一种可调过温保护集成电路制造技术

本发明专利技术公开了一种可调过温保护集成电路，其包括主控模块和外置电阻可调过温保护模块；主控模块的温度特性曲线调控端与外置电阻可调过温保护模块相连，主控模块的输入端为可调过温保护集成电路的输入端，主控模块的输出端为可调过温保护集成电路的输出端；主控模块用于比较零温度系数的基准电压和外部输入电压，并根据比较结果和外置电阻可调过温保护模块的调节电流输出对应的保护电流；外置电阻可调过温保护模块用于调整保护温度值，并向主控模块输出对应的调节电流。本发明专利技术可以针对不同的温度需求进行输出电流大小的调节，可满足对不同元器件的过温保护。同元器件的过温保护。同元器件的过温保护。

【技术实现步骤摘要】
一种可调过温保护集成电路


[0001]本专利技术涉及过温保护电路领域，具体涉及一种可调过温保护集成电路。

技术介绍

[0002]过温保护是指当元器件的温度升高到一定时，为了防止其失效或损坏，需要降低其电流和/或电压来使其降温，在电器件集成度较高的现在，若某个元件因温度过高而失效时，难以单独对该元件进行更换，因此在集成电路中设置过温保护电路在防止某些元件过温很有必要。

技术实现思路

[0003]针对现有技术中的上述不足，本专利技术提供的一种可调过温保护集成电路提供了一种可调节保护温度的集成电路。
[0004]为了达到上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0005]提供一种可调过温保护集成电路，其包括主控模块和外置电阻可调过温保护模块；主控模块的温度特性曲线调控端与外置电阻可调过温保护模块相连，主控模块的输入端为可调过温保护集成电路的输入端，主控模块的输出端为可调过温保护集成电路的输出端；
[0006]主控模块，用于比较零温度系数的基准电压和外部输入电压，并根据比较结果和外置电阻可调过温保护模块的调节电流输出对应的保护电流；
[0007]外置电阻可调过温保护模块，用于调整保护温度值，并向主控模块输出对应的调节电流。
[0008]进一步地，主控模块包括电阻R0，电阻R0的一端连接电阻R1的一端并作为主控模块的温度特性曲线调控端；电阻R0的另一端分别连接mos管NM10的源极、mos管NM10的衬底、mos管NM9的衬底、mos管NM8的衬底、mos管NM7的衬底、mos管NM0的源极、mos管NM0的衬底、mos管NM1的源极、mos管NM1的衬底、三极管Q0的发射极、有极性电容C0的负极、mos管NM2的源极、mos管NM2的衬底、mos管NM3的源极、mos管NM3的衬底、mos管NM4的源极、mos管NM4的衬底、mos管NM5的源极、mos管NM5的衬底、mos管NM6的源极和mos管NM6的衬底；mos管NM3的漏极连接bandgap电路；
[0009]电阻R1的另一端分别连接mos管NM7的漏极、mos管PM0的栅极和零温度系数的基准电压；mos管NM7的栅极分别连接mos管NM8的栅极、mos管NM9的栅极、mos管NM10的栅极、mos管NM1的漏极、mos管NM2的栅极、有极性电容C0的正极、mos管NM3的栅极和mos管PM1的漏极；mos管NM10的漏极连接mos管NM9的源极，mos管NM9的漏极连接mos管NM8的源极，mos管NM8的漏极连接mos管NM7的源极；
[0010]mos管PM0的漏极分别连接mos管NM0的漏极、mos管NM0的栅极和mos管NM1的栅极；mos管PM0的源极分别连接mos管PM1的源极和mos管PM12的漏极；mos管PM0的衬底分别连接mos管PM1的衬底、mos管PM12的衬底、mos管PM13的衬底、mos管PM13的源极和外部电源；mos
管PM12的源极连接mos管PM13的漏极；mos管PM1的栅极分别连接三极管Q0的基极、三极管Q0的集电极和外部输入电压；
[0011]mos管NM2的漏极分别连接mos管NM4的栅极和mos管PM2的漏极；mos管PM2的衬底连接mos管PM3的衬底、mos管PM3的源极和外部电源；mos管PM2的源极连接mos管PM3的漏极；mos管NM4的漏极分别连接mos管PM4的漏极、mos管NM5的栅极和mos管PM6的栅极；mos管PM4的衬底分别连接mos管PM5的衬底、mos管PM5的源极和外部电源；mos管PM4的源极连接mos管PM5的漏极；mos管PM3的栅极、mos管PM5的栅极和mos管PM13的栅极连接同一个电压；mos管PM2的栅极、mos管PM4的栅极和mos管PM12的栅极连接同一个电压；
[0012]mos管NM5的漏极分别连接mos管NM6的栅极、mos管PM6的漏极和mos管PM7的栅极；mos管PM6的衬底、mos管PM6的源极、mos管PM7的衬底和mos管PM7的源极均连接外部电源；mos管PM7的漏极连接mos管NM6的漏极并作为主控模块的输出端。
[0013]进一步地，外置电阻可调过温保护模块包括mos管PM8，mos管PM8的栅极连接1V电压，mos管PM的漏极分别连接mos管NM13的源极和mos管NM12的漏极；mos管PM8的源极分别连接mos管PM10的漏极和mos管PM11的源极；mos管PM的衬底分别连接mos管PM11的衬底、mos管PM10的衬底、mos管PM9的衬底、mos管PM9的源极和外部电源；mos管PM10的源极连接mos管PM9的漏极；mos管PM11的漏极分别连接mos管NM15的源极和mos管NM14的漏极；mos管PM11的栅极连接电阻R2的一端并接地；
