半导体测试方法及测试结构技术

本公开提供了一种半导体测试方法及测试结构，该方法包括：提供一半导体结构；施加一组电压，开启第一字线结构；检测流经第二源漏区的第一电流，根据电压和第一电流计算第二源漏区与第一源漏区之间的第一总电阻；连接第一字线结构和第二字线结构；保持电压不变，对第三源漏区施加电压；检测流经第二源漏区的第二电流，并根据电压和第二电流计算第三源漏区、第二源漏区和第一源漏区之间的第二总电阻；根据第一总电阻和第二总电阻计算第二源漏区的电阻值。本公开通过检测第一字线结构和第二字线结构连接前后流经第二源漏区的电流，通过两次测量的电流值和相对应的电压值即可得到第二源漏区的电阻值，该方法简单易实现，且不受半导体结构的影响。导体结构的影响。导体结构的影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体测试方法及测试结构


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体测试方法及测试结构。

技术介绍

[0002]半导体的测试方法是表征半导体器件性能以及获得重要参数的方法。由于半导体器件尺寸的日益缩小，对半导体器件要求更高的集成度与更丰富的功能，器件中源极和漏极之间的各个电阻对器件的模型建构和特性分析具有十分重要的作用，因此，对于评估一半导体器件的性能来讲，测量得到半导体器件源漏极之间的各电阻值是必要的。
[0003]目前，常用的测试方法通常仅能得到器件源极和漏极之间的串联总电阻值，无法得到源漏极之间的各个电阻的阻值，进而无法精准分析器件中各部分的特性。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种半导体测试方法及测试结构，该测试方法可以得到半导体器件源漏区的阻值，测试方法简洁且易实现，且得到的电阻值不受半导体结构的影响。
[0006]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0007]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体测试方法，该测试方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括基底以及间隔分布于所述基底上的第一字线结构和第二字线结构，所述第一字线结构的两侧分别设置有第一源漏区和第二源漏区，所述第二字线结构远离所述第二源漏区的一侧设有第三源漏区；对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加一组电压，以开启所述第一字线结构；检测流经所述第二源漏区的第一电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第一电流计算所述第二源漏区与所述第一源漏区之间的第一总电阻；连接所述第一字线结构和所述第二字线结构；保持对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加的电压不变，并对所述第三源漏区施加电压；检测流经所述第二源漏区的第二电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第二电流计算所述第三源漏区、所述第二源漏区和所述第一源漏区之间的第二总电阻；根据所述第一总电阻和所述第二总电阻计算所述第二源漏区的电阻值。
[0008]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加一组电压，以开启所述第一字线结构，包括：对所述第一字线结构施加第一电压，对所述第一源漏区施加第二电压，对所述第
二源漏区施加第三电压；所述第三电压大于所述第一电压，所述第一电压大于所述第二电压，且所述第三电压与所述第一电压之差大于或等于所述第一字线结构的阈值电压。
[0009]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，保持对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加的电压不变，并对所述第三源漏区施加电压，包括：保持所述第一电压、所述第二电压和所述第三电压不变，对所述第三源漏区施加第四电压；所述第三电压大于所述第四电压和所述第二电压，且所述第四电压等于所述第二电压。
[0010]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，连接所述第一字线结构和所述第二字线结构，包括：连接所述第一字线结构和所述第二字线结构，以使施加于所述第二字线结构的电压为所述第五电压；所述第五电压等于所述第一电压，且所述第三电压与所述第五电压之差大于或等于所述第二字线结构的阈值电压。
[0011]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，保持对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加的电压不变，并对所述第三源漏区施加电压，包括：将所述第一源漏区和所述第三源漏区接地。
[0012]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，检测流经所述第二源漏区的第一电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第一电流计算所述第二源漏区与所述第一源漏区之间的第一总电阻，包括：根据所述第二源漏区的电压与所述第一电流的比值计算确定所述第一总电阻。
[0013]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第一源漏区包括第一源漏极和电连接于所述第一源漏极的第一接点，所述第二源漏区包括第二源漏极和电连接于所述第二源漏极的第二接点，根据所述第二源漏区的电压与所述第一电流的比值计算确定所述第一总电阻，包括：所述第一总电阻为所述第一源漏极的电阻值、所述第一接点的电阻值、所述第一字线结构的电阻值、所述第二源漏极的电阻值以及所述第二接点的电阻值之和。
