一种开关电源的MOS管驱动泄放电路制造技术

本实用新型专利技术涉及开关电源技术，其公开了一种开关电源的MOS管驱动泄放电路，在驱动芯片无驱动输出时快速泄放驱动电压，降低MOS管导通损耗，提高产品可靠性。该电路包括控制芯片、MOS管、三极管、电容、第一至第六电阻；所述三极管的基极通过第一电阻连接控制芯片的DRV引脚，集电极通过第二电阻连接控制芯片的CS引脚，发射极通过第五电阻连接所述MOS管的栅极；所述MOS管的源极通过第四电阻接地，漏极通过电容接地；第三电阻连接在三极管的发射极与基极之间；第六电阻连接在MOS管的栅极与源极之间。本实用新型专利技术适用于采用开关电源的电子设备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源的MOS管驱动泄放电路


[0001]本技术涉及开关电源技术，具体涉及一种开关电源的MOS管驱动泄放电路。

技术介绍

[0002]开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制芯片和MOS管构成。
[0003]随着电力电子技术的发展和创新，开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备(比如：LED电视机、空气净化器、电风扇等)，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
[0004]现有技术中，当驱动芯片无驱动信号输出时，开关电源的MOS管上的驱动电压是通过芯片VCC内部电路进行泄放，泄放速度慢，导致MOS管温度高，降低了可靠性，也增加了MOS管导通损耗。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题是：提出一种开关电源的MOS管驱动泄放电路，在驱动芯片无驱动输出时快速泄放驱动电压，降低MOS管导通损耗，提高产品可靠性。
[0006]本技术解决上述技术问题采用的技术方案是：
[0007]一种开关电源的MOS管驱动泄放电路，包括控制芯片、MOS管、三极管、电容、第一至第六电阻；所述三极管的基极通过第一电阻连接控制芯片的DRV引脚，集电极通过第二电阻连接控制芯片的CS引脚，发射极通过第五电阻连接所述MOS管的栅极；所述MOS管的源极通过第四电阻接地，漏极通过电容接地；第三电阻连接在三极管的发射极与基极之间；第六电阻连接在MOS管的栅极与源极之间。
[0008]具体的，所述三极管为PNP型的贴片三极管。
[0009]本技术的有益效果是：
[0010]通过上述电路设计，在驱动芯片无驱动信号输出时，MOS管上的电压可以通过第五电阻、三极管的ec极、第四电阻形成的通路进行快速泄放，从而降低MOS管导通损耗。此设计可以降低MOS管使用规格，提高产品性价比，提高产品可靠性和用户体验。
附图说明
[0011]图1为本技术实施例中的开关电源的MOS管驱动泄放电路结构图；
[0012]图中，U1为控制芯片，Q1为三极管，Q2为MOS管，R1
‑
R6分别为第一电阻至第六电阻，C1为电容。
具体实施方式
[0013]本技术旨在提出一种开关电源的MOS管驱动泄放电路，在驱动芯片无驱动输出时快速泄放驱动电压，降低MOS管导通损耗，提高产品可靠性。
[0014]实施例：
[0015]如图1所示，本实施例中的泄放电路包括控制芯片U1、MOS管Q2、三极管Q1、电容C1、第一至第六电阻R1
‑
R6；所述三极管Q1的基极通过第一电阻R1连接控制芯片U1的DRV引脚，集电极通过第二电阻R2连接控制芯片U1的CS引脚，发射极通过第五电阻R5连接所述MOS管Q2的栅极；所述MOS管Q2的源极通过第四电阻R4接地，漏极通过电容C1接地；第三电阻R3连接在三极管Q1的发射极与基极之间；第六电阻R6连接在MOS管Q2的栅极与源极之间。
[0016]具体实现而言，三极管Q1采用PNP型的贴片三极管,一般型号为MMBT4403。
[0017]上述电路的工作原理是：控制芯片U1第6脚为驱动信号输出脚DRV，驱动信号一般为15V的方波信号。当驱动信号为高电平(15V)时，驱动信号通过第一电阻R1、第三电阻R3、第五电阻R5驱动MOS管Q2导通；当驱动信号为低电平(0V)时，驱动信号的15V通过第五电阻R5、三极管Q1的ec极、第四电阻R4快速泄放，直至驱动电压降低到5V以下，MOS管Q2关断。以此解决MOS管的导通损耗，降低MOS管温升的目的。相比之下，如果未采用三极管Q1器件，驱动信号的15V会通过芯片VCC内部电路泄放，而芯片VCC一般泄放电流只有几个mA,泄放非常慢，MOS管温度相对较高。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种开关电源的MOS管驱动泄放电路，其特征在于，包括控制芯片(U1)、MOS管(Q2)、三极管(Q1)、电容(C1)、第一至第六电阻(R1
‑
R6)；所述三极管(Q1)的基极通过第一电阻(R1)连接控制芯片(U1)的DRV引脚，集电极通过第二电阻(R2)连接控制芯片(U1)的CS引脚，发射极通过第五电阻(R5)连...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宏，苏瑞，范欣，
申请(专利权)人：四川爱创科技有限公司，
类型：新型
国别省市：