优化迟滞功能的低压锁止电路、芯片及电子设备制造技术

本发明专利技术公开了一种优化迟滞功能的低压锁止电路、芯片及电子设备，涉及集成电路技术领域。所述优化迟滞功能的低压锁止电路中迟滞功能模块通过若干P沟道场效应管和N沟道场效应管来实现迟滞功能，此外，通过在主控制模块设置若干分压电阻的比值来灵活调整迟滞功能模块中迟滞的大小，而在输出缓冲模块利用若干场效应管构P沟道场效应管和N沟道场效应管组成一个精简的施密特缓冲器，由上述主控制模块、迟滞功能模块和输出缓冲模块组成的优化迟滞功能的低压锁止电路结构精简、具有迟滞功能，自带偏置，应用方便灵活，适用面广。适用面广。适用面广。

【技术实现步骤摘要】
优化迟滞功能的低压锁止电路、芯片及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种优化迟滞功能的低压锁止电路、芯片及电子设备。

技术介绍

[0002]在喷墨打印机的色彩管理过程中，通过对打印机的ICC文件进行调节进而起到控制打印机的每个通道的输出墨量，从而控制打印机的整体打印颜色效果。但是在实际生产应用中，当要求若干台打印机能打印出与目标喷墨打印机颜色一致的样张，就需要对若干台打印机进行打印追色处理。但仅仅通过调整色彩管理中的ICC文件是无法达到要求，现有技术的一般做法是通过人工反复的去调试待追色喷墨打印机的线性化曲线然后打印图像，最终找到一个与目标机输入墨量相同或相似的输入值，该方法需要不断地调节和验证，才能达到效果，工程复杂、费时费力。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供了优化迟滞功能的低压锁止电路、芯片及电子设备，用以解决现有技术中低压锁止电路结构复杂，应用时灵活性不足、适用面较低的问题。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种优化迟滞功能的低压锁止电路，所述电路包括：主控制模块、迟滞功能模块和输出缓冲模块，所述主控制模块、所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块相互间电连接，其中，所述迟滞功能模块至少包括第三P沟道场效应管、第五N沟道场效应管和第六N沟道场效应管、第六电阻和第一极性电容；其中，所述第三P沟道场效应管的源极与电源电压正极电连接，所述第三P沟道场效应管的漏极与所述主控制模块电连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与所述输出缓冲模块电连接；所述第五N沟道场效应管的漏极经第六电阻与所述电源电压正极电连接；所述第五N沟道场效应管的栅极与所述主控制模块电连接，所述第五N沟道场效应管的源极与电源电压负极电连接；所述第六N沟道场效应管的漏极与所述主控制模块电连接，所述第六N沟道场效应管的栅极经所述第一极性电容与所述电源电压负极电连接，第六N沟道场效应管的源极同样与电源电压负极电连接；当电源电压值低于设定值时，所述第三P沟道场效应管导通；当电源电压值超过设定值时，第三P沟道场效应管截止。
[0005]优选地，所述第三P沟道场效应管、所述第五N沟道场效应管和所述第六N沟道场效应管均为耗尽型场效应管。
[0006]优选地，所述主控制模块至少包括由第一PNP三极管、第二PNP三级管、第一电阻和第二电阻组成的带隙比较器单元，以及由第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管、第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管组成的电流镜单元，且所述第一N沟道场效应管为所述第一PNP三极管提供有源负载，所述第二N沟道场效应管为所述第二PNP三极管提供有源负载；所述主控制模块用于判断电源电压值是否低于设定值，当所述电源电压值低于所述设定值时，所述主控制模块输出低电平至所述迟
滞功能模块和所述输出缓冲模块，当所述电源电压值高于所述设定值时，所述主控制单元输出高电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块。
[0007]优选地，在所述带隙比较器单元中，所述第一PNP三极管的发射级与所述第一电阻的第二端电连接，所述第一电阻的第一端与电源电压正极电连接，所述第二PNP三极管的发射级与所述第二电阻的第二端电连接，所述第二电路的第一端与所述第一电阻的第二端电连接。
[0008]优选地，所述电流镜单元包括第一电流镜、第二电流镜和第三电流镜，其中，所述第一N沟道场效应管和所述第二N沟道场效应管组成所述第一电流镜，所述第三N沟道场效应管和所述第四N沟道场效应管组成所述第二电流镜，所述第一P沟道场效应管和所述第二P沟道场效应管组成所述第三电流镜；其中，所述第一P沟道场效应管的源极与电源电压正极电连接，所述第一P沟道场效应管的漏极及栅极与所述第二N沟道场效应管的漏极电连接；所述第二P沟道场效应管的源极与所述电源电压正极电连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的漏极电连接，所述第二P沟道场效应管的漏极与所述第三N沟道场效应管的漏极电连接；所述第一N沟道场效应管的漏极和栅极与所述第一PNP三极管的集电极电连接，所述第二N沟道场效应管的栅极与所述第一PNP三极管的集电极电连接，所述第三N沟道场效应管的栅极和所述第二PNP三极管的集电极电连接，所述第四N沟道场效应管的栅极及漏极与所述第二PNP三极管的集电极电连接，所述第一N沟道场效应管、所述第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管的源极均与电源电压负极电连接。
