一种晶圆清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆清洗装置，应用于半导体制备领域，包括：清洗槽体及位于清洗槽体内的循环管、匀流板和固定块；循环管用于向清洗槽体内注入清洗液；固定块用于在清洗槽体内对承载有晶圆的晶圆盒进行限位；匀流板设置在循环管和固定块之间，且匀流板开有供清洗液通过的多个通孔。本实用新型专利技术通过在循环管和固定块之间增设匀流板，能够使向上流动的清洗液被均匀缓冲，避免了由于循环管中不同管孔距离进液口的间距不同，导致的出液压力不同，进而导致的晶圆不同位置的表面蚀刻率存在差异的问题，使得晶圆的表面蚀刻更均匀。使得晶圆的表面蚀刻更均匀。使得晶圆的表面蚀刻更均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆清洗装置


[0001]本技术涉及半导体制备领域，特别涉及一种晶圆清洗装置。

技术介绍

[0002]在对晶圆进行清洗的相关技术中，一般利用氢氟溶液等清洗液对晶圆表面进行刻蚀，但氢氟溶液对晶圆表面进行刻蚀的速率较快，会产生微气泡附着在晶圆表面形成水痕，因此需要保证氢氟溶液匀流上升，以使晶圆表面蚀刻均匀。目前主要采用将输送清洗液的循环管设置于清洗槽体的底部，并设置循环管的管孔朝下的方式。这种方式虽然一定程度上使清洗液的进液速率平稳，但由于不同管孔的出液压力与距离进液口的间距相关，会导致晶圆不同位置的表面蚀刻率存在差异。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本技术的目的在于提供一种晶圆清洗装置，解决了现有技术中由于不同管孔的出液压力与距离进液口的间距相关，会导致晶圆不同位置的表面蚀刻率存在差异的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种晶圆清洗装置，包括：
[0005]清洗槽体及位于所述清洗槽体内的循环管、匀流板和固定块；
[0006]所述循环管用于向所述清洗槽体内注入清洗液；
[0007]所述固定块用于在所述清洗槽体内对承载有晶圆的晶圆盒进行限位；
[0008]所述匀流板设置在所述循环管和所述固定块之间，且所述匀流板开有供清洗液通过的多个通孔。
[0009]可选的，所述通孔朝下的一侧开有倒角。
[0010]可选的，所述多个通孔的区域至少覆盖晶圆放置区域。
[0011]可选的，在所述设置所述多个通孔的区域的四周，增设有预留通孔。
[0012]可选的，覆盖晶圆放置区域的所述多个通孔呈矩阵排列。
[0013]可选的，所述循环管上设置有两排管孔，两排管孔朝向背离晶圆的方向注入清洗液。
[0014]可选的，两排所述管孔的开口方向呈90度设置。
[0015]可选的，所述匀流板通过支撑块设置在所述循环管的上侧；所述支撑块设置在所述清洗槽体的底部。
[0016]可选的，所述支撑块通过设置在所述匀流板上的第二固定孔，连接在所述匀流板的下表面。
[0017]可选的，所述匀流板中开有供浮球液位计通过的预留缺口。
[0018]可见，本技术提供的晶圆清洗装置，包括清洗槽体及位于清洗槽体内的循环管、匀流板和固定块；循环管用于向清洗槽体内注入清洗液；固定块用于在清洗槽体内对承载有晶圆的晶圆盒进行限位；匀流板设置在循环管和固定块之间，且匀流板开有供清洗液
通过的多个通孔。本技术通过在循环管和固定块之间增设匀流板，能够使向上流动的清洗液被均匀缓冲，避免了由于循环管中不同管孔距离进液口的间距不同，导致的出液压力不同，进而导致的晶圆不同位置的表面蚀刻率存在差异的问题，使得晶圆的表面蚀刻更均匀。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术实施例提供的一种晶圆清洗装置的结构示意图；
[0021]图2为本技术实施例提供的一种晶圆清洗装置中匀流板的结构示意图；
[0022]图3为本技术实施例提供的一种晶圆清洗装置的相对位置结构示意图；
[0023]图4为本技术实施例提供的另一种晶圆清洗装置中匀流板的结构示意图；
