低压锁止电路、芯片及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种低压锁止电路、芯片及电子设备，涉及集成电路技术领域。该低压锁止电路在电源电压低于设定值时，输出使能信号，使系统其他电路或模块保持关闭，当电源电压高于设定值时，输出的使能信号跳转，使其他系统模块开始工作，该电路中主控制模块通过两个PNP三极管和两个电阻组成带隙比较器核心部分，利用两个N沟道场效应管为两个PNP三极管提供有源负载，利用两组N沟道场效应管和一组P沟道场效应管组成电流镜单元，依据流过两个PNP三极管的电流不同并通过电流镜比较输出低电平或高电平来确定电源电压是否低于设定值。此外，所述低压锁止电路还带有迟滞功能模块和输出缓冲模块，具有迟滞功能，自带偏置，应用方便灵活，适用面广。适用面广。适用面广。

【技术实现步骤摘要】
低压锁止电路、芯片及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种低压锁止电路、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]许多芯片或集成电路(IC)都包含低压锁止(Undervoltage
‑
Lockout，缩写UVLO，或称低压锁定、欠压锁定)模式，低压锁止模式是当供电电压低于设定值(如系统的开启门限电压)时的一种保护模式。低压锁止模式可保证整个芯片在供电电压不足时不致于被损坏，一个低压锁止(UVLO)电路不仅可确保芯片在电池电压未达到安全操作电压前不会激活，而且低压锁止(UVLO)电路会带有滞后现象或迟滞功能，还能避免在电源供应上的噪音不慎导致系统故障。现有技术中的低压锁止电路结构复杂，应用时灵活性不足、适用面较低。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供了低压锁止电路、芯片及电子设备，用以解决现有技术中低压锁止电路结构复杂，应用时灵活性不足、适用面较低的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种低压锁止电路，其特征在于，所述电路包括：主控制模块、迟滞功能模块和输出缓冲模块，所述主控制模块、所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块相互间电连接，其中，所述主控制模块至少包括由第一PNP三极管、第二PNP三级管、第一电阻和第二电阻组成的带隙比较器单元，以及由第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管、第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管组成的电流镜单元，且所述第一N沟道场效应管为所述第一PNP三极管提供有源负载，所述第二N沟道场效应管为所述第二PNP三极管提供有源负载；所述主控制模块用于判断电源电压值是否低于设定值，当所述电源电压值低于所述设定值时，所述主控制模块输出低电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块，当所述电源电压值高于所述设定值时，所述主控制单元输出高电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块。
[0005]优选地，所述第一PNP三极管、第二PNP三极管的发射面积比为1:4。
[0006]优选地，所述第一N沟道场效应管、所述第二N沟道场效应管、所述第三N沟道场效应管、所述第四N沟道场效应管、所述第一P沟道场效应管和所述第二P沟道场效应管均为耗尽型场效应管。
[0007]优选地，在所述带隙比较器单元中，所述第一PNP三极管的发射级与所述第一电阻的第二端电连接，所述第一电阻的第一端与电源电压正极电连接，所述第二PNP三极管的发射级与所述第二电阻的第二端电连接，所述第二电路的第一端与所述第一电阻的第二端电连接。
[0008]优选地，所述第一N沟道场效应管的漏极和栅极与所述第一PNP三极管的集电极电连接，所述第一N沟道场效应管的源极与电源电压负极电连接，从而为所述第一PNP三极管提供有源负载；所述第二N沟道场效应管的漏极和栅极与所述第二PNP三极管的集电极电连接，所述第二N沟道场效应管的源极与电源电压负极电连接，从而为所述第二PNP三极管提
供有源负载。
[0009]优选地，所述电流镜单元包括第一电流镜、第二电流镜和第三电流镜，其中，所述第一N沟道场效应管和所述第二N沟道场效应管组成所述第一电流镜，所述第三N沟道场效应管和所述第四N沟道场效应管组成所述第二电流镜，所述第一P沟道场效应管和所述第二P沟道场效应管组成所述第三电流镜；其中，所述第一P沟道场效应管的源极与电源电压正极电连接，所述第一P沟道场效应管的漏极及栅极与所述第二N沟道场效应管的漏极电连接；所述第二P沟道场效应管的源极与所述电源电压正极电连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的漏极电连接，所述第二P沟道场效应管的漏极与所述第三N沟道场效应管的漏极电连接；所述第一N沟道场效应管的漏极和栅极与所述第一PNP三极管的集电极电连接，所述第二N沟道场效应管的栅极与所述第一PNP三极管的集电极电连接，所述第三N沟道场效应管的栅极和所述第二PNP三极管的集电极电连接，所述第四N沟道场效应管的栅极及漏极与所述第二PNP三极管的集电极电连接，所述第一N沟道场效应管、所述第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管的源极均与电源电压负极电连接。
