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本申请公开了一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片。该方法是在基底上沉积半导体薄膜，基于目标基础图案对沉积的半导体薄膜进行刻蚀，获得基础层；对基础层进行旋涂作业，以形成有预设厚度的负胶；对负胶进行紫外曝光或激光直写、显影，以在非结结构区域形成负胶...
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