[0024]图5为本技术实施例提供的一种晶圆清洗装置中循环管的截面示意图；
[0025]附图1
‑
4中，附图标记说明如下：
[0026]10
‑
清洗槽体；
[0027]20
‑
循环管；
[0028]30
‑
匀流板，31
‑
支撑块，32
‑
预留缺口；
[0029]40
‑
固定块。
具体实施方式
[0030]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]在现有的晶圆清洗装置中，槽体部分主要作用是承载化学液，以及为晶圆清洗提供精准的定位位置。氢氟溶液因为具有强氧化性，对石英有腐蚀性，所以槽体部分的材料一般会选用PTFE(聚四氟乙烯)或PVDF(聚偏氟乙烯)。因为氢氟溶液对晶圆表面蚀刻速率较快，会产生微气泡附着在晶圆表面形成水痕，所以需要尽量保持药液匀流上升，确保表面蚀刻率均匀。为了达到蚀刻均匀的目的，会给槽内设计循环管，使流量分布到底部四周。目前在晶圆清洗装置中，清洗槽体的主要结构为内外槽体，固定支架，循环管，穿管板和盖板。清洗槽体为主体，穿管板用于固定各进液管，盖板位于清洗槽体上端，用于在清洗时进行封闭；固定支架位于槽内底部，用于安置清洗时需固定晶圆的固定块；循环管位于固定块下侧，管孔朝下，并均匀布置孔位，用于进氢氟溶液。槽内底部循环管进液的设计，可以一定程度上使氢氟溶液进液的速率平稳，溶液匀流上升，但由于管孔出液压力与达到进液口的距离有关，距离越远压力越小，所以前后不同位置管孔处的溶液的流速还是有一定速度差，会影响前后不同位置的表面蚀刻率，进而导致横向差异的存在。
[0032]为解决这一问题，本技术提供了一种晶圆清洗装置，通过在循环管和固定块之间增设匀流板，能够使向上流动的清洗液被均匀缓冲，避免了由于循环管中不同管孔距离进液口的间距不同，导致的出液压力不同，进而导致的晶圆不同位置的表面蚀刻率存在差异的问题，使得晶圆的表面蚀刻更均匀。
[0033]实施例1：
[0034]请参考图1，图1为本技术实施例提供的一种晶圆清洗装置的结构示意图。该装置可以包括：
[0035]清洗槽体10及位于清洗槽体10内的循环管20、匀流板30和固定块40；
[0036]循环管20用于向清洗槽体10内注入清洗液；
[0037]固定块40用于在清洗槽体10内对承载有晶圆的晶圆盒进行限位；
[0038]匀流板30设置在循环管20和固定块40之间，且匀流板30开有供清洗液通过的多个通孔。
[0039]需要进行说明的是，本实施例中循环管20、匀流板30和固定块40，沿预设方向依次设置，例如可以是沿向上的方向依次设置在清洗槽体10中，本实施例中以循环管20、匀流板30和固定块40沿向上的方向，依次设置在清洗槽体10中为例进行说明。本实施例中匀流板30通过开有的多个通孔，对循环管20喷出，并经清洗槽体10底部挡反后向上流动的清洗液进行缓冲作用。固定块40用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：清洗槽体及位于所述清洗槽体内的循环管、匀流板和固定块；所述循环管用于向所述清洗槽体内注入清洗液；所述固定块用于在所述清洗槽体内对承载有晶圆的晶圆盒进行限位；所述匀流板设置在所述循环管和所述固定块之间，且所述匀流板开有供清洗液通过的多个通孔。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述通孔朝下的一侧开有倒角。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述多个通孔的区域至少覆盖晶圆放置区域。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，在所述设置所述多个通孔的区域的四周，增设有预留通孔。5.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴雨生，季恺，刘大威，
申请(专利权)人：江苏启微半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：