一种晶硅电池及其ALD提效工艺与应用制造技术

本发明专利技术涉及一种晶硅电池及其ALD提效工艺与应用，所述晶硅电池的ALD提效工艺包括如下步骤：(1)在反应装置中放入硅片，循环通入水蒸汽，在所述硅片表面生成薄膜；(2)通入钝化反应气，在所述薄膜表面生成钝化层，完成所述ALD提效工艺。本发明专利技术在钝化层之前通入水蒸汽进行循环，在硅片的表面生成了薄膜，可以有效的改善湿法残留造成的表面缺陷，消除了硅片表面的寄生电容效应，增强了硅片的化学钝化和场钝化效果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种晶硅电池及其ALD提效工艺与应用


[0001]本专利技术属于太阳能电池生产
，涉及一种晶硅电池及其ALD提效工艺与应用。

技术介绍

[0002]近年来，光伏技术研发和产业化进展突飞猛进，PERC作为目前行业主流产品被大量成熟应用，同时效率提升也遇到瓶颈，技术焦点由P型转向N型。
[0003]随着光伏行业逐步进入n型时代，以TOPCon、HJT、IBC为代表的n型电池技术成为了研究焦点。其中最主要的研究方向之一就是TOPCon技术路线，其具备高效率和低成本的高性价比。
[0004]TOPCon是一种典型的钝化接触技术，其核心结构由超薄氧化硅层和重掺杂多晶硅层组成，具有量产效率高、兼容现有产线等优点，被广泛认可为下一代主流晶硅太阳电池技术。因此，研究高效TOPCon电池技术、理解关键科学问题、突破核心材料技术、研制先进量产装备技术是当前光伏研究领域的重要内容。
[0005]现有技术中采用一种光伏N型TOPCon电池ALD钝化膜制造工艺，包括以下步骤：步骤S1，在工艺腔室内放入经湿法工序处理后的基体，在工艺腔室内形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅电池的ALD提效工艺，其特征在于，所述晶硅电池的ALD提效工艺包括如下步骤：(1)在反应装置中放入硅片，循环通入水蒸汽，在所述硅片表面生成薄膜；(2)通入钝化反应气，在所述薄膜表面生成钝化层，完成所述ALD提效工艺。2.根据权利要求1所述晶硅电池的ALD提效工艺，其特征在于，步骤(1)所述硅片经过湿法处理；优选地，步骤(1)所述循环通入水蒸汽前还包括：对反应装置进行抽真空；优选地，所述抽真空后的真空状态为≤1Pa；优选地，步骤(1)所述反应装置的腔体内温度为180～280℃；优选地，步骤(1)所述循环通入水蒸汽前，所述硅片在反应装置内的加热时间为200～400s。3.根据权利要求1或2所述晶硅电池的ALD提效工艺，其特征在于，步骤(1)所述循环通入水蒸汽的方式包括：先通入水蒸汽，再通入氮气吹扫，按照通入的顺序进行循环；优选地，所述循环的次数为5～10次；优选地，所述通入水蒸汽的持续时间为5～10s；优选地，所述通入氮气吹扫的持续时间为10～20s。4.根据权利要求1
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3任一项所述晶硅电池的ALD提效工艺，其特征在于，步骤(1)所述薄膜为SiO2薄膜；优选地，步骤(1)所述薄膜在硅片的两个表面上生成。5.根据权利要求1
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4任一项所述晶硅电池的ALD提效工艺，其特征在于，步骤(2)所述钝化反应气包括铝源气体；优选地，所述铝源气体包括三甲基铝；优选地，步骤(2)还包括通入水蒸汽，与所述钝化反应气交替通入；优选地，所述交替的方式包括：先通入铝源气体，再通入第一次氮气吹扫，然后通入水蒸汽，最后通入第二次氮气吹扫，按照...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱响彬，程增辉，宋飞飞，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：