【技术实现步骤摘要】
铁电场效应晶体管、神经网络装置和电子装置
[0001]本公开涉及具有各种曲率的电极结构的铁电场效应晶体管、具有各种曲率的电极结构的神经网络装置以及包括神经网络装置的电子装置。
技术介绍
[0002]对执行神经网络运算的神经形态处理器的兴趣日益增加。神经形态处理器可以用作神经网络装置(其用于驱动各种神经网络,诸如卷积神经网络(CNN)、递归神经网络(RNN)和前馈神经网络(FNN)),并可以用于包括数据分类、图像识别、自主控制、语音转文本等的领域中。
[0003]神经形态处理器可以包括(或连接到)用于存储权重的多个存储单元。存储单元可以由各种器件实现,并且最近,已经提出具有简单结构的非易失性存储器作为用于神经形态处理器的存储单元,以便减小存储单元的面积和功耗。
技术实现思路
[0004]提供一种对施加的电压具有线性响应特性的铁电场效应晶体管。
[0005]提供一种神经网络装置,其包括对施加的电压具有线性响应特性的突触元件。
[0006]此外,提供一种包括神经网络装置的电子装置。
[0007]附加的方面将部分地在以下描述中阐述,部分地将从该描述变得明显,或者可以通过实施本公开的所呈现的实施方式而获知。
[0008]根据一实施方式的一种铁电场效应晶体管包括:基板;源极,在第一方向上从基板的上表面突出;漏极,在第一方向上从基板的上表面突出;沟道,与基板的上表面间隔开并在不同于第一方向的第二方向上在源极和漏极之间延伸并且连接到源极和漏极;铁电膜,围绕沟道的外周表面;以及栅 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种铁电场效应晶体管,包括:基板;源极,在第一方向上从所述基板的上表面突出;漏极,在所述第一方向上从所述基板的所述上表面突出;沟道,与所述基板的所述上表面间隔开并在不同于所述第一方向的第二方向上在所述源极和所述漏极之间延伸并且连接到所述源极和所述漏极;铁电膜,围绕所述沟道的外表面;以及栅电极,围绕所述铁电膜,其中所述沟道具有拥有多个不同的曲率的弯曲的剖面。2.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管,其中所述沟道具有椭圆柱形状,所述椭圆柱形状在不同于所述第一方向和所述第二方向的方位角方向上具有连续变化的半径。3.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管,其中所述沟道具有逐渐变窄的形状。4.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管,其中所述沟道包括具有第一半径的第一沟道,以及具有不同于所述第一半径的第二半径的第二沟道。5.根据权利要求4所述的铁电场效应晶体管,其中所述铁电膜包括围绕所述第一沟道的外周表面的第一铁电膜,以及围绕所述第二沟道的外周表面的第二铁电膜,以及所述栅电极围绕所述第一铁电膜和所述第二铁电膜两者。6.根据权利要求5所述的铁电场效应晶体管,其中所述沟道还包括具有不同于所述第一半径和所述第二半径的第三半径的第三沟道,所述铁电膜还包括围绕所述第三沟道的外周表面的第三铁电膜,以及所述栅电极围绕所述第一铁电膜、所述第二铁电膜和所述第三铁电膜。7.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管,其中所述铁电膜的厚度与所述沟道的半径的比率大于0且小于或等于2。8.根据权利要求1所述的铁电场效应晶体管,其中所述铁电膜包括以下中的至少一种:MgZnO、AlScN、BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O3、SrBiTaO7、聚偏二氟乙烯(PVDF)、以及Si、Al、Hf和Zr中的至少一种的氧化物,以及其中Si、Al、Hf和Zr中的至少一种的所述氧化物包括掺杂剂,所述掺杂剂包括Si、Al、Y、La、Gd、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、Zr、Hf、N中的至少一种。9.一种神经网络装置,包括:多条字线;多条位线,与所述多条字线交叉;以及多个突触元件,在所述多条字线和所述多条位线之间的交叉点处,所述多个突触元件中的每个电连接到所述多条字线中的相应字线和所述多条位线中的相应位线,其中所述多个突触元件中的每个包括内柱、围绕所述内柱的外周表面的铁电膜以及围绕所述铁电膜的外周表面的外电极,以及所述内柱具有多个不同的曲率。
10.根据权利要求9所述的神经网络装置,其中所述内柱包括:具有第一半径的第一元件;以及具有不同于所述第一半径的第二半径的第二元件,以及所述第一元件和所述第二元件并联连接。11.根据权利要求9所述的神经网络装置,其中所述多个突触元件中的每个还包括存取晶体管,所述内柱或所述外电极中的一个电连接到所述存取晶体管的漏极,所述存取晶体管的栅极电连接到所述相应字线,所述存取晶体管的源极电连接到所述相应位线,以及所述神经网络装置还包括输出电路,所述输出电路配置为输出从所述多条位线接收的信号。12.根据权利要求9所述的神经网络装置,其中...
【专利技术属性】
技术研发人员:文泰欢,崔悳铉,许镇盛,李泫宰,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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