一种用于Topcon碱抛清洗的方法技术

本发明专利技术提供了一种Topcon碱抛清洗的方法，包括进入碱抛机台前清洗、水洗、碱抛、水洗、后清洗、水洗、酸洗、水洗、慢提拉、烘干。本发明专利技术通过降低后清洗的工艺温度，减少双氧水的挥发，增加碱的浓度，促进双氧水的分解保证表面的清洗效果，从而降低双氧水的耗量的同时不影响清洗效果，低温可以降低碱对硅片表面的腐蚀，不易损伤表面，对碱抛减重、反射率等没有大的影响，同时验证了对电池片的效率及良率无负面影响。响。

【技术实现步骤摘要】
一种用于Topcon碱抛清洗的方法


[0001]本专利技术属于光伏电池
，尤其涉及一种用于Topcon碱抛清洗的方法。

技术介绍

[0002]随着社会的发展，降本和提效已经成为光伏电池两大不可逃避的话题。太阳能电池作为当下新能源之一，其最重要工序碱抛清洗是太阳能电池制造工艺中不可缺少的一部分，随着清洗技术的不断改进，槽式碱抛清洗在提高太阳能电池的效率、降低工序成本上有了显著优势。
[0003]但是目前碱抛的后清洗槽采用的是50～70℃的温度下进行清洗，温度比较高，双氧水在此温度下挥发量较高，导致双氧水的耗量一直很高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种用于Topcon碱抛清洗的方法，本专利技术中的方法在保证碱抛清洗效果的同时，进一步降低了双氧水的消耗量，且对太阳能电池片的效率、良率无负面影响。
[0005]本专利技术提供了一种用于Topcon碱抛清洗的方法，包括以下步骤：
[0006](1)前清洗：清洗硅片表面残留脏污；
[0007](2)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；
[0008](3)碱抛：对硅片进行背面抛光；
[0009](4)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；
[0010](5)后清洗：使用氢氧化钠和双氧水混合液清洗硅片表面经过抛光后残留的脏污；氢氧化钠的质量浓度为1～2％，所述后清洗的温度为20～30℃；
[0011](6)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；/>[0012](7)酸洗：使用氢氟酸和盐酸去除硅片表面残留的碱，及金属离子；
[0013](8)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的酸液；
[0014](9)慢提拉：预脱水为烘干硅片做准备；
[0015](10)烘干：烘干硅片表面残留水分。
[0016]优选的，所述前清洗使用氢氧化钠和双氧水混合液进行前清洗，氢氧化钠的质量浓度为0.5～1％，双氧水的质量浓度为2～3％。
[0017]优选的，所述前清洗的温度为45～55℃，前清洗的时间为115～125s。
[0018]优选的，使用氢氧化钠和碱抛添加剂混合液进行碱抛，氢氧化钠的质量浓度为3～5％，碱抛添加剂混合液的浓度为1～2％。
[0019]优选的，所述碱抛的温度为55～65℃，碱抛的时间为225～235s。
[0020]优选的，所述后清洗中，双氧水混合液的质量浓度为0.5～1.5％，所述后清洗的时间为115～125s。
[0021]优选的，所述酸洗步骤中，氢氟酸的质量浓度为0.5～1％，盐酸的质量浓度为1.5
～2.5％。
[0022]优选的，所述酸洗的时间为95～105s。
[0023]优选的，所述烘干的温度为85～95℃，所述烘干的时间为790～810s。
[0024]本专利技术提供了一种Topcon碱抛清洗的方法，包括进入碱抛机台前清洗、水洗、碱抛、水洗、后清洗、水洗、酸洗、水洗、慢提拉、烘干。本专利技术通过降低后清洗的工艺温度，减少双氧水的挥发，增加碱的浓度，促进双氧水的分解保证表面的清洗效果，从而降低双氧水的耗量的同时不影响清洗效果，低温可以降低碱对硅片表面的腐蚀，不易损伤表面，对碱抛减重、反射率等没有大的影响，同时验证了对电池片的效率及良率无负面影响。
具体实施方式
[0025]本专利技术提供了一种用于Topcon碱抛清洗的方法，包括以下步骤：
[0026](1)前清洗：清洗硅片表面残留脏污；
[0027](2)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；
[0028](3)碱抛：对硅片进行背面抛光；
[0029](4)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；
[0030](5)后清洗：使用氢氧化钠和双氧水混合液清洗硅片表面经过抛光后残留的脏污；氢氧化钠的质量浓度为1～2％，所述后清洗的温度为20～30℃；
[0031](6)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；
[0032](7)酸洗：使用氢氟酸和盐酸去除硅片表面残留的碱，及金属离子；
