刻蚀装置制造方法及图纸

本公开提供了一种刻蚀装置，属于电子制造技术领域。该刻蚀装置包括：反应腔、外延托盘、注液管路和旋转组件；所述外延托盘位于所述反应腔内，所述注液管路的出口端位于所述反应腔内，且所述出口端与所述外延托盘相对，所述注液管路用于注入刻蚀溶液；所述旋转组件位于所述反应腔内，且与所述外延托盘相连，用于驱动所述外延托盘转动。本公开能改善晶圆的边缘区域和中间区域刻蚀深度的不均的问题，提升晶圆的刻蚀质量。的刻蚀质量。的刻蚀质量。

【技术实现步骤摘要】
刻蚀装置


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种刻蚀装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，晶圆通常包括多个集成布置的发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)，发光二极管是光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、能耗低等特点。晶圆制备过程中通常会采用刻蚀装置对其进行刻蚀，让刻蚀掉晶圆的表层材料，以在晶圆上形成所需的图形。
[0003]相关技术中，刻蚀装置通常包括反应腔、外延托盘和托盘压板，外延托盘设置在反应腔内，外延托盘上设置有多个间隔排布的凹槽，凹槽用于放置晶圆，托盘压板用于按压在晶圆的表面上，以防止晶圆在凹槽中活动。
[0004]在刻蚀晶圆过程中会向反应腔中通入等离子体，由于托盘压板在按压晶圆时，会遮挡晶圆的边缘区域，这样就导致晶圆的边缘区域没有被等离子充分刻蚀，使得晶圆的中间区域和边缘区域的刻蚀深度的均匀性存在差异，从而影响晶圆的刻蚀质量。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种刻蚀装置，能改善晶圆的边缘区域和中间区域刻蚀深度的不均的问题，提升晶圆的刻蚀质量。所述技术方案如下：
[0006]本公开实施例提供了一种刻蚀装置，所述刻蚀装置包括：反应腔、外延托盘、注液管路和旋转组件；所述外延托盘位于所述反应腔内，所述注液管路的出口端位于所述反应腔内，且所述出口端与所述外延托盘相对，所述注液管路用于注入刻蚀溶液；所述旋转组件位于所述反应腔内，且与所述外延托盘相连，用于驱动所述外延托盘转动。
[0007]在本公开实施例的一种实现方式中，所述注液管路包括至少两个分流管道，所述至少两个分流管道的一端插设在所述反应腔上且延伸至所述反应腔内，所述至少两个分流管道沿所述外延托盘的径向间隔排布。
[0008]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述旋转组件包括：锁止件、底盘和驱动件，所述外延托盘位于所述底盘上，所述锁止件可拆卸地连接所述外延托盘和所述底盘，所述驱动件与所述底盘相连，所述驱动件用于驱动所述底盘转动。
[0009]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述锁止件包括压环，所述压环的内壁面具有环形槽，所述外延托盘和所述底盘位于所述压环的内孔中，且所述外延托盘的边缘区域和所述底盘的边缘区域均插设在所述环形槽内。
[0010]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述外延托盘具有多个用于安装晶圆的凹槽；所述刻蚀装置还包括定位组件，所述定位组件位于所述凹槽内，用于压紧所述晶圆的侧壁。
[0011]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述定位组件包括：垫板和弹性件，所述弹性件的一端与所述垫板相连，所述弹性件的另一端与所述凹槽的槽壁相抵，所述垫板远离
所述弹性件的侧面与所述晶圆相抵。
[0012]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述反应腔的内壁面设有防腐层。
[0013]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述防腐层包括铱合金层。
[0014]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述刻蚀装置还包括辅助管路，所述辅助管路插装在所述反应腔的侧壁上，且所述辅助管路的一端位于所述反应腔内，所述辅助管路用于注入冷却介质。
