一种防电源错接的保护电路及保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及机电产品技术领域，公开了一种防电源错接的保护电路及保护装置。其中，保护电路包括电压识别电路单元，用于根据输入电压的大小控制内部的光耦和三极管的通断状态，当输入电压正常时光耦和三极管均断开，当输入电压异常时光耦和三极管导通并向主继电器线包控制电路单元发送电源错接信号；主继电器线包控制电路单元，用于在光耦和三极管断开时控制主继电器吸合并为功率器件提供电源通路，在光耦和三极管导通时控制主继电器断开同时阻断功率器件的电源通路。本实用新型专利技术可实现当电源电压错接时阻断设备主电路的继电器工作，防止其内部功率器件因过压而损坏，当电源电压重新正确接入后，恢复设备正常工作。恢复设备正常工作。恢复设备正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种防电源错接的保护电路及保护装置


[0001]本技术涉及机电产品
，具体而言，涉及一种防电源错接的保护电路及保护装置。

技术介绍

[0002]目前，AC220V输入的电焊机普遍没有防电源错接的保护装置，当用户错把输入电源接为AC380V时，会导致电焊机内部的功率器件因过压而损坏，以至于无法使用。
[0003]CN108964003A公开了一种电源错接保护装置、方法及空调器，其中，电源错接保护装置包括：继电器、电压检测模块及处理器，所述继电器用于接入外接电源，并与负载电机连接，继电器的控制端与处理器电连接，电压检测模块的输入端接外接电源、输出端与处理器的输入端电连接，电压检测模块用于检测外接电源的电压，将检测结果发送至处理器，处理器用于在外接电源的电压与安全电压不匹配时控制继电器断开。
[0004]该专利技术通过设置电压检测模块及继电器，检测外接电源的电压，在错接电源时，处理器控制继电器断开，防止外接电源损坏负载电机，同时发出警报，能够有效地保护负载电机，延长负载电机的使用寿命，防止错接电源损害用户的人身、财产安全。但该专利技术没有实现当输入电压正确接入时恢复设备正常工作的功能。
[0005]有鉴于此，特提出本申请。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种防电源错接的保护电路及保护装置，实现当电源电压错接时阻断设备主电路的继电器工作，防止其内部功率器件因过压而损坏，当电源电压重新正确接入后，恢复设备正常工作。
[0007]本技术通过下述技术方案实现：/>[0008]一方面，提供一种防电源错接的保护电路，包括顺次连接的电压识别电路单元和主继电器线包控制电路单元；所述电压识别电路单元用于根据输入电压的大小控制内部的光耦和三极管的通断状态，当输入电压正常时所述光耦和所述三极管均断开，当输入电压异常时所述光耦和所述三极管导通并向所述主继电器线包控制电路单元发送电源错接信号；主继电器线包控制电路单元用于在所述光耦和所述三极管断开时控制主继电器吸合并为功率器件提供电源通路，在所述光耦和所述三极管导通时控制主继电器断开同时阻断功率器件的电源通路。
[0009]其中，保护电路还包括用于采集输入电压的输入电压取样电路单元，所述输入电压取样电路单元、所述电压识别电路单元和所述主继电器线包控制电路单元顺次连接。进一步的，输入电压取样电路单元还用于对采集的输入电压进行调整，将调整后的电压输入至所述电压识别电路单元。输入电压取样电路单元包括电源开关K1和整流桥V1；所述电源开关K1连接所述整流桥V1；所述整流桥V1的正极和负极分别连接功率器件电源输入端。该电源开关K1为联动开关，所述电源开关K1分别连接在所述整流桥V1的正、负极相连处接交
流输入电压的两端。
[0010]进一步的，电压识别电路单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1、稳压二极管ZD1、压敏电阻RV1和光耦U2的发光二极管；所述电阻R1的一端连接在所述整流桥V1的正极和功率器件电源输入端之间，所述电阻R1的另一端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接在所述整流桥V1的负极和功率器件电源输入端之间；所述三极管Q1的基极连接在所述电阻R1和所述电阻R2之间，所述三极管Q1的集电极连接所述压敏电阻RV1的一端，所述压敏电阻RV1的另一端连接所述光耦U2的发光二极管的阴极，所述三极管Q1的发射极连接所述稳压二极管ZD1的阴极，所述稳压二极管ZD1的阳极连接在所述电阻R2和功率器件电源输入端之间；所述电阻R3的一端连接在所述电阻R1和功率器件电源输入端，所述电阻R3的另一端连接所述光耦U2的发光二极管的阳极。
