【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及其制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是一种半导体装置以及其制造方法。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(dynamic random access memory，以下简称为DRAM)为一种挥发性(volatile)存储器，是许多电子产品中不可或缺的关键元件。DRAM由数目庞大的存储单元(memory cell)聚集形成一阵列区，用来储存资料，而每一存储单元可由金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，以下简称为MOS)晶体管与电容(capacitor)串联组成。
[0003]存储单元的MOS晶体管结构因产品需求和/或存储单元密度等考量而有许多不同的结构设计，故存储单元的MOS晶体管结构可能与同一芯片上其他区域的晶体管结构不同，进而造成制造工艺的复杂度提高。因此，如何有效地整合存储单元与其他区域中各元件的制造工艺对于相关业界来说是非常重要的课题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种半导体装置以及其制造方法，借此改善接触结构与堆叠结构之间的电连接状况，从而提高半导体装置的制造合格率。
[0005]本专利技术一实施例提供一种半导体装置，其包括半导体衬底、第一堆叠结构以及接触结构。半导体衬底具有单元区以及周围区，且半导体衬底包括至少一被绝缘结构所隔离的鳍状结构。第一堆叠结构设置在半导体衬底中，且第一堆叠结构跨过鳍状结构沿水平方向延伸且设置在单元区与周围区中。第一堆叠结构包括导电层、盖层以及介电盖层。导电层包括第一部分...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，具有单元区以及周围区，其中该半导体衬底包括至少一被绝缘结构所隔离的鳍状结构；第一堆叠结构，设置在该半导体衬底中，其中该第一堆叠结构跨过该鳍状结构沿水平方向延伸且设置在该单元区与该周围区中，且该第一堆叠结构包括：导电层，包括：第一部分位于该单元区中；以及第二部分位于该周围区中；盖层，设置在该导电层上；以及介电盖层，设置在该盖层与该导电层上，其中该介电盖层接触该导电层的该第二部分的上表面；以及接触结构，直接接触该导电层且与该第一堆叠结构电连接。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层的该第二部分的该上表面的至少一部分没有被该盖层覆盖。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该盖层的侧壁在该水平方向上面向该接触结构，且该盖层的该侧壁与该接触结构互相分离。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该盖层部分位于该导电层的该第一部分上且部分位于该导电层的该第二部分上，且该盖层的该侧壁位于该导电层的该第二部分之上。5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该盖层的该侧壁位于该单元区以及该周围区之间的交界处。6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该盖层的该侧壁位于该单元区中。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该盖层的侧壁在该水平方向上面向该接触结构，且该接触结构直接接触该盖层的该侧壁。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该接触结构还直接接触该盖层，该接触结构的第一底表面在该水平方向上位于该盖层与该接触结构的第二底表面之间，且该第二底表面在垂直方向上低于该第一底表面。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电盖层直接接触该导电层的上表面与该盖层的上表面。10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第二堆叠结构，设置在该半导体衬底之上，其中该第二堆叠结构位于该单元区上，该第二堆叠结构与该单元区以及该周围区之间的交界处相邻设置，且该盖层的侧壁与该接触结构之间在该水平方向上的距离小于该第二堆叠结构与该接触结构之间在该水平方向上的距离。11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该导电层包括金属导电材料，且该盖层包括经掺杂的多晶硅或未掺杂的多晶硅。12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：遮罩层，设置在该第一堆叠结构上，其中该遮罩层部分位于该周围区上，且该接触结构贯穿该遮罩层。
13.如权利要求1所述的半导体装置，...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖惠先，冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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