去胶机台及其使用方法技术

本发明专利技术提供一种去胶机台，包括真空传输腔和多个腔室，每个腔室与真空传输腔连接；腔室和真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构，控压机构分别用于调节腔室、真空传输腔中的气压值；腔室和真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器，第一、二气压器分别用于获取腔室、真空传输腔中的气压值；控制器，控制器用于接收第一、二气压传感器的电信号，其用于在腔室完成测试作业后启动第一控压机构使得腔室与真空传输腔中的气压差减小至设置值。本发明专利技术在腔室测试作业完成后，通过减少腔室与真空传输腔中的气压差，腔室作业环境与真空传输区域的压力平衡，降低压差将腔室累积的颗粒物吹散到低压区域的表面，降低晶圆表面形成缺陷的概率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
去胶机台及其使用方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种去胶机台及其使用方法。

技术介绍

[0002]随着半导体晶圆从尺寸逐渐增大，而晶圆工艺从宽线宽向小线宽45/40nm甚至28/20nm升级，晶圆对良率的要求越来越高。
[0003]去胶机台在测完漏率后后，压力会抽到底压，真空传输区域(VTM)没有控压装置，会保持底压状态直至开始作业晶圆。腔室压力会在晶圆作业时升至指定压力，此时腔室和真空传输区域存在压差，在腔室门打开的瞬间，腔室内因作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到低压处等待测试作业的晶圆表面，形成颗粒缺陷。
[0004]为解决上述问题，需要提供出一种新型的去胶机台及其使用方法，以改善颗粒缺陷。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种去胶机台及其使用方法，用于解决现有技术中腔室和真空传输区域存在压差，在腔室门打开的瞬间，腔室内因作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到低压处等待测试作业的晶圆表面，形成颗粒缺陷的问题。
[0006]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种去胶机台，包括：
[0007]真空传输腔和多个腔室，每个所述腔室与所述真空传输腔连接；
[0008]所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构，所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值；
[0009]所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器，所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值；
[0010]控制器，所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号，其用于在所述腔室完成测试作业后启动所述第一控压机构使得所述腔室与所述真空传输腔中的气压差减小至设置值。
[0011]优选地，所述第一控压机构包括第一管路，所述第一管路的一端与所述腔室连通，所述第一管路的另一端与第一气压泵连接，所述第一管路上设置有第一阀门。
[0012]优选地，所述第二控压机构包括第二管路，所述第二管路的一端与所述腔室连通，所述第二管路的另一端与第二气压泵连接，所述第二管路上设置有第二阀门。
[0013]优选地，所述腔室与所述真空传输腔间设置有密封腔门。
[0014]优选地，所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂，所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。
[0015]本专利技术提供一种去胶机台的使用方法，包括：
[0016]步骤一、提供去胶机台，所述去胶机台中设置有真空传输腔和多个腔室，每个所述
腔室与所述真空传输腔连接，至少一个所述腔室中设置有带光刻胶的晶圆；
[0017]所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构，所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值；
[0018]所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器，所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值；
[0019]控制器，所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号；
[0020]步骤二、利用所述第二控压机构将所述真空传输腔中的气压调整为第一气压值，之后在所述腔室中完成测试作业；
[0021]步骤三、利用所述第一控压机构将所述腔室中的气压调整为第二气压值，使得所述第一、二气压值的差值为设置值，之后打开所述腔室与所述真空传输腔间的密封腔门。
