【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及量子芯片，具体而言，涉及一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片。
技术介绍
1、在半导体器件的制备中，剥离工艺(l ift-off)是比较容易实现金属线路的一种简单工艺，但是随着器件设计的复杂程度的增加和线宽的减小，剥离工艺(l ift-off)的效率也逐渐降低。特别是在大尺寸范围内形成小线宽的结构，通常需要花费几个小时进行金属剥离。为了提高剥离工艺(l ift-off)效率并得到边缘更干净的金属膜，通常需要两层对电子束敏感程度不同的胶，以曝光形成切口(undercut)形貌。通常切口(undercut)结构占比越多，剥离工艺(l ift-off)的效率越快。因此可以通过在集成电路芯片上的特定功能模块(chip)外增加虚拟图案(dummy pattern)形成更多切口(undercut)结构。
2、现有技术中存在如下问题：直接形成的虚拟图案(dummy pattern)会暴露出基础层(base layer)，以致沉积的金属膜直接接触基础层(base layer)形成残留的金属，挤占了集成电路芯片上的特定功能模块(chip)的空间。
3、针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片，以至少解决由于现有技术中直接形成的虚拟图案(dummy pattern)会暴露出基础层(base layer)，造成的沉积的金属膜直接接触基础层(base layer)形成残留金属，造成残留的金属挤占集成
2、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种沉淀金属薄膜的方法，包括：在基底上沉积半导体薄膜，基于目标基础图案对沉积的半导体薄膜进行刻蚀，获得具有目标基础图案的基础层，其中，目标基础图案中包括具有结结构区域和非结结构区域；对基础层进行旋涂作业，以在目标基础图案的表面形成有预设厚度的负胶；采用曝光显影工艺对非结结构区域的负胶进行处理，以在非结结构区域形成负胶柱层；对具有负胶柱层的基础层进行旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成中间胶层后，对结结构区域进行电子束曝光和显影，之后在中间胶层的表面上沉积目标金属薄膜，其中，中间胶层的厚度小于负胶柱层的厚度；采用目标溶剂对负胶柱层进行溶解，以将形成在负胶柱层上方的目标金属薄膜与基础层之间完全脱离。
3、进一步地，在中间胶层的表面上沉积目标金属薄膜，包括：在基础层具有中间胶层的一侧沉积目标金属薄膜，以使部分的目标金属薄膜形成在负胶柱层两侧的中间胶层表面上，另一部的目标金属薄膜通过中间胶层形成在负胶柱层的上方，且位于负胶柱层两侧的中间胶层的目标金属薄膜与位于负胶柱层上方的目标金属薄膜处于分离状态。
4、进一步地，对具有负胶柱层的基础层进行旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成中间胶层，包括：对具有负胶柱层的基础层进行多次旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成多个胶层的中间胶层。
5、进一步地，对具有负胶柱层的基础层进行两次旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成具有两个胶层的中间胶层，其中，两个胶层的组成成分不同。
6、进一步地，对具有负胶柱层的基础层进行旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成中间胶层，包括：采用el9胶对具有负胶柱层的基础层进行第一次旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成中间胶层中的el9胶层；采用pmmaa7胶在el9胶层的表面进行第二次旋涂作业，以在el9胶层表面上形成中间胶层中的pmmaa7胶层。
7、进一步地，在中间胶层的表面上沉积目标金属薄膜，包括：在位于负胶柱层两侧的中间胶层表面上沉积的目标金属薄膜顶面的高度，小于位于负胶柱层上方沉积的目标金属薄膜底部的高度。
8、进一步地，方法包括：在第一次旋涂作业中，el9胶层的厚度位于300纳米至800纳米之间，和/或，在第二次旋涂作业中，pmmaa7胶层的厚度位于500纳米至900纳米之间。
9、进一步地，采用曝光显影工艺对非结结构区域的负胶进行处理，以在非结结构区域形成负胶柱层，包括：在非结结构区域采用紫外光或激光直写和显影，以形成负胶柱层。
10、进一步地，采用曝光显影工艺对基础层上的负胶进行处理，以在非结结构区域形成负胶柱层，包括：在显影过程中，对位于非结结构区域的负胶进行显影作业，以在非结结构区域形成两端宽中间窄的负胶柱层，或者形成的负胶柱层朝向基础层一侧端部的宽度，小于远离基础层一侧端部的宽度。
11、根据本专利技术的另一方面，提供了一种量子芯片，量子芯片采用上述的沉淀金属薄膜的方法加工获得。
12、应用本专利技术的技术方案，在基底上沉积半导体薄膜，基于目标基础图案对沉积的半导体薄膜进行刻蚀，获得具有目标基础图案的基础层，其中，目标基础图案中包括具有结结构区域和非结结构区域，通过在非结结构区域旋涂、曝光显影，形成负胶柱层，在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成中间胶层后，对结结构区域进行电子束曝光和显影，之后在中间胶层的表面上沉积目标金属薄膜，并将中间胶层厚度涂覆成小于负胶柱层厚度，最后采用目标溶剂对负胶柱层进行溶解后，实现了形成在负胶柱层上方的目标金属薄膜与基础层之间完全脱离的技术效果，解决了现有技术中直接形成的虚拟图案(dummypattern)会暴露出基础层(base layer)，以致沉积的金属膜直接接触基础层(base layer)后形成残留金属的问题。而且采用本申请的沉淀金属薄膜的方法加工获得的量子芯片，有效地避免了量子芯片功能区被挤占的问题，有效地提高了量子芯片的使用效率和性能。
13、容易注意到的是，上面的通用描述和后面的详细描述仅仅是为了对本申请进行举例和解释，并不构成对本申请的限定。
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1.一种沉淀金属薄膜的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述中间胶层的表面上沉积所述目标金属薄膜，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成所述中间胶层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行两次旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成具有两个胶层的所述中间胶层，其中，两个所述胶层的组成成分不同。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成所述中间胶层，包括：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在所述中间胶层的表面上沉积所述目标金属薄膜，包括：
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用曝光显影工艺对所述非结结构区域的负胶进
9.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，采用曝光显影工艺对所述基础层上的负胶进行处理，以在所述非结结构区域形成所述负胶柱层，包括：
10.一种量子芯片，其特征在于，所述量子芯片采用权利要求1至9中任一项所述的沉淀金属薄膜的方法加工获得。
...【技术特征摘要】
1.一种沉淀金属薄膜的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述中间胶层的表面上沉积所述目标金属薄膜，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成所述中间胶层，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行两次旋涂作业，以在所述结结构区域的表面和所述负胶柱层的表面上形成具有两个胶层的所述中间胶层，其中，两个所述胶层的组成成分不同。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对具有所述负胶柱层的所述基础层进行旋涂作业，以在所述结结构区域的...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹慧娟，王翡，祝莎莎，马璐，
申请(专利权)人：阿里巴巴达摩院杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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