ZVS双钳位反激开关电源控制方法、开关电路及开关电源技术

本发明专利技术属于开关电源技术领域，解决了现有技术中多路电压输出电源存在复杂度高引起体积和重量无法满足电子产品小型化需求的，提供了一种ZVS双钳位反激开关电源控制方法、开关电路及开关电源。该方法包括：获取开关电路实时的电信号参数和各输出支路的预设工作参数；根据所述电信号参数和各所述预设工作参数，控制各输出支路的导通和断开；根据所述预设工作参数的周期参数，上述步骤，依次控制各所述输出支路导通，实现开关电源持续的多路输出。本发明专利技术能够满足需要多个等级的电压同时供电的情况，且能够降低开关电路的复杂程度和开关电源的体积，满足电子设备越来越小型化的需求。满足电子设备越来越小型化的需求。满足电子设备越来越小型化的需求。

【技术实现步骤摘要】
ZVS双钳位反激开关电源控制方法、开关电路及开关电源


[0001]本专利技术涉及开关电源
，尤其涉及一种ZVS双钳位反激开关电源控制方法、开关电路及开关电源。

技术介绍

[0002]随着电子技术的不断发展，电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电源作为电子设备的供能单元，没有电源给电子设备供能，电子设备将无法使用，开关电源是利用现代电力电子技术控制电源与电子设备的开通和断开的时间比例，维持电源按一定规则对电子设备进行持续供电，常用的开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)、控制器(IC)和MOSFTET构成，现有技术中，电子设备常常需要多个等级的电压同时供电，因此对每一个等级使用一个单路输出变换器，该方式虽然能够满足供电需求，但是存在体积大、成本高的缺点，而现有的多路输出存在随着输出支路的增加而导致的电子器件按比例增加，电路复杂度更高，同时电源的体积和重量也无法满足越来越小型化的电子设备要求的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种ZVS双钳位反激开关电源控制方法、开关电路及开关电源，用以解决现有技术中多路电压输出电源存在复杂度高引起体积和重量无法满足电子产品小型化需求的技术问题。
[0004]本专利技术采用的技术方案是：
[0005]本专利技术提供了一种ZVS双钳位反激开关电源控制方法，所述方法包括：
[0006]S1：获取开关电路实时的电信号参数和各输出支路的预设工作参数；
[0007]S2：根据所述电信号参数和各所述预设工作参数，控制各输出支路的导通和断开；
[0008]S3：根据所述预设工作参数的周期参数，重复S1至S2，依次控制各所述输出支路导通，实现开关电源持续的多路输出。
[0009]优选地，所述S1包括：
[0010]S11：获取开关电路中各电子元器件的工作参数；
[0011]S12：根据各所述工作参数，得到各所述输出支路的工作时长和运行参数作为所述预设工作参数。
[0012]优选地，所述S3包括：
[0013]S31：获取所述开关电路的启动信号和所述开关电路的持续工作的第一时长；
[0014]S32：根据所述启动信号，控制所述开关电路的第一供电电路导通；
[0015]S33：根据所述第一时长中特定的时刻信息，依次控制所述开关电路的其他各供电电路导通；
[0016]S34：根据所述预设工作参数的周期参数，重复S31至S33，开关电源对四条输出支路进行持续供电。
[0017]本专利技术还提供了一种基于ZVS双钳位反激开关电源控制方法的开关电路，所述开
关电路包括第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、变压器、控制器和储能电感，所述第一开关元件的第二电源端接所述储能电感的第一端，所述第二开关元件的第一电源端接储能电感的第一端，所述第二开关元件的第二电源端接所述第四开关元件的第二电源端，所述第三开关元件的第一电源端接输出端，所述第三开关元件的第二电源端接所述储能电感的第二端，所述第四开关元件的第一电源端接所述储能电感的第二端，所述第四开关元件的第二电源端接所述第四开关元件的第二电源端，所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述第三开关元件的控制端与所述控制器进行电性连接，所述控制器用于控制各开关元件的导通或者断开，从而实现多路电压输出；
[0018]其中，所述储能电感和所述变压器为同一电感器件。
[0019]优选地，所述开关电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、电感线圈和控制器，所述第一MOS管的漏极接电源输入端，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的漏极共点接电感线圈的第一端，所述第二MOS管的源极与第四MOS管的源极进行电性连接，所述第三MOS管的漏极接输出端，所述第三MOS管的源极与所述第四MOS管的漏极共点接电感线圈的第二端，所述第一MOS管的栅极、所述第二MOS管的栅极、所述第三MOS管的栅极和所述第四MOS管的栅极分别与所述控制器的信号输出端进行电性连接。
[0020]优选地，所述开关电路包括与第一工作阶段对应的第一供电电路、与第二工作阶段对应的第二供电电路、与第三工作阶段对应的第三供电电路和与第四工作阶段对应的第四供电电路。