[0010]优选地，所述主控制模块还包括第三电阻、第四电阻和第五电阻，其中，所述第三电阻的第一端与所述电源电压正极电连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端电连接，所述第五电阻的第二端与电源电压负极电连接，所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端与所述迟滞功能模块电连接，所述第四电阻的第二端和所述第五电阻的第一端与所述迟滞功能模块电连接，所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻构成所述迟滞功能模块的分压电阻，通过设置所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻的比值调整所述迟滞功能模块的迟滞大小。
[0011]优选地，所述迟滞功能模块至少包括第三P沟道场效应管，当所述电源电压值低于所述设定值时，所述第三P沟道场效应管导通，当所述电源电压值高于所述设定值时，所述第三P沟道场效应管截止。
[0012]优选地，所述输出缓冲模块至少包括由第四P沟道场效应管、第七N沟道场效应管、第八N沟道场效应管和第九N沟道场效应管组成的施密特缓冲器，所述施密特缓冲器的输出电压与所述主控制模块输出的电压同相。
[0013]第二方面，本专利技术实施例提供了一种芯片，所述芯片包括了如第一方面任一项所述的低压锁止电路。
[0014]第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括了如第一方面任一项所述的低压锁止电路。
[0015]综上所述，本专利技术的有益效果如下：
[0016]本专利技术实施例提供的低压锁止电路，系统及电子设备，当电源电压低于设定值时，输出使能信号(如低电平信号)，使系统其他电路或模块保持关闭，当电源电压高于设定值时，输出的使能信号跳转(如低电平跳转为高电平)，使其他系统模块开始工作，该低压锁止电路中主控制模块通过两个PNP三极管和两个电阻组成带隙比较器核心部分，分别利用两个N沟道场效应管为两个PNP三极管提供有源负载，利用两组N沟道场效应管和一组P沟道场效应管组成电流镜单元，依据流过两个PNP三极管的电流不同并通过电流镜比较输出低电
平或高电平来确定电源电压是否低于设定值。此外，所述低压锁止电路还带有迟滞功能模块和输出缓冲模块，具有迟滞功能，自带偏置，应用方便灵活，适用面广。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，这些均在本专利技术的保护范围内。
[0018]图1是本专利技术实施例提供的低压锁止电路的示意图。
具体实施方式
[0019]下面将详细描述本专利技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低压锁止电路，其特征在于，所述电路包括：主控制模块、迟滞功能模块和输出缓冲模块，所述主控制模块、所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块相互间电连接，其中，所述主控制模块至少包括由第一PNP三极管、第二PNP三级管、第一电阻和第二电阻组成的带隙比较器单元，以及由第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管、第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管组成的电流镜单元，且所述第一N沟道场效应管为所述第一PNP三极管提供有源负载，所述第二N沟道场效应管为所述第二PNP三极管提供有源负载；所述主控制模块用于判断电源电压值是否低于设定值，当所述电源电压值低于所述设定值时，所述主控制模块输出低电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块，当所述电源电压值高于所述设定值时，所述主控制单元输出高电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块。2.根据权利要求1所述的低压锁止电路，其特征在于，所述第一PNP三极管、第二PNP三极管的发射面积比为1:4。3.根据权利要求1所述的低压锁止电路，其特征在于，所述第一N沟道场效应管、所述第二N沟道场效应管、所述第三N沟道场效应管、所述第四N沟道场效应管、所述第一P沟道场效应管和所述第二P沟道场效应管均为耗尽型场效应管。4.根据权利要求1所述的低压锁止电路，其特征在于，在所述带隙比较器单元中，所述第一PNP三极管的发射级与所述第一电阻的第二端电连接，所述第一电阻的第一端与电源电压正极电连接，所述第二PNP三极管的发射级与所述第二电阻的第二端电连接，所述第二电路的第一端与所述第一电阻的第二端电连接。5.根据权利要求4所述的低压锁止电路，其特征在于，所述第一N沟道场效应管的漏极和栅极与所述第一PNP三极管的集电极电连接，所述第一N沟道场效应管的源极与电源电压负极电连接，从而为所述第一PNP三极管提供有源负载；所述第二N沟道场效应管的漏极和栅极与所述第二PNP三极管的集电极电连接，所述第二N沟道场效应管的源极与电源电压负极电连接，从而为所述第二PNP三极管提供有源负载。6.根据权利要求5所述的低压锁止电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第一电流镜、第二电流镜和第三电流镜，其中，所述第一N沟道场效应管和所述第二N沟道场效应管组成所述第一电流镜，所述第三N沟道场效应管和所述第四N沟道场效应管组成所述第二电流镜，所述第一P沟道场效应管和所述第二P沟道场效应管组成所述第三电流镜；其中，所述第一P沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉鹏，王泽宇，古春金，
申请(专利权)人：深圳市长运通半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：