【技术实现步骤摘要】
本公开涉及显示，特别是涉及一种阵列基板以及显示基板。
技术介绍
1、有机电致发光显示器件(organic light emitting diode，简称oled)因具有自发光、亮度高、对比度高、响应速度快、视角宽、结构简单以及柔性显示等诸多优点，其因优异的性能吸引了高校和企业的青睐，获得飞速的发展，并广泛应用于显示产品中。
2、其中，在制备oled器件时，可以采用喷墨打印技术形成器件中的有机发光层，喷墨打印是指向待打印的像素区中喷射墨滴，通过墨滴的流淌并干燥后形成像素，从而形成有机发光层，但是，喷墨打印中因单颗像素累计量补偿效果欠佳，导致面板较易出现宏观mura。
技术实现思路
1、基于
技术介绍
的内容，本公开提出了一种阵列基板以及显示基板。
2、一种阵列基板，包括：多个像素区，在相邻两个像素区之间设置有导流结构，所述导流结构包括：
3、第一膜层，为不透明的亲水材料；
4、第二膜层，为疏水材料，与所述第一膜层同层并靠近所述像素区设置，所述第二膜层与所述第一膜层邻接；其中，所述第二膜层在所述阵列基板上的正投影，与所述第一膜层在所述阵列基板上的正投影无交叠；
5、其中，在所述相邻两个像素区中一个像素区指向另一像素区的第一方向上，所述第一膜层和/或所述第二膜层为宽窄相间的形貌。
6、示例性地，所述阵列基板还包括：
7、驱动基板，所述驱动基板上设置有驱动电路；
8、电极层，位于所述驱动基板靠近所述
9、其中，所述像素区为所述电极中未被所述第一膜层覆盖的区域。
10、示例性地，所述第一膜层和所述第二膜层设置在所述电极背离所述驱动基板的一侧，所述电极在所述驱动基板上的正投影与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影均有交叠；
11、其中，所述第二膜层为透明的疏水材料。
12、示例性地，所述电极在所述驱动基板上的正投影，与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影重合。
13、示例性地，所述电极、所述第一膜层和所述第二膜层同层设置；其中，所述电极在所述驱动基板上的正投影与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影无交叠。
14、示例性地，阵列基板还包括：
15、第三膜层，为透明的疏水材料，与所述第二膜层邻接，所述第三膜层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述像素区，且与所述第一膜层和所述第二膜层在所述阵列基板上的正投影无交叠；
16、其中，所述第三膜层在所述第一方向正交的第二方向上的尺寸大于所述第二膜层在所述第二方向上的尺寸。
17、示例性地，所述第三膜层远离所述驱动基板的一侧与所述第二膜层远离所述驱动基板的一侧齐平。
18、示例性地，在所述阵列基板的法线方向上，所述第二膜层在所述阵列基板上的高度大于所述第一膜层在所述阵列基板上的高度。
19、示例性地，所述第一膜层的厚度为0.4μm～0.6μm。
20、示例性地，所述第二膜层的厚度与所述第一膜层的厚度之差为0.8μm～1.2μm。
21、示例性地，所述第一膜层和/或所述第二膜层中，较宽的第一区段在所述第一方向正交的第二方向上的尺寸为15～20μm。
22、示例性地，包括多个所述第一区段，其中，相邻两个所述第一区段之间的距离为8μm～12μm。
23、示例性地，所述第一膜层和/或所述第二膜层中，较窄的第二区段在所述第二方向上的尺寸为5μm～10μm。
24、示例性地，所述第一区段在所述阵列基板上的正投影的边缘为弧形。
25、其中，还提供一种显示基板，包括任一示例所述的阵列基板，以及位于所述阵列基板上的发光层；其中，所述发光层与所述导流结构位于同侧.
26、采用本公开提供的阵列基板，包括多个像素区，在相邻两个像素区之间设置有导流结构，导流结构包括第一膜层和第二膜层，其中，第一膜层为不透明的亲水材料制成；第二膜层为透明的疏水材料制成，且与第一膜层同层设置并与第一膜层邻接；其中，第二膜层在阵列基板上的正投影，与第一膜层在阵列基板上的正投影无交叠，并且在相邻两个像素区中一个像素区指向另一像素区的第一方向上，第一膜层和/或第二膜层为宽窄相间的形貌。采用该阵列基板进行喷墨打印形成像素时，位于一个像素区中的墨滴可以通过导流结构流向另一像素区中，由此，可以使得同种像素间墨水互相流通达到一定的流平效果；并且由于第一膜层和/或第二膜层设计为宽窄相间的形貌，这样，墨滴在流淌过程中依次通过窄区和宽区，由此加强相邻像素间墨滴的导流，从而改善墨滴流淌效果，避免因流平效果不好而出现的宏观mura的问题。
27、上述说明仅是本公开技术方案的概述，为了能够更清楚了解本公开的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本公开的具体实施方式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多个像素区，在相邻两个像素区之间设置有导流结构，所述导流结构包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层设置在所述电极背离所述驱动基板的一侧，所述电极在所述驱动基板上的正投影与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影均有交叠；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述电极在所述驱动基板上的正投影，与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影重合。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电极、所述第一膜层和所述第二膜层同层设置；其中，所述电极在所述驱动基板上的正投影与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影无交叠。
6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第三膜层远离所述驱动基板的一侧与所述第二膜层远离所述驱动基板的一侧齐平。
8.根据权利
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层的厚度为0.4μm～0.6μm。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层的厚度与所述第一膜层的厚度之差为0.8μm～1.2μm。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层和/或所述第二膜层中，较宽的第一区段在所述第一方向正交的第二方向上的尺寸为15～20μm。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，包括多个所述第一区段，其中，相邻两个所述第一区段之间的距离为8μm～12μm。
13.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层和/或所述第二膜层中，较窄的第二区段在所述第二方向上的尺寸为5μm～10μm。
14.根据权利要求11-13任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区段在所述阵列基板上的正投影的边缘为弧形。
15.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1-14任一所述的阵列基板，以及位于所述阵列基板上的发光层；其中，所述发光层与所述导流结构位于同侧。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：多个像素区，在相邻两个像素区之间设置有导流结构，所述导流结构包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层和所述第二膜层设置在所述电极背离所述驱动基板的一侧，所述电极在所述驱动基板上的正投影与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影均有交叠；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述电极在所述驱动基板上的正投影，与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影重合。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电极、所述第一膜层和所述第二膜层同层设置；其中，所述电极在所述驱动基板上的正投影与所述第一膜层和所述第二膜层在所述驱动基板上的正投影无交叠。
6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第三膜层远离所述驱动基板的一侧与所述第二膜层远离所述驱动基板的一侧齐平。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述阵列基板的法线方向上...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文同，王辉锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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