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本发明涉及到一种基于铁酸铋薄膜体系的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘基底（１０１）层为第一层，下电极（１０２）为第二层，铁酸铋薄膜（１０３）为第三层，上电极（１０４）为第四层；其制备方法采用热蒸发或磁控溅射的方法在绝缘基底层上...该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。
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