【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在半导体金属氧化物上自组装多金属氧酸盐-硫堇复合薄膜的 光催化剂，尤其涉及一种在可见光范围内具有高光催化活性的金属氧化物催化剂。
技术介绍
随着经济社会和各种技术的迅猛发展，人们越来越关心影响人类生活和生存的环 境问题，目前正面临着严重的能源短缺和环境污染问题，比如，有毒难降解有机污染物(如 卤代物、二恶英、农药、染料等)引起的环境问题已成为21世纪影响人类生存与健康的重大 问题，用现有环境技术很难处理这些污染物。近年来，发展起来的以半导体金属氧化物为催 化剂的光催化技术，为我们提供了理想的能源利用和治理环境污染的方法。在半导体催化 剂中，金属硫化物有毒，而氧化锌在水中不稳定，因此，较为稳定、廉价、无毒的半导体光催 化剂中，主要有二氧化钛和三氧化钨半导体催化剂。但是，很多半导体金属氧化物光催化 剂，只能利用紫外光且反应效率低，并且，使用紫外光存在一些局限，如耗电量大，价格昂贵 等，因此，瞄准最大限度利用太阳能中43%的可见光，来降解环境中的污染物，对环保和节 能都将具有极其重要的意义。研究开发可见光化的光催化剂成为当前光催化剂研究中的重 要课题...
【技术保护点】
一种半导体金属氧化物催化剂，包括半导体金属氧化物和薄膜，其特征在于：其薄膜包含杂多酸阴离子ＸＷ↓［１２］Ｏ↓［４０］↑［ｎ－］（Ｘ＝Ｂ或Ｓｉ或Ｐ或Ｇｅ）和硫堇复合薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高水英，曹荣，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]
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