[0014]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，检测流经所述第二源漏区的第二电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第二电流计算所述第三源漏区、所述第二源漏区和所述第一源漏区之间的第二总电阻，包括：根据所述第二接点的电压与所述第二电流的比值计算确定所述第二总电阻。
[0015]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述第三源漏区包括第三源漏极和电连接于所述第三源漏极的第三接点，根据所述第二接点的电压与所述第二电流的比值计算确定所述第二总电阻，包括：所述第三源漏极的电阻值等于所述第一源漏极的电阻值，所述第一字线结构的电阻值等于所述第二字线结构的电阻值，所述第一接点的电阻值等于所述第三接点的电阻值；所述第二总电阻由第一公式计算确定；
所述第一公式为R
ds2
=（R
d1
+R
j1
+R
c1
）/2+（R
d2
+R
j2
），其中，R
d1
为所述第一源漏极的电阻值，R
j1
为所述第一接点的电阻值为，R
c1
为所述第一字线结构的电阻值，R
d2
为所述第二源漏极的电阻值，R
j2
为所述第二接点的电阻值，R
ds2
为所述第二总阻值。
[0016]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，根据所述第一总电阻和所述第二总电阻计算所述第二源漏区的电阻值，所述方法包括：根据第二公式计算获得所述第二源漏区的电阻值；所述第二公式为R
d
=2（V
ds2
/I
ds2
）
‑
（V
ds1
/I
ds1
），其中，I
ds2
为所述第二电流，V
ds2
为与所述第二电流对应的施加于所述第二源漏区的电压，I
ds1
为所述第一电流，V
ds1
为与所述第一电流对应的施加于所述第二源漏区的电压，R
d
为所述第二源漏区的电阻值。
[0017]在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述方法还包括：改变施加于所述第一字线结构、所述第一源漏区、所述第二源漏区和所述第三源漏区的电压，以计算多组所述第二源漏区的电阻值；拟合多组所述第二源漏区的电阻值，以得到所述第二源漏区的电阻值的特性曲线。
[0018]根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体测试结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体测试方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括基底以及间隔分布于所述基底上的第一字线结构和第二字线结构，所述第一字线结构的两侧分别设置有第一源漏区和第二源漏区，所述第二字线结构远离所述第二源漏区的一侧设有第三源漏区；对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加一组电压，以开启所述第一字线结构；检测流经所述第二源漏区的第一电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第一电流计算所述第二源漏区与所述第一源漏区之间的第一总电阻；连接所述第一字线结构和所述第二字线结构；保持对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加的电压不变，并对所述第三源漏区施加电压；检测流经所述第二源漏区的第二电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第二电流计算所述第三源漏区、所述第二源漏区和所述第一源漏区之间的第二总电阻；根据所述第一总电阻和所述第二总电阻计算所述第二源漏区的电阻值。2.根据权利要求1所述的半导体测试方法，其特征在于，对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加一组电压，以开启所述第一字线结构，包括：对所述第一字线结构施加第一电压，对所述第一源漏区施加第二电压，对所述第二源漏区施加第三电压；所述第三电压大于所述第一电压，所述第一电压大于所述第二电压，且所述第三电压与所述第一电压之差大于或等于所述第一字线结构的阈值电压。3.根据权利要求2所述的半导体测试方法，其特征在于，保持对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加的电压不变，并对所述第三源漏区施加电压，包括：保持所述第一电压、所述第二电压和所述第三电压不变，对所述第三源漏区施加第四电压；所述第三电压大于所述第四电压和所述第二电压，且所述第四电压等于所述第二电压。4.根据权利要求3所述的半导体测试方法，其特征在于，连接所述第一字线结构和所述第二字线结构，包括：连接所述第一字线结构和所述第二字线结构，以使施加于所述第二字线结构的电压为第五电压；所述第五电压等于所述第一电压，且所述第三电压与所述第五电压之差大于或等于所述第二字线结构的阈值电压。5.根据权利要求4所述的半导体测试方法，其特征在于，保持对所述第一字线结构、所述第一源漏区和所述第二源漏区施加的电压不变，并对所述第三源漏区施加电压，包括：将所述第一源漏区和所述第三源漏区接地。6.根据权利要求5所述的半导体测试方法，其特征在于，检测流经所述第二源漏区的第一电流，并根据所述第二源漏区的电压和所述第一电流计算所述第二源漏区与所述第一源漏区之间的第一总电阻，包括：根据所述第二源漏区的电压与所述第一电流的比值计算确定所述第一总电阻。
7.根据权利要求6所述的半导体测试方法，其特征在于，所述第一源漏区包括第一源漏极和电连接于所述第一源漏极的第一接点，所述第二源漏区包括第二源漏极和电连接于所述第二源漏极的第二接点，根据所述第二源漏区的电压与所述第一电流的比值计算确定所述第一总电阻，包括：所述第一总电阻为所述第一源漏极的电阻值、所述第一接点的电阻值、所述第一字线结构的电阻值、所述第二源漏极的电阻值以及所述第二接点的电阻值之和。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁丽，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：