一种增强低维半导体光电性能的方法技术

本发明专利技术属于二维光电材料技术领域，涉及一种增强低维半导体光电性能的方法，包括以下步骤；二维磁性材料和低维半导体材料晶体的制取；薄层二维磁性材料和低维半导体材料的分离；薄层二维磁性材料和低维半导体材料光电异质结的构筑。本发明专利技术利用二维磁性材料的自旋注入，通过低维半导体与磁性材料的影响，提高了低维半导体材料的光电性能，为提高低维半导体光电性能提供了一种新型简易的方法。光电性能提供了一种新型简易的方法。光电性能提供了一种新型简易的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种增强低维半导体光电性能的方法


[0001]本专利技术涉及一种通过自旋增强低维半导体光电性能的方法，可用于室温自旋电子器件应用方面。属于二维光电材料


技术介绍

[0002]近年以来，电子器件的尺寸越来越接近于物理极限，摩尔定律岌岌可危。而低维材料尺寸除了尺寸可以得到突破以外，一些迥异于块体材料的优良性能也为人们所发现，因此低维材料被认为是未来材料科学发展和下一代电子器件一个新的选择。但是目前低维光电探测器的响应速度和灵敏度无法兼顾，缺乏一种行之有效的通用方式提高低维半导体材料的性能。
[0003]目前关于增强光电探测的方法有很多，比如人工设计光吸收的介质，去增强器件光吸收介质，增强器件光吸收。或者设计光电晶体管，通过调控栅极电压增强器件性能，设计应变，自旋注入等方式。但是目前自旋注入多数采用磁性掺杂的方法，具有掺杂不均匀的问题，这些方法重复性不高，制备比较困难。
[0004]本专利技术通过设计异质结界面，通过磁近邻效应优化自旋注入，从而提高性能。提出的通过自旋注入有一些独有的优点，是一种新型简易的方式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增强低维半导体光电性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取10
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30nm厚度的二维Fe3GeTe2薄膜、一维ZnO、第一电极、第二电极；将所述一维ZnO转移到第一PDMS上；之后将第一PDMS放置在转移平台中的玻璃片上，使用转移平台内的显微镜与下面的第一电极和第二电极对准，缓慢下降至与所述第一电极和第二电极贴合，加热所述第一PDMS至85℃并维持10min，缓慢抬起使第一PDMS与一维ZnO分离，并使一维ZnO的两端分别位于第一电极和第二电极上；将所述二维Fe3GeTe2转移到第二PDMS上，将所述第二PDMS放置在转移平台中的玻璃片上，使用转移平台内的显微镜与所述一维ZnO对准，缓慢下降至与所述一维ZnO贴合，加热所述第二PDMS至85℃并维持10min，缓慢抬起使第二PDMS与所述二维Fe3GeTe2分离，使所述二维Fe3GeTe2同时接触所述一维ZnO和第一电极。2.如权利要求1所述的一种增强低维半导体光电性能的方法，其特征在于，还包括以下步骤：获取石墨烯材料，将所述石墨烯材料转移到第三PDMS上；将所述石墨烯材料转移到第三PDMS上，所述第三PDMS放置在转移平台中的玻璃片上，使用转移平台内的显微镜与所述一维ZnO和第二电极的交接处对准，缓慢下降至与所述交接处贴合，加热所述第二PDMS至85℃并维持10min，缓慢抬起使第三PDMS与所述石墨烯材料分离，并使所述石墨烯材料不接触所述二维Fe3GeTe2。3.如权利要求1所述的一种增强低维半导体光电性能的方法，其特征在于：所述10
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30nm厚度的二维Fe3GeTe2薄膜的制备方法包括：获取Fe3GeTe2晶体，将所述Fe3GeTe2晶体放在蓝膜上，机械剥离5
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15次后，得到10
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30nm左右厚度的二维Fe3GeTe2薄膜。4.如权利要求1所述的一种增强低维半导体光电性能的方法，其特征在于：所述一维ZnO的制备方法包括：采用CVD法，设置真空度为260Pa，使用ZnO粉末与高纯碳C粉作为反应源物质，在1450℃与40sccm通氩气Ar的条件下，ZnO与碳粉发生还原反应，然后氩气携带氧气O2和锌Zn蒸汽生发生氧化反应生成ZnO蒸汽，最终ZnO蒸汽沉积在衬底表面形核并长大得到一维ZnO阵列；将上一步得到的一维ZnO阵列放在盛有4ml 99.9％纯度的无水乙醇的离心管中，放入超声仪器中使用800W的功率进行振荡20s，之后使用0.5ml容量的滴管将其滴在表面镀有氧化硅的硅衬底上，之后在70℃条件下烘干得到一维ZnO。5.一种增强低维半导体光电性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取二维Fe3GeTe2、10
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30nm厚度的二维BP、第一电极、第二电极；将所述二维Fe3GeTe2转移到第二PDMS上，将所述第二PDMS...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡亮，刘福浩，程李源，杨秉璋，全清林，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：