[0011]进一步的，主继电器线包控制电路单元包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、稳压二极管ZD2、电解电容C1、二极管D1、三极管Q2、继电器线包JD1A和光耦U2的光敏三极管；所述光耦U2的光敏三极管的发射极接地，所述光耦U2的集电极连接所述电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接所述电解电容C1的一端，所述电解电容C1的另一端连接在所述光耦U2的发射极与接地端之间；所述电阻R6的一端接入﹢24V电源，所述电阻R6的另一端连接在所述电阻R5与所述电解电容C1之间；所述稳压二极管ZD2的阴极连接在所述电阻R5与所述电解电容C1之间，所述稳压二极管ZD2的阳极连接所述电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端连接所述三极管Q2的基极；所述三极管Q2的发射极接地；所述三极管Q2的集电极连接所述继电器线包JD1A的一端，所述继电器线包JD1A的另一端连接在所述电阻R6与所述﹢24V电源之间；所述二极管D1的阳极连接在所述三极管Q2的集电极与所述继电器线包JD1A之间，所述二极管D1的阴极连接在所述电阻R6与所述继电器线包JD1A之间。
[0012]本保护电路还包括主继电器触点JD1B，所述主继电器触点JD1B连接在所述整流桥V1的正极与功率器件电源输入端之间。主继电器触点JD1B为一开关。
[0013]另一方面，提供一种防电源错接的保护装置，包括pcd电路板，该pcd电路板上印刷有上述防电源错接的保护电路。
[0014]本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：电压识别电路单元可根据输入电压的大小控制内部光耦和三极管的通断，主继电器线包控制电路单元可根据电压识别电路单元中光耦和三极管状态，通过控制主继电器吸合和断开的方式控制功率器件的电源通路，从而实现当电源电压错接时阻断设备主电路的继电器工作，防止其内部功率器件因过压而损坏，当电源电压重新正确接入后，恢复设备正常工作。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术示例性实施方式的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0016]图1为本技术实施例提供的防电源错接的保护电路的整体示意图；
[0017]图2为本技术实施例提供的输入电压取样电路单元的电路图；
[0018]图3为本技术实施例提供的电压识别电路单元的电路图；
[0019]图4为本技术实施例提供的主继电器线包控制电路单元的电路图。
[0020]附图中标记及对应的零部件名称：
[0021]1‑
输入电压取样电路单元，2
‑
电压识别电路单元，3
‑
主继电器线包控制电路单元，4
‑
主继电器触点JD1B。
具体实施方式
[0022]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。
[0023]实施例
[0024]本实施例提供一种防电源错接的保护电路，可保证用户在接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防电源错接的保护电路，其特征在于，包括顺次连接的电压识别电路单元(2)和主继电器线包控制电路单元(3)；所述电压识别电路单元(2)用于根据输入电压的大小控制内部的光耦和三极管的通断状态，当输入电压正常时所述光耦和所述三极管均断开，当输入电压异常时所述光耦和所述三极管导通并向所述主继电器线包控制电路单元(3)发送电源错接信号；所述主继电器线包控制电路单元(3)用于在所述光耦和所述三极管断开时控制主继电器吸合并为功率器件提供电源通路，在所述光耦和所述三极管导通时控制主继电器断开同时阻断功率器件的电源通路。2.根据权利要求1所述的一种防电源错接的保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括用于采集输入电压的输入电压取样电路单元(1)，所述输入电压取样电路单元(1)、所述电压识别电路单元(2)和所述主继电器线包控制电路单元(3)顺次连接。3.根据权利要求2所述的一种防电源错接的保护电路，其特征在于，所述输入电压取样电路单元(1)还用于对采集的输入电压进行调整，将调整后的电压输入至所述电压识别电路单元(2)。4.根据权利要求3所述的一种防电源错接的保护电路，其特征在于，所述输入电压取样电路单元(1)包括电源开关K1和整流桥V1；所述电源开关K1连接所述整流桥V1；所述整流桥V1的正极和负极分别连接功率器件电源输入端。5.根据权利要求4所述的一种防电源错接的保护电路，其特征在于，所述电源开关K1为联动开关，所述电源开关K1分别连接在所述整流桥V1的正、负极相连处接交流输入电压的两端。6.根据权利要求5所述的一种防电源错接的保护电路，其特征在于，所述电压识别电路单元(2)包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、三极管Q1、稳压二极管ZD1、压敏电阻RV1和光耦U2的发光二极管；所述电阻R1的一端连接在所述整流桥V1的正极和功率器件电源输入端之间，所述电阻R1的另一端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R2的另一端连接在所述整流桥V1的负极和功率器件电源输入端之间；所述三极管Q1的基极连接在所述电阻R1和所述电阻R2之间，所述三极管Q1的集电极连接所述压敏电阻RV1的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：高思明，陶国利，
申请(专利权)人：成都华远电器设备有限公司，
类型：新型
国别省市：