一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置及方法，包括合成炉以及设置于所述合成炉中的合成坩埚，所述合成坩埚内设置有多个反应区块，多个反应区块自所述合成坩埚的封闭端至开口端依次间隔设置，且相邻的反应区块之间设置有反应阻挡层。本发明专利技术通过在合成坩埚内设置多个反应区块，可以将碲、锌、镉/碲、镉的原料分为多份分别放入多个反应区块，以多个小区块的模式分别进行反应，同时在相邻的反应区块之间设置反应阻挡层，减少合成过程的原材料反应的连续，可以避免过大的初始反应热和延缓了整个合成的连锁反应，大大降低了大质量碲锌镉/碲化镉多晶料合成的集中放热引起的裂管风险。镉多晶料合成的集中放热引起的裂管风险。镉多晶料合成的集中放热引起的裂管风险。

【技术实现步骤摘要】
一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置及方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料制备
，具体涉及一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置及方法。

技术介绍

[0002]在碲化镉、碲锌镉材料制备工艺中，采用碲单质、镉单质、锌单质成功合成碲化镉、碲锌镉多晶料是关键技术，通常采用石英合成坩埚真空烧结密封方法，由于碲单质与镉单质化合时会发生剧烈的反应，单次合成量稍大时，经常会发生石英合成坩埚容器爆炸问题，导致材料氧化报废以及设备损毁而造成很大的经济损失。
[0003]公开号为CN 111809235 A的专利技术专利公开了将单质碲或单质碲和单质锌装入第一合成坩埚中，将单质镉装入第二合成坩埚中，先将液封剂升温，使液封剂先熔化；再将第一合成坩埚下部升温，使第一合成坩埚内的材料熔化；之后将第二合成坩埚升温，使第二合成坩埚内的单质镉熔化；再将第二合成坩埚内熔化的单质镉缓慢滴入第一合成坩埚中，与第一合成坩埚内的熔体反应生成碲化镉或碲锌镉；其采用液封技术阻止镉蒸气挥发损失，第一合成坩埚不需要烧结密封，第一合成坩埚可以重复多次使用，从而降低了成本；通过将镉熔体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置，包括合成炉以及设置于所述合成炉中的合成坩埚，其特征在于：所述合成坩埚内设置有多个反应区块，多个反应区块自所述合成坩埚的封闭端至开口端依次间隔设置，且相邻的反应区块之间设置有反应阻挡层。2.如权利要求1所述的制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置，其特征在于：所述反应阻挡层采用碲锌镉单/多晶料，或者所述反应阻挡层采用碲化镉单/多晶料。3.如权利要求1所述的制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置，其特征在于：靠近最先发生合成反应的反应区块的反应阻挡层的质量是其他的反应阻挡层质量的1
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3倍。4.如权利要求1所述的制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置，其特征在于：所述合成炉设置有多个加热区，多个加热区自所述合成坩埚的封闭端至开口端依次相连。5.如权利要求4所述的制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置，其特征在于：对应最先发生合成反应的反应区块的加热区的加热温度达到合成反应所需温度，其他加热区的加热温度低于合成反应所需温度。6.如权利要求1所述的制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置，其特征在于：所述合成坩埚为石英熏碳合成坩埚。7.一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的方法，其特征在于，采用权利要求1
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6任一项所述的装置，该制备方法包括如下步骤：S1、依次向合成坩埚的各个反应区块按化学配比加入单质碲与单质镉或者单质碲、单质镉与单质锌，并在相邻的反应区块之间添加反应阻挡层；S2、对合...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，黄立，严冰，刘伟华，喻畅，颜家楷，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：