【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件及其制作方法，尤其是涉及一种包括延伸垫的半导体器件及其制作方法。
技术介绍
1、随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存储器(dynamic randomaccess memory,dram)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式闸极结构的dram单元而言，由于其可以在相同的半导体衬底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面闸极结构的dram单元。一般来说，具备凹入式闸极结构的dram单元会包括一晶体管组件与一电荷存储器件，以接收来自位线及字线的电压信号。然而，受限于工艺技术的缘故，现有具备凹入式闸极结构的dram单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器器件的效能及可靠度。
技术实现思路
1、本专利技术目的之一在于提供一种半导体器件，通过设置长度延伸的特定延伸垫，使得半导体器件可具有较为优化的组件可靠度并达到优良的操作表现。
2、本专利技术目的之一在于提供一种半导体器件的制作方法，通过设置额外的阻挡图案延长特定延伸垫的延伸长度。如此，半导体器件的制作方法有利于制作组件可靠度较为优化的半导体器件并达到优良的操作表现。
3、为了实现上述目的，本专利技术的一个实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、多个插塞以及存储节点焊盘结构。插塞设置在所述衬底上。存储节点焊盘结构设置在所述衬底上，包括多个第一延伸垫、边界延伸垫、多个第二延伸垫以
4、为了实现上述目的，本专利技术的一个实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括以下步骤。提供衬底，在所述衬底上形成多个插塞。在所述衬底上形成存储节点焊盘结构。所述存储节点焊盘结构包括多个第一延伸垫、边界延伸垫、多个第二延伸垫以及多个第三延伸垫。第一延伸垫相互分隔地排列成一阵列，各所述第一延伸垫电性连接各所述插塞。边界延伸垫设置在所述第一延伸垫的外侧。第二延伸垫设置在所述边界延伸垫与所述第一延伸垫之间。第三延伸垫设置在所述边界延伸垫与所述第一延伸垫之间。各所述第二延伸垫的端部到所述边界延伸垫的最近侧边的最大距离等于各所述第三延伸垫的端部到所述边界延伸垫的所述最近侧边的最大距离，其中，各所述第二延伸垫的短边与所述边界延伸垫之间具有小于90度的第一夹角，各所述第三延伸垫的短边与所述边界延伸垫之间具有小于90度的第二夹角。
5、整体来说，本专利技术的半导体器件及其制作方法是通过形成额外的阻挡图案延长特定延伸垫的延伸长度，使得存储区内的各延伸垫得以具有完整的轮廓。如此，本专利技术的半导体器件可具有较为优化的组件可靠度并达到优良的操作表现。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一夹角不等于所述第二夹角。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第三延伸垫的侧壁粗糙度大于各所述第二延伸垫的侧壁粗糙度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫不接触所述边界延伸垫，所述第三延伸垫物理性接触所述边界延伸垫，各所述第三延伸垫与各所述第二延伸垫在第二方向上交替排列。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，各所述第二延伸垫在第一方向上的长度小于各所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫、所述第三延伸垫皆物理性接触所述边界延伸垫，各所述第二延伸垫在第一方向上的长度大于各所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，各所述第三延伸垫与各所述第二延伸垫在第二方向上交替排列。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，，所述第三延伸垫在第二方向上的
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三延伸垫的所述短边与所述第二延伸垫的所述短边分别切齐邻近的所述第一延伸垫的侧边。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫的所述短边邻接所述第一延伸垫。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述边界延伸垫包括朝着第二方向延伸的至少一第一边缘，各所述第三延伸垫物理性接触所述至少一第一边缘。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：
13.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
14.根据权利要求13所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，存储节点焊盘结构的形成还包括：
15.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡图案的宽度大于所述一个所述第一掩模图案的宽度。
16.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡图案完全重叠一个所述第一掩模图案及一个所述第二掩模图案，且所述一个所述第二掩模图案物理性接触所述第三掩模图案。
17.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡图案部分重叠一个所述第一掩模图案且完全重叠一个所述第二掩模图案，且所述一个所述第二掩模图案物理性接触所述第三掩模图案。
18.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡图案完全重叠一个所述第一掩模图案及一个所述第二掩模图案，且所述一个所述第二掩模图案不接触所述第三掩模图案。
19.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一阻挡图案部分重叠一个所述第一掩模图案且完全重叠一个所述第二掩模图案，且所述一个所述第二掩模图案不接触所述第三掩模图案。
20.根据权利要求14所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一夹角不等于所述第二夹角。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各所述第三延伸垫的侧壁粗糙度大于各所述第二延伸垫的侧壁粗糙度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫不接触所述边界延伸垫，所述第三延伸垫物理性接触所述边界延伸垫，各所述第三延伸垫与各所述第二延伸垫在第二方向上交替排列。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，各所述第二延伸垫在第一方向上的长度小于各所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫、所述第三延伸垫皆物理性接触所述边界延伸垫，各所述第二延伸垫在第一方向上的长度大于各所述第三延伸垫在所述第一方向的长度。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，各所述第三延伸垫与各所述第二延伸垫在第二方向上交替排列。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，，所述第三延伸垫在第二方向上的宽度大于所述第二延伸垫在第二方向上的宽度。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三延伸垫的所述短边与所述第二延伸垫的所述短边分别切齐邻近的所述第一延伸垫的侧边。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二延伸垫的所述短边邻接所述第一延伸垫。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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