计算层间叠对偏移量的方法以及电子装置制造方法及图纸

计算层间叠对偏移量的方法以及电子装置。首先，获得目标影像。接着，在目标影像中找出符合第一模板的第一区域。在第一区域中找出符合第二模板的第二区域。在第二区域中找出与对应至第一侧的第三模板相符的第三区域，以及找出与对应至第二侧的至少一第四模板相符的至少一第四区域。之后，以相似度最高的第四区域的中心点与第三区域的中心点来计算偏移量。中心点与第三区域的中心点来计算偏移量。中心点与第三区域的中心点来计算偏移量。

【技术实现步骤摘要】
计算层间叠对偏移量的方法以及电子装置


[0001]本专利技术涉及一种自动化机制，且特别涉及一种用于半导体工艺中的计算层间叠对偏移量的方法以及电子装置。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，由于其结构为多层堆叠，因此在曝光过程中，倘若层与层的位置对准不正确，会导致层与层之间的图形无法按照电路图设计而密切配合，进而造成短路、断路等电性不良等缺陷。这种层与层的图样在位置上的误差一般称为叠对误差(Overlay Error)。目前在曝光显影后，会经由在线自动光学识别系统(inline AOI(Auto Optical Inspection))来拍摄，并通过人工来确认叠对情况，并手动计算叠对偏移量，之后再将偏移量输入至曝光机台来调整参数以重新进行曝光。
[0003]叠对误差对整个半导体工艺的良率有很大的影响，因此关于叠对的检测以及叠对偏移量的测量是目前欲解决的课题之一。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种计算层间叠对偏移量的方法以及电子装置，可自动化计算偏移量。
[0005]本专利技术的用于半导体工艺中的计算层间叠对偏移量的方法，适于通过处理器来执行，所述方法包括：获得目标影像；在目标影像中找出符合第一模板的第一区域；在第一区域中找出符合第二模板的第二区域；在第二区域中找出与对应至第一侧的第三模板相符的第三区域，以及找出与对应至第二侧的至少一第四模板相符的至少一第四区域；以及在至少一第四区域中找出相似度最高者的中心点与第三区域的中心点来计算偏移量。
[0006]在本专利技术的一实施例中，所述方法还包括：经由取像装置分别在目标物的多个拍摄位置的每一个进行多次取像，获得对应于每一个拍摄位置的多张拍摄图像；以及分析每一个拍摄位置所获得的多个拍摄图像的清晰度，以在这些拍摄图像中取出清晰度最佳的一者来做为各拍摄位置的目标影像。
[0007]在本专利技术的一实施例中，每一个拍摄位置具有对应的模板组合，所述模板组合包括第一模板、第二模板、第三模板以及至少一第四模板。而所述方法还包括：基于目标影像所对应的一个拍摄位置来取出对应的模板组合。
[0008]在本专利技术的一实施例中，在计算偏移量之后，还包括：在目标影像中的对应位置标示偏移量，并以视觉化方式来表示是否需要调整偏移量。
[0009]在本专利技术的一实施例中，在目标影像中找出符合第一模板的第一区域之前，还包括：利用颜色遮罩对目标影像执行色块切割而保留目标色块，以在经由色块切割后的目标影像中找出符合第一模板的该第一区域。
[0010]本专利技术的电子装置包括：存储器，包括：模板数据库，存储模板组合，所述模板组合包括第一模板、第二模板、第三模板以及至少一第四模板；以及处理器，耦接至存储器，经配
置以执行所述用于半导体工艺中的计算层间叠对偏移量的方法。
[0011]基于上述，本公开设计自动测量模式，通过所拍摄的影像来自动计算层间叠对偏移量，进而可将所获得的计算结果回传至曝光机台。据此，可减少人工计算的耗时，避免产能良率损失。
附图说明
[0012]图1是依照本专利技术一实施例的电子装置的方框图。
[0013]图2是依照本专利技术一实施例的层间叠对(overlay)的示意图。
[0014]图3是依照本专利技术一实施例的计算层间叠对偏移量的方法流程图。
[0015]图4是依照本专利技术一实施例的拍摄位置的配置示意图。
[0016]图5A与图5B是依照本专利技术一实施例的卷积匹配的区域示意图。
[0017]图6是依照本专利技术一实施例的在目标影像中获得第一区域的示意图。
[0018]图7是依照本专利技术一实施例的在第一区域中获得第二区域的示意图。
[0019]图8是依照本专利技术一实施例的在第二区域中获得第三区域与第四区域的示意图。
[0020]图9是依照本专利技术一实施例的在第二区域中获得第三区域与多个第四区域的示意图。
[0021]图10是依照本专利技术一实施例的输出结果的示意图。
