基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及到一种基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘基底（１０１）层为第一层，下电极（１０２）为第二层，铁酸铋薄膜（１０３）为第三层，上电极（１０４）为第四层；其制备方法采用热蒸发或磁控溅射的方法在绝缘基底层上生长下电极，采用磁控溅射、脉冲激光沉积或溶胶－凝胶的方法在下电极上生长铁酸铋薄膜，最后采用热蒸发或磁控溅射的方法在铁酸铋薄膜上生长上电极，并且通过紫外光刻、电子束、或者离子束刻蚀等方法得到上电极图形。本发明专利技术所提供的存储器具有很好的电致电阻效应和较好的稳定性，制备方法简单，成本低，易于大规模制备和工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到非挥发性存储器的
，特别是涉及到基于BiFe03基薄膜的电 阻式随机存储器及其制备方法。
技术介绍
高速发展的信息技术依赖于大容量的、高速的、非挥发性的信息存储技术。非挥发 性信息存储技术具有在断电时仍然保持信息数据的优点，目前已经广泛应用于计算机、 汽车、现代工业等领域。目前主流的非挥发性存储器是闪存存储器(Flash Memory), 但是闪存存储器存在着操作电压高、速度慢、耐力差等问题，随着对信息存储技术要求 的不断提高，必须开发具有低功耗、高速的、保持时间长的非挥发性存储器。目前，铁 电随机存储器(FeRAM)、磁随机存储器(MRAM)和电阻式随机存储器(RRAM)是 主要的候选者。RRAM的一般为金属-绝缘体-金属的结构，通过施加电脉冲可以控制 RRAM的电阻在高电阻状态和低电阻状态之间进行切换，实现信息的写入和擦除。 RRAM具有简单的结构、低的操作电压、高速的切换速度和长时间的保持信息的能力， 是目前非挥发性存储器研究的热点。RRAM工作的关键技术就是电致电阻效应，即在外加电压脉冲下可以改变RRAM 的记录介质的电阻状态。目前，在钙钛矿氧化物(如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器，其特征在于：绝缘基底（１０１）层为第一层，下电极（１０２）为第二层，铁酸铋薄膜（１０３）为第三层，上电极（１０４）为第四层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李润伟，尹奎波，刘宜伟，李蜜，陈斌，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]