[0014]mos管NM12的衬底和mos管NM12源极均接地，mos管NM12的栅极分别连接mos管NM11的栅极、mos管NM11的漏极、电阻R3的一端和mos管NM14的栅极；mos管NM11的衬底、mos管NM11的源极、mos管NM14的衬底、mos管NM14的源极和mos管NM15的衬底均接地；
[0015]mos管NM13的衬底接地，mos管NM13的栅极分别连接电阻R3的另一端、mos管PM14的漏极和mos管NM15的栅极；mos管NM13的漏极分别连接mos管PM17的漏极、mos管PM16的栅极和mos管PM19的栅极；mos管NM15的漏极分别连接mos管NM16的栅极、有极性电容C1的正极和mos管PM18的漏极；有极性电容C1的负极接地；
[0016]mos管PM18的栅极连接mos管PM17的栅极，mos管PM18的衬底分别连接mos管PM19的衬底、mos管PM19的源极和外部电源；mos管PM18的源极连接mos管PM19的漏极；mos管PM16的漏极连接mos管PM17的源极，mos管PM16的衬底分别连接mos管PM16的源极和外部电源；mos管PM17的衬底连接外部电源；
[0017]mos管NM16的衬底接地，mos管NM16的源极连接电阻R2的另一端，mos管NM16的漏极分别连接mos管PM20的漏极、mos管PM20的栅极和mos管PM21的栅极；mos管PM20的衬底分别连接mos管PM20的源极和外部电源；mos管PM21的衬底分别连接mos管PM21的源极和外部电源，mos管PM21的漏极为外置电阻可调过温保护模块的输出端；电阻R2为阻值可调电阻；mos管PM9的栅极和mos管PM15的栅极连接同一个电压；mos管PM10的栅极和mos管PM14的栅极连接同一个电压。
[0018]本专利技术的有益效果为：本专利技术可以针对不同的温度需求进行输出电流大小的调节，可满足对不同元器件的过温保护。
附图说明
[0019]图1为本专利技术主控模块的电路图；
[0020]图2为本专利技术外置电阻可调过温保护模块的电路图。
具体实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调过温保护集成电路，其特征在于，包括主控模块和外置电阻可调过温保护模块；所述主控模块的温度特性曲线调控端与外置电阻可调过温保护模块相连，所述主控模块的输入端为可调过温保护集成电路的输入端，所述主控模块的输出端为可调过温保护集成电路的输出端；所述主控模块，用于比较零温度系数的基准电压和外部输入电压，并根据比较结果和外置电阻可调过温保护模块的调节电流输出对应的保护电流；所述外置电阻可调过温保护模块，用于调整保护温度值，并向主控模块输出对应的调节电流。2.根据权利要求1所述的可调过温保护集成电路，其特征在于，所述主控模块包括电阻R0，所述电阻R0的一端连接电阻R1的一端并作为主控模块的温度特性曲线调控端；所述电阻R0的另一端分别连接mos管NM10的源极、mos管NM10的衬底、mos管NM9的衬底、mos管NM8的衬底、mos管NM7的衬底、mos管NM0的源极、mos管NM0的衬底、mos管NM1的源极、mos管NM1的衬底、三极管Q0的发射极、有极性电容C0的负极、mos管NM2的源极、mos管NM2的衬底、mos管NM3的源极、mos管NM3的衬底、mos管NM4的源极、mos管NM4的衬底、mos管NM5的源极、mos管NM5的衬底、mos管NM6的源极和mos管NM6的衬底；mos管NM3的漏极连接bandgap电路；所述电阻R1的另一端分别连接mos管NM7的漏极、mos管PM0的栅极和零温度系数的基准电压；所述mos管NM7的栅极分别连接mos管NM8的栅极、mos管NM9的栅极、mos管NM10的栅极、mos管NM1的漏极、mos管NM2的栅极、有极性电容C0的正极、mos管NM3的栅极和mos管PM1的漏极；所述mos管NM10的漏极连接mos管NM9的源极，mos管NM9的漏极连接mos管NM8的源极，mos管NM8的漏极连接mos管NM7的源极；所述mos管PM0的漏极分别连接mos管NM0的漏极、mos管NM0的栅极和mos管NM1的栅极；mos管PM0的源极分别连接mos管PM1的源极和mos管PM12的漏极；mos管PM0的衬底分别连接mos管PM1的衬底、mos管PM12的衬底、mos管PM13的衬底、mos管PM13的源极和外部电源；所述mos管PM12的源极连接mos管PM13的漏极；所述mos管PM1的栅极分别连接三极管Q0的基极、三极管Q0的集电极和外部输入电压；所述mos管NM2的漏极分别连接mos管NM4的栅极和mos管PM2的漏极；所述mos管PM2的衬底连接mos管PM3的衬底、mos管PM3的源极和外部电源；mos管PM2的源极连接mos管PM3的漏极；所述mos管NM4的漏极分别连接mos管PM4的漏极、mos管NM5的栅极和mos管PM6的栅极；所述mos管PM4的衬底分别连接mos管PM5的衬底、mos管PM5的源极和外部电源；mos管PM4的源极连接mos管PM5的漏极；所述mos管PM3的栅极、mos管PM5的栅极和mos管PM1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉鹏，王泽宇，张伟珊，
申请(专利权)人：深圳市长运通半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：