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本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种制备碲锌镉或碲化镉多晶料的装置及方法，包括合成炉以及设置于所述合成炉中的合成坩埚，所述合成坩埚内设置有多个反应区块，多个反应区块自所述合成坩埚的封闭端至开口端依次间隔设置，且相邻的反应区块之间设...
该专利属于武汉高芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉高芯科技有限公司授权不得商用。

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