[0033](8)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的酸液；
[0034](9)慢提拉：预脱水为烘干硅片做准备；
[0035](10)烘干：烘干硅片表面残留水分。
[0036]在本专利技术中，所述前清洗使用氢氧化钠和双氧水混合液进行清洗，在前清洗的清洗液中，所述氢氧化钠的质量浓度优选为0.5～1％，更优选为0.6～0.9％，如0.5％，0.6％，0.7％，0.8％，0.9％，1％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值；在本专利技术中，所述双氧水混合液包括过氧化氢和水，为EL级双氧水，在本专利技术中，所述双氧水混合溶液的浓度优选为30％。在所述前清洗的清洗液中，所述双氧水的质量浓度优选为2～3％，更优选为2.2～2.8％，如2％，2.1％，2.2％，2.3％，2.4％，2.5％，2.6％，2.7％，2.8％，2.9％，3％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
[0037]在本专利技术中，所述前清洗的温度优选为45～55℃，如45℃，46℃，47℃，48℃，49℃，50℃，51℃，52℃，53℃，54℃，55℃，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值；所述前清洗的时间优选为115～125s，更优选为120s。
[0038]在本专利技术中，所述步骤(2)中的水洗用于冲洗经过前清洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液，采用本领域常规的水洗方法即可，本专利技术在此不再赘述。
[0039]在本专利技术中，所述碱抛使用氢氧化钠和碱抛添加剂混合溶液进行，所述氢氧化钠的质量浓度优选为3～5％，更优选为4～5％，如3％，3.1％，3.2％，3.3％，3.4％，3.5％，3.6％，3.7％，3.8％，3.9％，4％，4.1％，4.2％，4.3％，4.4％，4.5％，4.6％，4.7％，4.8％，4.9％，5％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值；所述碱抛添加剂混合溶液包括1～2wt％的苯甲酸钠、3～4wt％的消泡剂、7～9wt％的表面活性剂和余量的水，在所述碱抛
所使用的碱抛液中，所述碱抛添加剂(苯基酸钠、消泡剂和表面活性剂的总质量)的质量浓度优选为1～2％，更优选为1.2～1.8％，如1％，1.1％，1.2％，1.3％，1.4％，1.5％，1.6％，1.7％，1.8％，1.9％，2％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
[0040]在本专利技术中，所述碱抛的温度优选为55～65℃，如55℃，56℃，57℃，58℃，59℃，60℃，61℃，62℃，63℃，64℃，65℃，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值；所述碱抛的时间优选为225～235s，更优选为230s。
[0041]在本专利技术中，所述步骤(4)中的水洗用于冲洗碱抛后已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液，采用本领域常规的水洗方法即可，本专利技术在此不再赘述。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于Topcon碱抛清洗的方法，包括以下步骤：(1)前清洗：清洗硅片表面残留脏污；(2)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；(3)碱抛：对硅片进行背面抛光；(4)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；(5)后清洗：使用氢氧化钠和双氧水混合液清洗硅片表面经过抛光后残留的脏污；氢氧化钠的质量浓度为1～2％，所述后清洗的温度为20～30℃；(6)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的碱液；(7)酸洗：使用氢氟酸和盐酸去除硅片表面残留的碱，及金属离子；(8)水洗：冲洗已经脱附的杂质及硅片表面残留的酸液；(9)慢提拉：预脱水为烘干硅片做准备；(10)烘干：烘干硅片表面残留水分。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前清洗使用氢氧化钠和双氧水混合液进行前清洗，氢氧化钠的质量浓度为0.5～1％，双氧水的质量浓度为2～3％。3.根据权利要求2所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁涛，付少剑，郁寅珑，王立富，郭小飞，张明明，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：