少由于光强度透射和吸收引起的损失，从而可以提高ＬＥＤ的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
ZnO是一种新型宽禁带半导体材料，具有较高的激子束缚能，是未来一种理想的短波长发光器件材料。日本东北大学于2005年首先采用高低温调节实现ZnO同质结电致发光LED。浙江大学也于当年用MOCVD技术制备出ZnO-LED原型器件，实现了室温电致发光。但到目前为止，已报道的ZnO基LED发光效率都很低，亮度也很弱。要使器件走向实用化，必须优化LED结构设计。如果将周期厚度为1/4波长的由不同折射率的两种半导体材料交替组成的分布布拉格反射镜(DBR)应用于ZnO基LED，将大大减少光强度由于透射和吸收引起的损失，提高LED的发光效率。而如果进一步把DBR和多量子阱结合起来，将会更有利于发光效率的提高，这无疑是一项很有意义的工作。而目前关于这种结构的LED的设计与制备的研究国际上还没有出现。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新的ZnO基发光二极管及其制备方法。专利技术的ZnO基发光二极管，在衬底上自下而上依次沉积ZnO同质缓冲层、n型ZnO接触层、n型Zn1-xMgxO层、由Zn1-xMgxO和ZnO交替沉积形成的多层Zn1-xMgxO/ZnO多量子阱结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＺｎＯ基发光二极管，其特征是在衬底（１）上自下而上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层（２）、ｎ型ＺｎＯ接触层（３）、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层（４）、由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和ＺｎＯ交替沉积形成的多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层（５）、ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层（６）、ｐ型ＺｎＯ接触层（７）和由Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ和Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ交替沉积形成的多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｍｇ↓［ｙ］Ｏ分布布拉格反射镜结构层（８），第一电极（９）并列于ｎ型ＺｎＭｇＯ层（４）沉积在ｎ型ＺｎＯ接触层（３）上，第二电极（１...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丽萍，顾修全，叶志镇，赵炳辉，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]