一种湿法刻蚀设备制造技术

本申请提供了一种湿法刻蚀设备，涉及光伏技术领域。湿法刻蚀设备包括：硅片输送平台，沿硅片输送平台的输送方向依次设置有第一水层赋予装置、第一除水件以及酸槽。第一水层赋予装置用于在硅片输送平台上的硅片的正面覆盖第一水层。第一除水件位于硅片输送平台的上方，并距硅片输送平台保持第一预设距离，以去除硅片的正面的水分至第一水层在第一预设厚度内。酸槽用于容纳刻蚀液，酸槽位于硅片输送平台的下方并用于使得硅片的背面附有刻蚀液。本申请提供的湿法刻蚀设备不仅可以保护硅片的正面以避免硅片的正面激光重掺杂光斑区域被腐蚀，也可以有利于有效降低刻蚀液的使用成本。本。本。

【技术实现步骤摘要】
一种湿法刻蚀设备


[0001]本申请涉及光伏
，具体而言，涉及一种湿法刻蚀设备。

技术介绍

[0002]晶硅太阳电池的制备工艺一般包括依次进行制绒、扩散、激光重掺杂、链氧、去除硅片背面的磷硅玻璃(Phospho Silicate Glass，PSG)层以及碱抛等工序。其中，去除硅片背面的PSG层的工序主要是在湿法刻蚀设备中的酸槽中进行，借助酸槽内的刻蚀液对硅片背面的PSG层进行去除。由于酸槽内的刻蚀液一般为挥发性高浓度酸液(例如，氢氟酸等)，在使用刻蚀液对硅片背面的PSG层进行去除时，需要在硅片的正面覆盖一层水层，以避免硅片的正面直接与酸槽内挥发的酸液接触，进而保护硅片的正面以避免硅片的正面激光重掺杂光斑区域被腐蚀，有利于提高电池的转换效率以及EL良率。
[0003]但是，硅片在经输送装置传输并经过酸槽的过程中，硅片的正面覆盖的水层容易掉落至酸槽内，造成酸槽内的刻蚀液被稀释，进而影响硅片的背面PSG层的刻蚀去除效果。在此情况下，若要保证硅片的背面PSG层的去除效果，则需要不断补加高浓度刻蚀液以维持酸槽内刻蚀液的浓度，导致刻蚀液使用成本较高。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种湿法刻蚀设备，其旨在改善现有的湿法刻蚀设备需要不断补加刻蚀液而造成的刻蚀液使用成本较高的技术问题。
[0005]本申请提供一种湿法刻蚀设备，包括：硅片输送平台，沿硅片输送平台的输送方向依次设置有第一水层赋予装置、第一除水件以及酸槽。
[0006]第一水层赋予装置用于在硅片输送平台上的硅片的正面覆盖第一水层。第一除水件位于硅片输送平台的上方，并距硅片输送平台保持第一预设距离，以去除硅片的正面的水分至第一水层在第一预设厚度内。酸槽用于容纳刻蚀液，酸槽位于硅片输送平台的下方并用于使得硅片的背面附有刻蚀液。
[0007]本申请通过在湿法刻蚀设备中的第一水层赋予装置以及酸槽之间设置第一除水件，以去除硅片的正面的多余水分，至硅片正面覆盖的第一水层在第一预设厚度内。上述设置方式，不仅可以使得硅片在经硅片输送平台输送并经过酸槽的过程中，硅片的正面能够被第一预设厚度内的第一水层保护，以避免硅片的正面直接与酸槽内挥发的刻蚀液气体接触，进而保护硅片的正面以避免硅片的正面激光重掺杂光斑区域被腐蚀，有利于提高后续制得的电池的转换效率以及EL良率；也可以有利于避免由于硅片的正面具有多余的水分，而导致的硅片的正面的多余水分掉落至酸槽内造成酸槽内的刻蚀液浓度降低而需要不断补加高浓度刻蚀液的情况，有利于降低刻蚀液的使用成本。
[0008]本申请可选的实施方式中，第一除水件的靠近硅片输送平台的一端具有第一端面，第一除水件的靠近第一水层赋予装置的一端具有第二端面，第一端面与第二端面连接，且第一端面平行于水平方向，第二端面朝向远离硅片输送平台的方向延伸。
[0009]上述设置方式，可以使得硅片在被硅片输送平台沿输送方向输送时，硅片的正面上覆盖的多余水分能够被第一端面和第二端面有效阻挡并从硅片的正面上去除，进而实现第一除水件能够有效去除硅片的正面的水分至第一水层在第一预设厚度内。
[0010]本申请可选的实施方式中，定义与高度方向以及输送方向均垂直的方向为预设方向，沿预设方向，第一端面与第二端面的尺寸均大于等于硅片输送平台的尺寸。
[0011]上述设置方式，有利于第一除水件能够进一步有效去除硅片的正面的水分至第一水层在第一预设厚度内，有利于避免由于第一端面和第二端面沿预设方向的尺寸较短，而造成的第一除水件无法充分去除硅片的正面的多余水分的情况。
[0012]本申请可选的实施方式中，第一预设距离为1
‑
10mm。
[0013]第一预设距离为1
‑
10mm，可以使得经过第一除水件去除水分的硅片正面留下的第一水层的厚度较为合适，不仅可以使得硅片在经硅片输送平台输送并经过酸槽的过程中，硅片的正面水层能够有效隔离硅片与酸槽内挥发的刻蚀液气体，也有利于避免硅片的正面的多余水分掉落至酸槽内，而造成的酸槽内的刻蚀液浓度降低而需要不断补加高浓度刻蚀液的情况。
