硅片切割面的钝化方法及硅片技术

本发明专利技术提供了一种硅片切割面的钝化方法及硅片，涉及半导体制备技术领域。钝化方法包括：仅将硅片的切割面裸露；先采用一氧化二氮对硅片的切割面进行化学钝化；再采用一氧化二氮和三甲基铝对硅片的切割面进行场钝化。对硅片的切割面进行了化学钝化和场钝化，钝化全面，且化学钝化和场钝化的钝化效果均很好。同时，采用一氧化二氮进行化学钝化，生成钝化膜的速度快，而且结构简单、成本低。采用一氧化二氮和三甲基铝进行场钝化，场钝化效果好。同时，化学钝化和场钝化过程中，均使用一氧化二氮，减少了钝化原材料的种类，简化了钝化工艺。简化了钝化工艺。简化了钝化工艺。

【技术实现步骤摘要】
硅片切割面的钝化方法及硅片


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，特别是涉及一种硅片切割面的钝化方法及硅片。

技术介绍

[0002]硅片的切割面存在Si
‑
Si键的断裂，会产生大量的悬挂键以及晶格缺陷，使得硅片的切割面复合严重，导致硅片的光电转换效率下降。通常采用钝化的方式，对硅片的切割面进行修复。
[0003]现有的对于硅片的切割面的钝化中，主要采用臭氧进行，但是该钝化方法，对硅片的场钝化效果较差，依然导致硅片的光电转换效率降幅较大，同时该钝化方法还需要臭氧发生器，结构复杂，成本较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种硅片切割面的钝化方法及硅片，旨在解决切割面的钝化中，钝化效果欠佳，且钝化成本较高的问题。
[0005]本专利技术的第一方面提供一种硅片切割面的钝化方法，所述方法包括：
[0006]仅将硅片的切割面裸露；
[0007]先采用一氧化二氮对所述硅片的切割面进行化学钝化；
[0008]再采用一氧化二氮和三甲基铝(TMA)对所述硅片的切割面进行场钝化。
[0009]本专利技术实施例中，对硅片的切割面进行了化学钝化和场钝化，钝化全面，且化学钝化和场钝化的钝化效果均很好。同时，采用一氧化二氮进行化学钝化，生成钝化膜的速度快，而且结构简单、成本低。采用一氧化二氮和三甲基铝进行场钝化，场钝化效果好。同时，化学钝化和场钝化过程中，均使用一氧化二氮，减少了钝化原材料的种类，减少了钝化原料的切换，简化了钝化工艺。
[0010]可选的，在进行场钝化之后，所述方法还包括：
[0011]采用一氧化二氮，对钝化后的硅片的切割面，进行等离子体电离。该步骤对场钝化过程中生成的不够稳定的八面体的AlO
x
，进行修复和激活，以及让N2O和可能剩余的TMA继续反应，减少TMA残余以及增强钝化效果。
[0012]可选的，所述采用一氧化二氮对所述硅片的切割面进行化学钝化，包括：
[0013]向放置有仅切割面裸露的硅片的钝化容器中，通入一氧化二氮，保温第一预设时长，以对所述硅片的切割面进行化学钝化；
[0014]所述采用一氧化二氮和三甲基铝对所述硅片的切割面进行场钝化，包括：
[0015]向所述钝化容器中，交替通入一氧化二氮和三甲基铝，以对所述硅片的切割面进行场钝化。
[0016]可选的，所述采用一氧化二氮对所述硅片的切割面进行化学钝化，包括：
[0017]向放置有仅切割面裸露的硅片的钝化容器中，首次通入一氧化二氮，以对所述硅
片的切割面进行化学钝化；
[0018]所述采用一氧化二氮和三甲基铝对所述硅片的切割面进行场钝化，包括：
[0019]向所述钝化容器中，交替通入三甲基铝和一氧化二氮，以对所述硅片的切割面进行场钝化；首次通入一氧化二氮的体积量为第一预设体积量；交替通入三甲基铝和一氧化二氮的过程中，每次通入一氧化二氮的体积量为第二预设体积量，所述第一预设体积量大于所述第二预设体积量。
[0020]交替方式通入一氧化二氮和三甲基铝，或者先通入一氧化二氮，再交替通入三甲基铝和一氧化二氮进行场钝化，均可以使得TMA反应较为完全且尽量减少TMA与硅片切割面的接触，均可以节省TMA的用量，TMA相对笑气N2O而言，成本较高，进而可以节省成本，更重要的是，先通入N2O，再通入TMA可以生成较多的四面体的AlO
x
，生成较少的八面体的AlO
x
，而四面体的AlO
x
更稳定，钝化效果更好。
[0021]可选的，交替通入的次数为10
‑
80次；交替通入的过程中，每一次通入的三甲基铝的质量流率为：200
‑
650毫克/分钟，一氧化二氮的流量为：700
‑