[0015]在本公开实施例的另一种实现方式中，所述刻蚀装置还包括排液管路，所述排液管路插装在所述反应腔的底部，且一端与所述反应腔连通。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供刻蚀装置在反应腔上设置了注液管路，在刻蚀的过程中，可以通过注液管路向外延托盘注入刻蚀溶液，使刻蚀容易能附着在外延托盘中的晶圆表面上。并且，反应腔内还设置有旋转组件，旋转组件能驱动外延托盘转动，通过转动外延托盘的方式，就能让刻蚀溶液均匀地铺满在晶圆表面上。这样在刻蚀过程中，由于刻蚀溶液均匀地附着在晶圆的中间区域和边缘区域，并且，外延托盘在旋转的过程中也能均匀地与反应腔内的等离子体接触，因此，就使得晶圆的各个区域的刻蚀深度的均匀性保持一致，改善晶圆的边缘区域和中间区域刻蚀深度的不均的问题，提升晶圆的刻蚀质量。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是相关技术提供的一种晶圆刻蚀的状态示意图；
[0020]图2是本公开实施例提供的一种刻蚀装置的结构示意图；
[0021]图3是本公开实施例提供的一种外延托盘的结构示意图；
[0022]图4是本公开实施例提供的一种外延托盘的局部结构示意图。
[0023]图中各标记说明如下：
[0024]10、反应腔；101、腔体；102、石英盖；11、防腐层；
[0025]20、外延托盘；21、凹槽；
[0026]30、注液管路；31、分流管道；32、总管；
[0027]41、锁止件；411、环形槽；42、底盘；43、驱动件；
[0028]51、进气管路；52、射频源；53、辅助管路；54、排液管路；
[0029]61、垫板；62、弹性件；
[0030]70、晶圆；71、托盘压板；72、光刻胶。
具体实施方式
[0031]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0032]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有
一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0033]晶圆刻蚀存在干法刻蚀与湿法刻蚀两种工艺，其中干法刻蚀工艺在LED行业使用较为广泛。干法刻蚀工艺采用等离子体刻蚀，等离子体通过光刻胶开出光刻图形与晶圆的表层材料发生反应从而刻蚀掉晶圆的表层材料。
[0034]图1是相关技术提供的一种晶圆刻蚀的状态示意图。如图1所示，在刻蚀晶圆的过程中，托盘压板71在按压晶圆70时，会遮挡晶圆70的边缘区域，且会遮挡晶圆70上的部分光刻胶72，进而导致晶圆70的中间区域和边缘区域刻蚀深度的均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置包括：反应腔(10)、外延托盘(20)、注液管路(30)和旋转组件；所述外延托盘(20)位于所述反应腔(10)内，所述注液管路(30)的出口端位于所述反应腔(10)内，且所述出口端与所述外延托盘(20)相对，所述注液管路(30)用于注入刻蚀溶液；所述旋转组件位于所述反应腔(10)内，且与所述外延托盘(20)相连，用于驱动所述外延托盘(20)转动。2.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述注液管路(30)包括至少两个分流管道(31)，所述至少两个分流管道(31)的一端插设在所述反应腔(10)上且延伸至所述反应腔(10)内，所述至少两个分流管道(31)沿所述外延托盘(20)的径向间隔排布。3.根据权利要求1所述的刻蚀装置，其特征在于，所述旋转组件包括：锁止件(41)、底盘(42)和驱动件(43)，所述外延托盘(20)位于所述底盘(42)上，所述锁止件(41)可拆卸地连接所述外延托盘(20)和所述底盘(42)，所述驱动件(43)与所述底盘(42)相连，所述驱动件(43)用于驱动所述底盘(42)转动。4.根据权利要求3所述的刻蚀装置，其特征在于，所述锁止件(41)包括压环，所述压环的内壁面具有环形槽(411)，所述外延托盘(20)和所述底盘(42)位于所述压环的内孔中，且所述外延托盘(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宁，汤淼，黄彪彪，李俊生，汪洋，冬旻弘，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：