[0021]优选地，所述第一供电电路包括对所述变压器进行励磁储能阶段和第三MOS管导通的准备阶段，所述第二供电电路包括电源经所述变压器进行供电的第一供电阶段和所述第二MOS管导通的准备阶段，所述第三供电电路包括变压器作为电源进行供电的第二供电阶段和所述第四MOS管导通的准备阶段，所述第四供电电路包括第四MOS管的ZVS导通阶段和第一MOS管导通的准备阶段。
[0022]优选地，所述励磁储能阶段为第一MOS管和第四MOS管导通，同时第二MOS管和第三MOS管关断，电源通过第一MOS管经电感线圈流向第四MOS管的过程中，电感线圈进行储能，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述第四MOS管导通的准备阶段为零电压导通阶段。
[0023]本专利技术还提供了一种ZVS双钳位反激开关电源，包括上述任一项所述的开关电路。
[0024]本专利技术还提供了一种电子设备，包括上述的ZVS双钳位反激电源开关电源。
[0025]综上所述，本专利技术的有益效果如下：
[0026]本专利技术提供的一种ZVS双钳位反激开关电源控制方法、开关电路及开关电源，根据开关电路实时的电信号参数和各输出支路的预设工作参数，来控制各输出支路的导通和断开，从而实现多个输出支路共用部分电子元件，减小开关电路的元器件数量和开关电路的复杂度，进而缩小开关电源的体积；根据各输出支路的工作时长，确定周期参数，从而实现开关电源的持续工作；本专利技术能够满足需要多个等级的电压同时供电的情况，且能够降低开关电路的复杂程度和开关电源的体积，满足电子设备越来越小型化的需求。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例中所需要使
用的附图作简单地介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，这些均在本专利技术的保护范围内。
[0028]图1为本专利技术实施例1中的ZVS双钳位反激开关电源控制方法的流程示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例1中的获取预设工作参数的流程示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例1中的各输出支路持续工作的流程示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例2中的ZVS双钳位反激电源开关电路的结构示意图；
[0032]图5为本专利技术实施例2中的ZVS双钳位反激电源开关电路的电路示意图；
[0033]图6为本专利技术实施例2中的四路输出电路在一个工作周期内电压电流的结构示意图。
具体实施方式
[0034]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ZVS双钳位反激开关电源控制方法，其特征在于，所述方法包括：S1：获取开关电路实时的电信号参数和各输出支路的预设工作参数；S2：根据所述电信号参数和各所述预设工作参数，控制各输出支路的导通和断开；S3：根据所述预设工作参数的周期参数，重复S1至S2，依次控制各所述输出支路导通，实现开关电源持续的多路输出。2.根据权利要求1所述的ZVS双钳位反激开关电源控制方法，其特征在于，所述S1包括：S11：获取开关电路中各电子元器件的工作参数；S12：根据各所述工作参数，得到各所述输出支路的工作时长和运行参数作为所述预设工作参数。3.根据权利要求1或2所述的ZVS双钳位反激开关电源控制方法，其特征在于，所述S3包括：S31：获取所述开关电路的启动信号和所述开关电路的持续工作的第一时长；S32：根据所述启动信号，控制所述开关电路的第一供电电路导通；S33：根据所述第一时长中特定的时刻信息，依次控制所述开关电路的其他各供电电路导通；S34：根据所述预设工作参数的周期参数，重复S31至S33，开关电源对四条输出支路进行持续供电。4.一种基于ZVS双钳位反激开关电源控制方法的开关电路，其特征在于，所述开关电路包括第一开关元件、第二开关元件、第三开关元件、第四开关元件、变压器、控制器和储能电感，所述第一开关元件的第二电源端接所述储能电感的第一端，所述第二开关元件的第一电源端接储能电感的第一端，所述第二开关元件的第二电源端接所述第四开关元件的第二电源端，所述第三开关元件的第一电源端接输出端，所述第三开关元件的第二电源端接所述储能电感的第二端，所述第四开关元件的第一电源端接所述储能电感的第二端，所述第四开关元件的第二电源端接所述第四开关元件的第二电源端，所述第一开关元件、所述第二开关元件、所述第三开关元件的控制端与所述控制器进行电性连接，所述控制器用于控制各开关元件的导通或者断开，从而实现多路电压输出；其中，所述储能电感和所述变压器为同一电感器件。5.根据权利要求4所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玉鹏，樊子宇，宋晓春，
申请(专利权)人：深圳市长运通半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：