【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子芯片，具体而言，涉及一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片。
技术介绍
1、在半导体器件的制备中，剥离工艺(l ift-off)是比较容易实现金属线路的一种简单工艺，但是随着器件设计的复杂程度的增加和线宽的减小，剥离工艺(l ift-off)的效率也逐渐降低。特别是在大尺寸范围内形成小线宽的结构，通常需要花费几个小时进行金属剥离。为了提高剥离工艺(l ift-off)效率并得到边缘更干净的金属膜，通常需要两层对电子束敏感程度不同的胶，以曝光形成切口(undercut)形貌。通常切口(undercut)结构占比越多，剥离工艺(l ift-off)的效率越快。因此可以通过在集成电路芯片上的特定功能模块(chip)外增加虚拟图案(dummy pattern)形成更多切口(undercut)结构。
2、现有技术中存在如下问题：直接形成的虚拟图案(dummy pattern)会暴露出基础层(base layer)，以致沉积的金属膜直接接触基础层(base layer)形成残留的金属，挤占了集成电路芯片上的特定功能模块(ch
【技术保护点】
1.一种沉淀金属薄膜的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述中间胶层的表面上沉积所述目标金属薄膜，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成所述中间胶层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行两次旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成具有两个胶层的所述中间胶层，其中，两个所述胶层的组成成分不同。
5.根据权利要求3所述...
【技术特征摘要】
1.一种沉淀金属薄膜的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述中间胶层的表面上沉积所述目标金属薄膜，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成所述中间胶层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行两次旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成具有两个胶层的所述中间胶层，其中，两个所述胶层的组成成分不同。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹慧娟，王翡，祝莎莎，马璐，
申请(专利权)人：阿里巴巴达摩院杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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