芯片的检查方法技术

技术编号:38377438 阅读:14 留言:0更新日期:2023-08-05 17:37
本发明专利技术提供芯片的检查方法,能够适当地评价通过被加工物的分割而形成的芯片。该芯片的检查方法包含如下的步骤:分割步骤,按照规定的分割加工条件对被加工物进行加工,由此将被加工物分割成多个芯片;拍摄步骤,对芯片的侧面进行拍摄,由此获取表现芯片的侧面的侧面图像;以及检查步骤,将从侧面图像抽取的评价值与阈值进行比较,由此对芯片的状态进行检查。由此对芯片的状态进行检查。由此对芯片的状态进行检查。

【技术实现步骤摘要】
芯片的检查方法


[0001]本专利技术涉及芯片的检查方法,对通过分割被加工物而形成的芯片进行检查。

技术介绍

[0002]在器件芯片的制造工艺中,使用在由相互交叉的多条间隔道(分割预定线)划分的多个区域内分别形成有器件的晶片。将该晶片沿着间隔道进行分割,由此得到分别具有器件的多个器件芯片。器件芯片组装于移动电话、个人计算机等各种电子设备。
[0003]在晶片的分割中,例如使用切削装置。切削装置具有对被加工物进行保持的卡盘工作台以及对被加工物进行切削的切削单元。在切削单元中内置有主轴,在主轴的前端部安装有环状的切削刀具。利用卡盘工作台对晶片进行保持,使切削刀具一边旋转一边切入至晶片,由此对晶片进行切削而分割成多个器件芯片。
[0004]另外,近年来,通过激光加工对晶片进行分割的工艺也在不断开发。例如一边使对于晶片具有透过性的激光束在晶片的内部会聚,一边使激光束沿着间隔道进行扫描,由此在晶片的内部沿着间隔道形成改质层。晶片的形成有改质层的区域比其他区域脆。因此,当对形成有改质层的晶片赋予外力时,改质层作为分割起点发挥功能,将晶片沿着间隔道进行分割。
[0005]在晶片的分割后,实施对各器件芯片的抗弯强度(弯曲强度)是否满足规定的基准进行确认的检查,仅将满足基准的器件芯片安装于制品。另外,在形成有不满足规定的基准的器件芯片的情况下,重新考虑晶片的加工条件以便将此后制造的器件芯片的抗弯强度维持为一定以上。
[0006]在测量器件芯片的抗弯强度时,需要在将晶片分割成多个器件芯片之后重复如下的作业:作业者使用镊子等以手动作业一个一个地拾取器件芯片,并搬送至进行抗弯强度的测量的测量装置。因此,器件芯片的检查花费工夫。另外,当以手动作业进行器件芯片的搬送时,担心在器件芯片的配置中产生偏差或误伤器件芯片。
[0007]因此,在器件芯片的抗弯强度的测量中,有时使用专用的检查装置。例如在专利文献1中公开了自动地实施用于测量器件芯片的抗弯强度的一系列的作业(拾取、搬送、测量等)的检查装置(试验装置)。
[0008]专利文献1:日本特开2021

5678号公报
[0009]在利用上述那样的检查装置对通过分割晶片等被加工物而得到的芯片进行检查的情况下,根据通过检查装置测量的抗弯强度的值是否落入预先设定的允许范围内而评价芯片。并且,将抗弯强度的值为允许范围外的芯片作为不良芯片从制品用的芯片排除。
[0010]但是,有时仅凭对通过检查装置测量的芯片的抗弯强度进行确认来作为实际的芯片的强度的评价是不充分的。例如在未适当地设定分割被加工物时的加工条件的情况下,即使芯片的抗弯强度的值落入允许范围内,有时也会在芯片的内部残留预料外的加工痕。并且,在之后的芯片的安装工艺或将芯片组装于制品后的阶段中,由于加工痕所导致的芯片的强度降低显著,在对芯片施加突发的冲击时,有可能以加工痕为开端而使芯片破损。