[0009]优选地，所述主控制模块还包括第三电阻、第四电阻和第五电阻，其中，所述第三电阻的第一端与所述电源电压正极电连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端电连接，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端电连接，所述第五电阻的第二端与电源电压负极电连接，所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端与所述迟滞功能模块中的所述第三P沟道场效应管的漏极电连接，所述第四电阻的第二端和所述第五电阻的第一端与所述迟滞功能模块中的所述第五N沟道场效应管的栅极电连接，所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻构成所述迟滞功能模块的分压电阻，通过设置所述第三电阻、所述第四电阻和所述第五电阻的比值调整所述迟滞功能模块的迟滞大小。
[0010]优选地，所述输出缓冲模块至少包括由第四P沟道场效应管、第七N沟道场效应管、第八N沟道场效应管和第九N沟道场效应管组成的施密特缓冲器，所述施密特缓冲器的输出电压与所述主控制模块输出的电压同相。
[0011]优选地，所述输出缓冲模块还包括第五沟道场效应管和第十N沟道场效应管，其中，所述第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第八N沟道场效应管和第十N沟道场效应管均为耗尽型场效应管，所述第七N沟道场效应管、第九N沟道场效应管则均为增强型场效应管。
[0012]第二方面，本专利技术实施例提供了一种芯片，所述芯片包括了如第一方面任一项所述的优化迟滞功能的低压锁止电路。
[0013]第三方面，本专利技术实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面任一项所述的优化迟滞功能的低压锁止电路。
[0014]综上所述，本专利技术的有益效果如下：
[0015]本专利技术实施例提供的优化迟滞功能的低压锁止电路、芯片及电子设备，当电源电压低于设定值时，输出使能信号(如低电平信号)，使系统其他电路或模块保持关闭，当电源电压高于设定值时，输出的使能信号跳转(如低电平跳转为高电平)，使其他系统模块开始工作，该优化迟滞功能的低压锁止电路中迟滞功能模块通过若干P沟道场效应管和N沟道场效应管来实现迟滞功能，此外，通过在主控制模块设置若干分压电阻的比值来灵活调整迟滞功能模块中迟滞的大小，而在输出缓冲模块利用若干场效应管构P沟道场效应管和N沟道场效应管组成一个精简的施密特缓冲器，由上述主控制模块、迟滞功能模块和输出缓冲模块组成的优化迟滞功能的低压锁止电路结构精简、具有迟滞功能，自带偏置，应用方便灵活，适用面广。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种优化迟滞功能的低压锁止电路，其特征在于，所述电路包括：主控制模块、迟滞功能模块和输出缓冲模块，所述主控制模块、所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块相互间电连接，其中，所述迟滞功能模块至少包括第三P沟道场效应管、第五N沟道场效应管和第六N沟道场效应管、第六电阻和第一极性电容；其中，所述第三P沟道场效应管的源极与电源电压正极电连接，所述第三P沟道场效应管的漏极与所述主控制模块电连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与所述输出缓冲模块电连接；所述第五N沟道场效应管的漏极经第六电阻与所述电源电压正极电连接；所述第五N沟道场效应管的栅极与所述主控制模块电连接，所述第五N沟道场效应管的源极与电源电压负极电连接；所述第六N沟道场效应管的漏极与所述主控制模块电连接，所述第六N沟道场效应管的栅极经所述第一极性电容与所述电源电压负极电连接，第六N沟道场效应管的源极同样与电源电压负极电连接；当电源电压值低于设定值时，所述第三P沟道场效应管导通；当电源电压值超过设定值时，第三P沟道场效应管截止。2.根据权利要求1所述的优化迟滞功能的低压锁止电路，其特征在于，所述第三P沟道场效应管、所述第五N沟道场效应管和所述第六N沟道场效应管均为耗尽型场效应管。3.根据权利要求1所述的优化迟滞功能的低压锁止电路，其特征在于，所述主控制模块至少包括由第一PNP三极管、第二PNP三级管、第一电阻和第二电阻组成的带隙比较器单元，以及由第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第三N沟道场效应管和第四N沟道场效应管、第一P沟道场效应管和第二P沟道场效应管组成的电流镜单元，且所述第一N沟道场效应管为所述第一PNP三极管提供有源负载，所述第二N沟道场效应管为所述第二PNP三极管提供有源负载；所述主控制模块用于判断电源电压值是否低于设定值，当所述电源电压值低于所述设定值时，所述主控制模块输出低电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块，当所述电源电压值高于所述设定值时，所述主控制单元输出高电平至所述迟滞功能模块和所述输出缓冲模块。4.根据权利要求3所述的优化迟滞功能的低压锁止电路，其特征在于，在所述带隙比较器单元中，所述第一PNP三极管的发射级与所述第一电阻的第二端电连接，所述第一电阻的第一端与电源电压正极电连接，所述第二PNP三极管的发射级与所述第二电阻的第二端电连接，所述第二电路的第一端与所述第一电阻的第二端电连接。5.根据权利要求3所述的优化迟滞功能的低压锁止电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第一电流镜、第二电流镜和第三电流镜，其中，所述第一N沟道场效应管和所述第二N沟道场效应管组成所述第一电流镜，所述第三N沟道场效应管和所述第四N沟道场效应管组成所述第二电流镜，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王泽宇，古春金，古成，
申请(专利权)人：深圳市长运通半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：