[0022]图11是依照本专利技术一实施例的使用者界面的示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]100：电子装置
[0025]110：处理器
[0026]120：存储器
[0027]130：模板数据库
[0028]210
‑
R、210
‑
G、210
‑
B：图样
[0029]220：黑色遮光层
[0030]410：基板
[0031]500：目标影像
[0032]501、502、503、511、521：区域
[0033]610：第一区域
[0034]710：第二区域
[0035]810：第三区域
[0036]820、830：第四区域
[0037]1000：输出结果
[0038]1100：使用者界面
[0039]A：叠对
[0040]d1、d2：长度
[0041]P82：叠对区域
[0042]T4
‑
1、T4
‑
2：第四模板
[0043]X1、Y1：尺寸
[0044]S305～S325：计算层间叠对偏移量的方法的步骤
具体实施方式
[0045]图1是依照本专利技术一实施例的电子装置的方框图。请参照图1，电子装置100可采用任何具有运算功能的装置来实现。例如，电子装置100可采用智能手机、平板、笔记本电脑、个人电脑、服务器等来实现。电子装置100至少包括下述构件，即处理器110以及存储器120。处理器110耦接至存储器120。
[0046]处理器110例如为中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)、物理处理单元(Physics Processing Unit，PPU)、可程序化的微处理器(Microprocessor)、嵌入式控制芯片、数字信号处理器(Digital Signal Processor，DSP)、特殊应用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)或其他类似装置。
[0047]存储器120例如是任意形式的固定式或可移动式随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、只读存储器(Read
‑
Only Memory，ROM)、快闪存储器(Flash memory)、硬盘或其他类似装置或这些装置的组合。存储器120中包括模板数据库130以及一或多个程序码片段，上述程序码片段在被安装后，会由处理器110来执行。
[0048]图2是依照本专利技术一实施例的层间叠对(overlay)的示意图。请参照图2，本实施例是以彩色滤光片的黑色遮光层与滤光层来说明，然并不以此为限，可适用于半导体工艺中的任意上下两层的结构。彩色滤光片的结构是在玻璃基板上形成防止反射的黑色遮光层220，亦称为BM(black matrix)层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体工艺中的计算层间叠对偏移量的方法，适于通过一处理器来执行，该方法包括：获得一目标影像；在该目标影像中找出符合一第一模板的一第一区域；在该第一区域中找出符合一第二模板的一第二区域；在该第二区域中找出与对应至一第一侧的一第三模板相符的一第三区域，以及找出与对应至一第二侧的至少一第四模板相符的至少一第四区域；以及以在该至少一第四区域中找出相似度最高者的中心点与该第三区域的中心点来计算一偏移量。2.如权利要求1所述的方法，还包括：经由一取像装置分别在一目标物的多个拍摄位置的每一个进行多次取像，获得对应于每一该些拍摄位置的多张拍摄图像；以及分析每一该些拍摄位置所获得的该些拍摄图像的清晰度，以在该些拍摄图像中取出清晰度最佳的一者来做为每一该些拍摄位置的该目标影像。3.如权利要求2所述的方法，其中每一该些拍摄位置具有对应的一模板组合，该模板组合包括该第一模板、该第二模板、该第三模板以及该至少一第四模板，而该方法还包括：基于该目标影像所对应的其中一个所述拍摄位置来取出对应的该模板组合。4.如权利要求1所述的方法，其中在计算该偏移量之后，还包括：在该目标影像中的对应位置标示该偏移量，并以视觉化方式来表示是否需要调整该偏移量。5.如权利要求1所述的方法，其中在该目标影像中找出符合该第一模板的该第一区域之前，还包括：利用一颜色遮罩对该目标影像执行一色块切割而保留一目标色块，以在经由该色块切割后的该目标影像中找出符合该第一模板的该第一区域。6.一种电子装置，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁廖杰，郭倍诚，黄俊华，沈静萱，陈俊维，薛朝鸿，林奕翰，张禄坤，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：