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本发明公开了一种半导体装置以及其制造方法。半导体装置包括半导体衬底、第一堆叠结构以及接触结构。半导体衬底具有单元区以及周围区，且半导体衬底包括至少一被绝缘结构所隔离的鳍状结构。第一堆叠结构设置在半导体衬底中，且第一堆叠结构跨过鳍状结构沿水平...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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