950标准毫升/分钟，所述钝化容器的温度为：150
‑
350℃；
[0022]场钝化生成的氧化铝薄膜的厚度为2
‑
30nm。
[0023]可选的，向放置有仅切割面裸露的硅片的钝化容器中，通入一氧化二氮的流量为：100
‑
1000标准毫升/分钟；通入一氧化二氮的过程中，所述钝化容器的温度为：100
‑
500℃；
[0024]保温第一预设时长后，化学钝化生成的二氧化硅薄膜的厚度为1
‑
3nm。
[0025]可选的，交替通入一氧化二氮和三甲基铝之前，所述方法还包括：对所述钝化容器抽真空。
[0026]可选的，所述第一预设时长为8
‑
12分钟。
[0027]可选的，等离子体电离过程中，一氧化二氮的流量为：100
‑
1000标准毫升/分钟，等离子体电离的温度为：100
‑
500℃，电离功率为3000
‑
10000w。
[0028]可选的，所述硅片为切片太阳能电池中的硅基底，所述硅片的切割面为切片太阳能电池裂片的切割面。
[0029]可选的，其特征在于，采用等离子体增强化学的气相沉积方式，进行等离子体电离。
[0030]本专利技术的第二方面提供一种硅片，所述硅片由任一前述的硅片切割面的钝化方法，对所述硅片的切割面钝化得到。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1示出了本专利技术实施例中的一种钝化方法的步骤流程图；
[0033]图2示出了本专利技术实施例中的一种金属舟的立体结构示意图；
[0034]图3示出了本专利技术实施例中的一种金属舟的正视示意图；
[0035]图4示出了本专利技术实施例中的另一种钝化方法的步骤流程图。
[0036]附图编号说明：
[0037]1‑
金属舟，2
‑
硅片，21
‑
硅片的切割面。
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]图1示出了本专利技术实施例中的一种钝化方法的步骤流程图，参照图1所示，该方法包括如下步骤：
[0040]步骤S1，仅将硅片的切割面裸露。
[0041]仅将硅片的切割面裸露，可以防止在钝化过程中，其他面被氧化。具体的，可以将硅片叠放，在层叠方向上，位于中间的硅片的两个表面均被相邻的硅片遮挡。在层叠方向上，第一个硅片中远离最后一个硅片的表面上，叠放铝合金板，在最后一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片切割面的钝化方法，其特征在于，包括：仅将硅片的切割面裸露；先采用一氧化二氮对所述硅片的切割面进行化学钝化；再采用一氧化二氮和三甲基铝对所述硅片的切割面进行场钝化。2.根据权利要求1所述的硅片切割面的钝化方法，其特征在于，在进行场钝化之后，所述方法还包括：采用一氧化二氮，对钝化后的硅片的切割面，进行等离子体电离。3.根据权利要求1所述的硅片切割面的钝化方法，其特征在于，所述采用一氧化二氮对所述硅片的切割面进行化学钝化，包括：向放置有仅切割面裸露的硅片的钝化容器中，通入一氧化二氮，保温第一预设时长，以对所述硅片的切割面进行化学钝化；所述采用一氧化二氮和三甲基铝对所述硅片的切割面进行场钝化，包括：向所述钝化容器中，交替通入一氧化二氮和三甲基铝，以对所述硅片的切割面进行场钝化。4.根据权利要求1所述的硅片切割面的钝化方法，其特征在于，所述采用一氧化二氮对所述硅片的切割面进行化学钝化，包括：向放置有仅切割面裸露的硅片的钝化容器中，首次通入一氧化二氮，以对所述硅片的切割面进行化学钝化；所述采用一氧化二氮和三甲基铝对所述硅片的切割面进行场钝化，包括：向所述钝化容器中，交替通入三甲基铝和一氧化二氮，以对所述硅片的切割面进行场钝化；首次通入一氧化二氮的体积量为第一预设体积量；交替通入三甲基铝和一氧化二氮的过程中，每次通入一氧化二氮的体积量为第二预设体积量，所述第一预设体积量大于所述第二预设体积量。5.根据权利要求3或4所述的硅片切割面的钝化方法，其特征在于，交替通入的次数为10
‑
80次；交替通入的过程中，每一次通入的三甲基铝的质量流率为：200
‑
650毫克/分钟，一氧化二氮的流量为：700
‑
950标准毫升/...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢卫华，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：