【技术实现步骤摘要】
极性切换电路、手表及终端设备
[0001]本技术涉及电路领域,尤其涉及一种极性切换电路、手表及终端设备。
技术介绍
[0002]磁吸式USB连接线利用磁铁同性相斥、异性相吸的特性对USB接口进行防呆保护,当磁铁的磁力不够时,通过蛮力按压会使USB接口的触点与电子器件反接,造成器件损坏,因此增加防反接电路以对电子器件进行二次保护。
[0003]目前,通过二极管或者MOS管进行USB接口防反接保护,但是这两种防反接保护电路是为了防止反接时电路导通而设计的,常常会导致USB连接线无法进行充电和数据传输。
技术实现思路
[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种极性切换电路,能够使USB连接线在USB接口正接或者反接的情况下,均能进行正常的充电和数据传输。
[0005]本技术还提出一种具有上述极性切换电路的手表。
[0006]本技术还提出一种具有上述极性切换电路的终端设备。
[0007]根据技术的第一方面实施例的极性切换电路,包括:
[0008 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.极性切换电路,其特征在于,所述极性切换电路包括:电流输入模块,所述电流输入模块用于输入直流电流,所述电流输入模块包括第一输入端和第二输入端;数据输入模块,所述数据输入模块用于输入数据信号,所述数据输入模块包括第三输入端和第四输入端;电流极性切换模块,所述电流极性切换模块与所述电流输入模块电连接,用于对所述直流电流进行整流,所述电流极性切换模块包括第一N沟道MOS管、第一P沟道MOS管、第二N沟道MOS管和第二P沟道MOS管;电流输出模块,所述电流输出模块包括第一输出端和第二输出端,所述电流输出模块与所述电流极性切换模块电连接;数据极性切换模块,所述数据极性切换模块分别与所述数据输入模块、所述电流输入模块和所述电流输出模块电连接,所述电流输出模块用于当所述第一输出端的电流极性为正,所述第二输出端的电流极性为负时,给所述数据极性切换模块上电并使能;数据输出模块,所述数据输出模块与所述数据极性切换模块电连接,所述数据输出模块包括第三输出端和第四输出端;其中,所述第一N沟道MOS管和所述第二P沟道MOS管用于当所述第一输入端为所述直流电流的正极,所述第二输入端为所述直流电流的负极时截止;所述第一P沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管用于当所述第一输入端为所述直流电流的正极,所述第二输入端为所述直流电流的负极时导通,以使所述第一输出端的电流极性为正,所述第二输出端的电流极性为负;所述电流输入模块用于当所述第一输入端为所述直流电流的正极,所述第二输入端为所述直流电流的负极,控制所述数据极性切换模块的切换信号为高电平,当所述第三输入端为所述数据信号的负极,所述第四输入端为所述数据信号的正极,所述切换信号使所述第三输入端与所述第三输出端连接,所述第四输入端与所述第四输出端连接,所述第三输出端输出的数据极性为负,第四输出端输出的数据极性为正;所述第一P沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管用于当所述第一输入端为所述直流电流的负极,所述第二输入端为所述直流电流的正极时截止;所述第一N沟道MOS管和所述第二P沟道MOS管用于当所述第一输入端为所述直流电流的负极,所述第二输入端为所述直流电流的正极时导通,以使所述第一输出端的电流极性为正,所述第二输出端的电流极性为负;所述电流输入模块用于当所述第一输入端为所述直流电流的负极,所述第二输入端为所述直流电流的正极,控制所述数据极性切换模块的切换信号为低电平,当所述第三输入端为所述数据信号的正极,所述第四输入端为所述数据信号的负极,所述切换信号使所述第四输入端与所述第三输出端连接,所述第三输入端与所述第四输出端连接,所述第三输出端输出的数据极性为负,第四输出端输出的数据极性为正。2.根据权利要求1所述的极性切换电路,其特征在于,所述第一N沟道MOS管的漏极与所述第一P沟道MOS管的漏极分别连接所述第一输入端,所述第一N沟道MOS管的栅极与所述第一P沟道MOS管的栅极分别连接所述第二输入端,所述第一N沟道MOS管的源极连接所述第二输出端,所述第一P沟道MOS管的源极连接所述第一输出端;所述第二N沟道MOS管的栅极与所述第二P沟道MOS管的栅极分别连接所述第一输入端,所述第二N沟道MOS管的漏极与所述第二P沟道MOS管的漏极分别连接所述第二输入端,所述
第二N沟道MOS管的源极连接所述第二输出端,所述第二P沟道MOS管的源极连接所述第一输出端。3.根据权利要求1所述的极性切换电路,其特征在于,所述电流极性切换模块还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻和第八电阻;所述第一电阻的第一端、所述第三电阻的第一端、所述第二N沟道MOS管的漏极和所述第二P沟道MOS管的漏极分别连接所述第二输入端,所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端分别连接所述第一N沟道MOS管的栅极,所述第二电阻的第二端和所述第一N沟道MOS管的源极分别连接所述第二输...
【专利技术属性】
技术研发人员:许泽钦,
申请(专利权)人:深圳酷泰丰科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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