【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。
技术介绍
1、钝化接触结构由一层超薄的氧化硅和一层掺杂的多晶硅组成，主要用于电池背光面的钝化，可以实现优异的表面钝化和载流子的选择性收集。在太阳电池的受光面设置具有局部图形的钝化接触结构，避免透光性差的多晶硅影响太阳电池对光的吸收，有利于提高太阳电池的效率。但是目前具有局部钝化接触结构的太阳电池的制作工艺存在精度低、步骤多、耗时长等问题难以解决，尤其是较难制作出具有图形精确程度高的局部钝化接触结构。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本申请公开了一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件，通过在退火环境中充入氮气或者惰性气体，并利用第二掩膜层将第二掺杂硅层与退火环境隔开，有利于后续激光氧化制作的氧化层的精确性。
2、第一个方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
3、在第一导电类型的硅片的背光面上沉积背离所述硅片依次层叠的第一介质层、第二导电类型的第一掺杂硅层以及第一掩膜层；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反；
4、在所述硅片的受光面上沉积背离所述硅片依次设置的第二介质层、所述第一导电类型的第二掺杂硅层以及第二掩膜层；
5、在退火环境中充入氮气或惰性气体，所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层在退火环境中退火晶化；其中，所述第二掩膜层用于将所述第二掺杂硅层与所述退火环境隔开；
6、去除所述硅片的受光面上的所述第二掩
7、在有氧环境中利用激光照射所述硅片的所述受光面，在所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面上形成局部的氧化层；
8、去除所述氧化层覆盖范围之外的所述第二掺杂硅层和所述第二介质层，以形成局部的所述第二掺杂硅层和局部的所述第二介质层；
9、去除所述氧化层和所述第一掩膜层。
10、可选地，所述去除所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层，以使所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面裸露的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
11、去除所述第二掩膜层在所述硅片的背光面以及边缘的绕镀层，保留所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层以及所述背光面上部分厚度的所述第一掩膜层；
12、通过所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层的遮盖，去除所述第二介质层和所述第二掺杂硅层在所述硅片的背光面以及边缘的绕镀层。
13、可选地，所述去除所述第二掩膜层在所述硅片的背光面以及边缘的绕镀层，保留所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层以及所述背光面上部分厚度的所述第一掩膜层的步骤，包括：
14、使用质量百分浓度为x％的氢氟酸清洗所述硅片的所述背光面以及所述边缘，且控制清洗时间t1满足：t2≤t1＜t3；其中，t2为所述第二掩膜层的绕镀层在质量百分浓度为x％的氢氟酸中全部去除所需时间，t3为所述第一掩膜层在质量百分浓度为x％的氢氟酸中全部去除所需时间。
15、可选地，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的绕镀层的厚度；
16、和/或，在相同浓度的氢氟酸溶液中，所述第一掩膜层的刻蚀速度小于所述第二掩膜层的绕镀层的刻蚀速度。
17、可选地，所述在退火环境中充入氮气或惰性气体，所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层在退火环境中退火晶化的步骤，包括：
18、在所述退火环境中充入氮气或者惰性气体至常压，以降低所述退火环境中的氧气的浓度；
19、放入所述硅片至所述退火环境中；
20、所述退火环境内升温至780℃～820℃，抽压至28kpa～32kpa；
21、所述退火环境充入所述氮气或者所述惰性气体至78kpa～82kpa，以降低所述退火环境中的氧气的浓度；
22、所述退火环境继续升温至900℃～920℃；
23、所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层在900℃～920℃下进行退火；
24、所述退火环境降温至700℃～740℃；
25、所述退火环境充入所述氮气或者所述惰性气体至常压，以降低所述退火环境中的氧气的浓度；
26、取出所述硅片。
27、可选地，所述在有氧环境中利用激光照射所述硅片的所述受光面，在所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面上形成局部的氧化层的步骤中，激光在所述第二掺杂硅层上形成的加热区域的温度低于所述第二掺杂硅层的熔点；
28、其中，激光的频率为1800khz～2200khz，激光的线宽为70μm～100μm，激光的功率为10w～20w。
29、可选地，所述在第一导电类型的硅片的背光面上沉积背离所述硅片依次层叠的第一介质层、第二导电类型的第一掺杂硅层以及第一掩膜层的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
30、对所述硅片的所述受光面和所述背光面进行抛光；其中，所述硅片的所述受光面和所述背光面的反射率控制在40％～50％；
