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本发明涉及ＺｎＯ基发光二极管及其制备方法，首先采用脉冲激光沉积法在衬底上依次沉积ＺｎＯ同质缓冲层、ｎ型ＺｎＯ接触层、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ层、多层Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［ｘ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层、ｐ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｍｇ↓［...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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