数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

本申请提出了一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质，包括：首先，本申请实施例会获取page总数和retry总数；接着，在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，本申请实施例会获取无偏移读数据的纠正情况；最后，当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，本申请实施例会将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。由于本申请实施例在实验期间会遍历所有的page和所有的电压偏移量retery，因此，本申请实施例可以分析到更多的数据，从而无需通过多种不同的策略来进行重复实验，操作简单。操作简单。操作简单。

【技术实现步骤摘要】
数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质


[0001]本申请涉及数据处理
，特别涉及一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在相关技术中，对于芯片相关产品，在出厂期间往往会设置若干组电压偏移量retry，为了提升nand的读速度，往往会针对这些retry做一些策略，而这些策略在特性分析阶段得到的数据仅能够分析到部分nand特性，为了分析到更多的nand特性，往往需要采用重复实验来对不同策略进行数据获取。对于实验时间上是一种耗费，其次部分场景的实验对于nand本身的磨损是不可逆的，无法进行二次重复实验，这使得对于样本量和实验设备的需求增大。

技术实现思路

[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种数据分析方法、数据分析装置、电子设备和存储介质，旨在无需分别采用不同的读策略进行重复实验。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种数据分析方法，包括：
[0005]获取page总数和retry总数；
[0006]在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
[0007]当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据。
[0008]在一些实施例中，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：
[0009]判断所述无偏移读数据是否第一次读错；
[0010]当所述无偏移读数据为第一次读错，将所述无偏移读数据和当前遍历的所述电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；
[0011]根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据。
[0012]在一些实施例中，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
[0013]当所述第一运算结果全部纠回数据，记录当前遍历的所述电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery。
[0014]在一些实施例中，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
[0015]当所述第一运算结果无法全部纠回数据，返回继续遍历下一个电压偏移量retery。
[0016]在一些实施例中，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：
[0017]判断所述无偏移读数据是否第一次读错；
[0018]当所述无偏移读数据不是第一次读错，将所述无偏移读数据和记录的电压偏移量retery进行运算，得到第二运算结果；
[0019]根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据。
[0020]在一些实施例中，所述根据所述第二运算结果得到记录的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：
[0021]当所述第二运算结果全部纠回数据，从第一个所述电压偏移量retery开始重新遍历；
[0022]根据所述无偏移读数据与每一个所述电压偏移量retery的运算结果判断当前的所述page的纠回情况。
[0023]在一些实施例中，所述数据分析方法还包括：
[0024]对每个chip的数据进行预处理，以使非结构化数据转换为结构化数据。
[0025]第二方面，本申请实施例提供了一种数据分析装置，包括：
[0026]数据获取单元，用于获取page总数和retry总数；
[0027]纠正分析单元，用于在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；
[0028]数据分析单元，用于当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据。
[0029]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行如上述第一方面的数据分析方法。
[0030]第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面的数据分析方法。
[0031]根据本申请实施例的技术方案，至少具有如下有益效果：首先，本申请实施例会获取page总数和retry总数；接着，在当前遍历的page小于page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，本申请实施例会获取无偏移读数据的纠正情况；最后，当无偏移读数据无法有效纠正所有数据，本申请实施例会将无偏移读数据和每个电压偏移量retery进行运算，以得到每个电压偏移量retery对page的分析数据。由于本申请实施例在实验期间会遍历所有的page和所有的电压偏移量retery，因此，本申请实施例可以分析到更多的数据，从而无需通过多种不同的策略来进行重复实验，操作简单。
[0032]本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0033]附图用来提供对本申请技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
[0034]图1是本申请一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0035]图2是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0036]图3是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0037]图4是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0038]图5是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0039]图6是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0040]图7是本申请另一个实施例提供的数据分析方法的步骤流程图；
[0041]图8是本申请一个实施例提供的数据分析方法的整体步骤流程图；
[0042]图9是本申请一个实施例提供的用于执行数据分析方法的电子设备的结构示意图；
[0043]图10是本申请一个实施例提供的数据分析装置的结构示意图。
具体实施方式
[0044]下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据分析方法，其特征在于，包括：获取page总数和retry总数；在当前遍历的page小于所述page总数并且当前遍历的电压偏移量retery小于retry总数的情况下，获取无偏移读数据的纠正情况；当所述无偏移读数据无法有效纠正所有数据，将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据。2.根据权利要求1所述的数据分析方法，其特征在于，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：判断所述无偏移读数据是否第一次读错；当所述无偏移读数据为第一次读错，将所述无偏移读数据和当前遍历的所述电压偏移量retery进行运算，得到第一运算结果；根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据。3.根据权利要求2所述的数据分析方法，其特征在于，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：当所述第一运算结果全部纠回数据，记录当前遍历的所述电压偏移量retery为可纠回的电压偏移量retery。4.根据权利要求2所述的数据分析方法，其特征在于，所述根据所述第一运算结果得到当前遍历的所述电压偏移量retery的分析数据，包括：当所述第一运算结果无法全部纠回数据，返回继续遍历下一个电压偏移量retery。5.根据权利要求1所述的数据分析方法，其特征在于，所述将所述无偏移读数据和每个所述电压偏移量retery进行运算，以得到每个所述电压偏移量retery对所述page的分析数据，包括：判断所述无偏移读...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭梦奇，贺乐，赖鼐，龚晖，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：