31、和/或，所述在第一导电类型的硅片的背光面上沉积背离所述硅片依次层叠的第一介质层、第二导电类型的第一掺杂硅层以及第一掩膜层的步骤，包括：
32、生长所述第一介质层；
33、依次生长本征硅层以及一个以上的原位掺杂层；
34、生长所述第一掩膜层；
35、和/或，所述在第一导电类型的硅片的背光面上沉积背离所述硅片依次层叠的第一介质层、第二导电类型的第一掺杂硅层以及第一掩膜层的步骤之后，所述太阳电池的制备方法还包括：
36、去除所述第一掩膜层在所述硅片的所述受光面和边缘上的绕镀层，保留所述背光面上的所述第一掩膜层；
37、通过所述背光面上的所述第一掩膜层的遮盖，去除所述第一介质层和所述第一掺杂硅层在所述硅片的所述受光面和所述边缘上的绕镀层；
38、腐蚀所述硅片，以在所述受光面形成抛光面。
39、可选地，所述在所述硅片的受光面上沉积背离所述硅片依次设置的第二介质层、所述第一导电类型的第二掺杂硅层以及第二掩膜层的步骤，包括：
40、依次生长所述第二介质层、原位掺杂的所述第二掺杂硅层以及所述第二掩膜层；
41、和/或，所述去除所述氧化层覆盖范围之外的所述第二掺杂硅层和所述第二介质层，以形成局部的所述第二掺杂硅层和局部的所述第二介质层的步骤，包括：
42、通过碱刻蚀去除所述氧化层覆盖范围之外的所述第二掺杂硅层和所述第二介质层，并腐蚀所述硅片的所述受光面以形成绒面，所述绒面的发射率为6％～8％。
43、可选地，所述去除所述氧化层和所述第一掩膜层的步骤之后，所述太阳电池的制备方法还包括：
44、在所述硅片的所述受光面上沉积第一功能层，在所述硅片的所述背光面沉积第二功能层；
45、在所述硅片的所述受光面上制作受光面电极，在所述硅片的所述背光面制作背光面电极；其中本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层，以使所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面裸露的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第二掩膜层在所述硅片的背光面以及边缘的绕镀层，保留所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层以及所述背光面上部分厚度的所述第一掩膜层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的绕镀层的厚度；
5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在退火环境中充入氮气或惰性气体，所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层在退火环境中退火晶化的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在有氧环境中利用激光照射所述硅片的所述受光面，在所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面上形成局部的氧化层的步骤中，激光在所述第二掺杂硅层上形成
7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在第一导电类型的硅片的背光面上沉积背离所述硅片依次层叠的第一介质层、第二导电类型的第一掺杂硅层以及第一掩膜层的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
8.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片的受光面上沉积背离所述硅片依次设置的第二介质层、所述第一导电类型的第二掺杂硅层以及第二掩膜层的步骤，包括：
9.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述氧化层和所述第一掩膜层的步骤之后，所述太阳电池的制备方法还包括：
10.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅层；
11.一种太阳电池，其特征在于，通过如权利要求1至10中任一项所述的太阳电池的制备方法制备得到。
12.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求11所述的太阳电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层，以使所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面裸露的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第二掩膜层在所述硅片的背光面以及边缘的绕镀层，保留所述硅片的受光面上的所述第二掩膜层以及所述背光面上部分厚度的所述第一掩膜层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的绕镀层的厚度；
5.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在退火环境中充入氮气或惰性气体，所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层在退火环境中退火晶化的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在有氧环境中利用激光照射所述硅片的所述受光面，在所述第二掺杂硅层背离所述第二介质层的一面上形成局部的氧化层的步骤中，激...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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