[0022]优选地，步骤一中的所述第一控压机构包括第一管路，所述第一管路的一端与所述腔室连通，所述第一管路的另一端与第一气压泵连接，所述第一管路上设置有第一阀门。
[0023]优选地，步骤一中的所述第二控压机构包括第二管路，所述第二管路的一端与所述腔室连通，所述第二管路的另一端与第二气压泵连接，所述第二管路上设置有第二阀门。
[0024]优选地，步骤一中的所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂，所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。
[0025]优选地，步骤二中的所述测试作业为机台漏率测试。
[0026]如上所述，本专利技术的去胶机台及其使用方法，具有以下有益效果：
[0027]本专利技术在腔室测试作业完成后，通过减少腔室与真空传输腔中的气压差，腔室作业环境与真空传输区域的压力平衡，降低压差将腔室累积的颗粒物吹散到低压区域的表面，降低晶圆表面形成缺陷的概率。
附图说明
[0028]图1显示为本专利技术的去胶机构的部分结构示意图；
[0029]图2显示为本专利技术的第一控压机构结构示意图；
[0030]图3显示为本专利技术的第二控压机构结构示意图；
[0031]图4显示为本专利技术的去胶机台的使用方法示意图。
具体实施方式
[0032]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0033]请参阅图1，本专利技术提供一种去胶机台，包括：
[0034]真空传输腔103和多个腔室102，每个腔室102与真空传输腔103连接；
[0035]在本专利技术的实施例中，腔室102与真空传输腔103间设置有密封腔门，在现有技术中，在腔室102完成测试作业后，由于腔室102和真空传输腔103之间存在压力差，密封腔门打开的瞬间，腔室102内因测试作业带光刻胶晶圆而积累的聚合物会被气流带到等待作业的晶圆表面，形成表面颗粒。
[0036]在本专利技术的实施例中，去胶机台10及其使用方法还包括机械臂，腔室102与真空传输腔103之间利用机械臂移动晶圆。
[0037]腔室102和真空传输腔103中分别设置有第一、二控压机构，控压机构分别调节腔室102、真空传输腔103中的气压值；
[0038]在本专利技术的实施例中，请参阅图2，第一控压机构20包括第一管路202，第一管路202的一端与腔室102连通，第一管路202的另一端与第一气压泵201连接，第一管路202上设置有第一阀门203。需要说明的是，第一控压机构20也可以采用其他类型的结构。
[0039]在本专利技术的实施例中，请参阅图3，第二控压机构30包括第二管路302，第二管路302的一端与腔室102连通，第二管路302的另一端与第二气压泵301连接，第二管路302上设置有第二阀门303。需要说明的是，第二控压机构30也可以采用其他类型的结构。
[0040]第一腔室102和真空传输腔103中分别设置有第一、二气压传感器，第一、二气压器分别用于获取腔室102、真空传输腔103中的气压值；
[0041]控制器，控制器用于接收第一、二气压传感器的电信号，其用于在腔室102完成测试作业后启动第一控压机构20使得腔室102与真空传输腔103中的气压差减小至设置值，即相对于现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去胶机台及其使用方法，其特征在于，包括：真空传输腔和多个腔室，每个所述腔室与所述真空传输腔连接；所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二控压机构，所述控压机构分别用于调节所述腔室、所述真空传输腔中的气压值；所述腔室和所述真空传输腔中分别设置有第一、二气压传感器，所述第一、二气压器分别用于获取所述腔室、所述真空传输腔中的气压值；控制器，所述控制器用于接收所述第一、二气压传感器的电信号，其用于在所述腔室完成测试作业后启动所述第一控压机构使得所述腔室与所述真空传输腔中的气压差减小至设置值。2.根据权利要求1所述的去胶机台及其使用方法，其特征在于：所述第一控压机构包括第一管路，所述第一管路的一端与所述腔室连通，所述第一管路的另一端与第一气压泵连接，所述第一管路与所述腔室间设置有第一阀门。3.根据权利要求1所述的去胶机台及其使用方法，其特征在于：所述第二控压机构包括第二管路，所述第二管路的一端与所述真空传输腔连通，所述第二管路的另一端与第二气压泵连接，所述第二管路与所述真空传输腔间设置有第二阀门。4.根据权利要求1所述的去胶机台及其使用方法，其特征在于：所述腔室与所述真空传输腔间设置有密封腔门。5.根据权利要求1述的去胶机台及其使用方法，其特征在于：所述去胶机台及其使用方法还包括机械臂，所述腔室与所述真空传输腔之间利用所述机械臂移动晶圆。6.根据权利要求1至5仍一项所述的去胶机台及其使用方法的使用方法，其特征在于，包括：步骤一、提供去胶机台，所述去胶机台中设置有真空传输腔和多个腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩聪聪，王创，庄佳奕，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：