技术实现思路

[0011]本专利技术是鉴于该问题而完成的,其目的在于提供芯片的检查方法,能够适当地评价通过被加工物的分割而形成的芯片。
[0012]根据本专利技术的一个方式,提供芯片的检查方法,其中,该芯片的检查方法包含如下的步骤:分割步骤,按照规定的分割加工条件对被加工物进行加工,由此将该被加工物分割成多个芯片;拍摄步骤,对该芯片的侧面进行拍摄,由此获取表现该芯片的侧面的侧面图像;以及检查步骤,将从该侧面图像抽取的评价值与阈值进行比较,由此对该芯片的状态进行检查。
[0013]另外,优选该分割步骤包含如下的步骤:改质层形成步骤,沿着间隔道照射对于该被加工物具有透过性的激光束,由此在该被加工物的内部沿着该间隔道形成改质层;以及外力赋予步骤,对该被加工物赋予外力,由此以该改质层为起点而将该被加工物沿着该间隔道分割。另外,优选该评价值是与该侧面图像的表现该改质层的区域处的灰度对应的值或与该侧面图像中表现的该改质层的位置对应的值。
[0014]另外,根据本专利技术的另一方式,提供芯片的检查方法,其中,该芯片的检查方法包含如下的步骤:第1分割步骤,按照多个加工条件对多个第1被加工物进行加工,由此将该第1被加工物分别分割成多个第1芯片;第1拍摄步骤,对该第1芯片的侧面进行拍摄,由此获取表现该第1芯片的侧面的第1侧面图像;测量步骤,对该第1芯片的抗弯强度进行测量;分割加工条件设定步骤,将多个该加工条件中的能够形成抗弯强度最高的该第1芯片的加工条件设定为分割加工条件;基准图像设定步骤,将表现通过按照该分割加工条件对该第1被加工物进行加工而形成的该第1芯片的侧面的该第1侧面图像设定为基准图像;阈值设定步骤,设定从该基准图像抽取的评价值的阈值;第2分割步骤,按照该分割加工条件对第2被加工物进行加工,由此将该第2被加工物分割成多个第2芯片;第2拍摄步骤,对该第2芯片的侧面进行拍摄,由此获取表现该第2芯片的侧面的第2侧面图像;以及检查步骤,将从该第2侧面图像抽取的评价值与该阈值进行比较,由此对该第2芯片的状态进行检查。
[0015]在本专利技术的一个方式的芯片的检查方法中,根据从表现芯片的侧面的侧面图像抽取的评价值来检查芯片的状态。由此,能够更详细地把握仅凭测量芯片的抗弯强度而无法充分评价的芯片的状态,能够对通过被加工物的分割而得到的芯片进行适当的品质评价。
附图说明
[0016]图1的(A)是示出被加工物的立体图,图1的(B)是示出分割成多个芯片的被加工物的立体图。
[0017]图2是示出检查装置的立体图。
[0018]图3是省略构成要素的一部分而示出检查装置的立体图。
[0019]图4是示出拾取机构的立体图。
[0020]图5的(A)是示出下表面观察机构的立体图,图5的(B)是示出对臂的第2支承部进行保持的下表面观察机构的立体图。
[0021]图6的(A)是示出对芯片的下表面进行拍摄的拍摄单元的主视图,图6的(B)是示出对芯片的侧面进行拍摄的拍摄单元的主视图。
[0022]图7的(A)是示出下表面观察机构的拍摄单元的局部剖视主视图,图7的(B)是示出
干涉物镜的示意图。
[0023]图8的(A)是示出芯片翻转机构的立体图,图8的(B)是示出对芯片进行保持的芯片翻转机构的立体图,图8的(C)是示出使芯片翻转的芯片翻转机构的立体图。
[0024]图9是示出测量单元的立体图。
[0025]图10是示出支承单元的立体图。
[0026]图11是示出按压单元的立体图。
[0027]图12是示出通过支承单元支承着芯片的状态的测量单元的剖视图。
[0028]图13是示出芯片与支承台的支承部接触的状态的测量单元的剖视图。
[0029]图14是示出将芯片破坏的状态的测量单元的剖视图。
[0030]图15是示出第1芯片检查方法的流程图。
[0031]图16是示出激光加工装置的局部剖视主视图。
[0032]图17的(A)是示出扩展装置的局部剖视主视图,图17的(B)是示出对带进行本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的检查方法,其特征在于,该芯片的检查方法包含如下的步骤:分割步骤,按照规定的分割加工条件对被加工物进行加工,由此将该被加工物分割成多个芯片;拍摄步骤,对该芯片的侧面进行拍摄,由此获取表现该芯片的侧面的侧面图像;以及检查步骤,将从该侧面图像抽取的评价值与阈值进行比较,由此对该芯片的状态进行检查。2.根据权利要求1所述的芯片的检查方法,其特征在于,该分割步骤包含如下的步骤:改质层形成步骤,沿着间隔道照射对于该被加工物具有透过性的激光束,由此在该被加工物的内部沿着该间隔道形成改质层;以及外力赋予步骤,对该被加工物赋予外力,由此以该改质层为起点而将该被加工物沿着该间隔道分割。3.根据权利要求2所述的芯片的检查方法,其特征在于,该评价值是与该侧面图像的表现该改质层的区域处的灰度对应的值或与该侧面图像中表现的该改质层的位置对应的值。4.一种芯片的检查方法,其特征在于,该芯片的检查方法包含如下的...

【专利技术属性】
技术研发人员:小林真梅原冲人矢野紘英松冈祐哉
申请(专利权)人:株式会社迪思科
类型:发明
国别省市:

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