[0014]本申请可选的实施方式中，酸槽包括第一槽体和第二槽体，湿法刻蚀设备还包括水层去除装置、第二水层赋予装置以及第二除水件；第一槽体、水层去除装置、第二水层赋予装置、第二除水件以及第二槽体沿输送方向依次设置。
[0015]水层去除装置用于去除第一水层；第二水层赋予装置用于在硅片的正面覆盖第二水层；第二除水件位于硅片输送平台的上方，并距硅片输送平台保持第二预设距离，以去除硅片的正面的水分至第二水层在第二预设厚度内。
[0016]由于硅片在经硅片输送平台输送并经过酸槽的过程中，硅片正面覆盖的水层可能会溶解吸收部分空气中的挥发性刻蚀液气体而具有一定的酸性，易腐蚀硅片的正面激光重掺杂光斑区域。本申请通过将酸槽设置为相互独立并沿输送方向依次设置的第一槽体以及第二槽体，并沿输送方向在第一槽体与第二槽体之间依次设置水层去除装置、第二水层赋予装置以及第二除水件，水层去除装置可以有效去除硅片正面的呈酸性的第一水层以避免呈酸性的第一水层覆盖于硅片正面的时间较长，而导致硅片的正面激光重掺杂光斑区域腐蚀严重的情况；第二水层赋予装置以及第二除水件可以使得硅片的正面重新被覆盖新的水层(即第二水层)，不仅可以保护硅片的正面以避免硅片的正面激光重掺杂光斑区域被腐蚀，也可以有利于有效降低第二槽体内的刻蚀液使用成本。
[0017]本申请可选的实施方式中，水层去除装置包括绕高度方向旋转的转轴以及连接部；连接部一端与转轴连接，另一端用于与硅片连接。
[0018]上述设置方式，可以通过转轴的旋转，使得硅片上的第一水层被有效去除。
[0019]本申请可选的实施方式中，位于第一槽体和第二槽体的上方的硅片输送平台均包括多个沿输送方向依次设置的滚轮，滚轮的沿高度方向的上端用于与硅片的背面接触，滚轮的沿高度方向的下端用于与酸槽内的刻蚀液接触，以使滚轮滚动并输送硅片时，硅片的背面附有刻蚀液。
[0020]上述设置方式，可以通过滚轮的滚动，有效实现硅片的正面不与刻蚀液接触，而硅片的背面能够有效粘附刻蚀液，进而实现有效对硅片背面的PSG层进行去除。
[0021]本申请可选的实施方式中，转轴可绕高度方向旋转至少180
°
。
[0022]由于硅片在滚轮上输送的过程中，易导致硅片背面的沿输送方向的前端与后端的刻蚀程度不一致；本申请通过设置转轴可绕高度方向旋转至少180
°
，可以将硅片沿输送方向的前后端位置调换，使得途经第一槽体的硅片前后端与途经第二槽体的硅片前后端相反，进而有利于使得硅片在经过第一槽体和第二槽体后，硅片背面的刻蚀均一性较佳。
[0023]本申请可选的实施方式中，转轴以及连接部的数量均为至少两个，一个转轴连接一个连接部，且至少一个转轴为可升降转轴。
[0024]上述设置方式，可以使得硅片能够相对于水平面倾斜，使得硅片正面上的第一水层能够受到重力作用而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀设备，其特征在于，包括：硅片输送平台，沿所述硅片输送平台的输送方向依次设置有第一水层赋予装置、第一除水件以及酸槽；所述第一水层赋予装置用于在所述硅片输送平台上的硅片的正面覆盖第一水层；所述第一除水件位于所述硅片输送平台的上方，并距所述硅片输送平台保持第一预设距离，以去除所述硅片的正面的水分至所述第一水层在第一预设厚度内；所述酸槽用于容纳刻蚀液，所述酸槽位于所述硅片输送平台的下方并用于使得所述硅片的背面附有所述刻蚀液。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述第一除水件的靠近所述硅片输送平台的一端具有第一端面，所述第一除水件的靠近所述第一水层赋予装置的一端具有第二端面，所述第一端面与所述第二端面连接，且所述第一端面平行于水平方向，所述第二端面朝向远离所述硅片输送平台的方向延伸。3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，定义与高度方向以及所述输送方向均垂直的方向为预设方向，沿所述预设方向，所述第一端面与所述第二端面的尺寸均大于等于所述硅片输送平台的尺寸。4.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述第一预设距离为1
‑
10mm。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述酸槽包括第一槽体和第二槽体，所述湿法刻蚀设备还包括水层去除装置、第二水层赋予装置以及第二除水件；所述第一槽体、所述水...

【专利技术属性】
技术研发人员：许成德，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：新型
国别省市：