【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。
技术介绍
1、钝化接触结构由一层超薄的氧化硅和一层重掺杂的多晶硅组成，主要用于电池表面的钝化，可以实现优异的表面钝化和载流子的选择性收集，也可以介于硅基体与金属电极之间，代替硅基体与金属电极形成欧姆接触，防止了金属电极与硅基体直接接触在硅基体内产生大量复合中心，从而钝化金属化区域。
2、相关技术中的钝化接触电池在背光面设置钝化接触结构，而受光面仍然是金属与半导体直接接触，金属与半导体接触处的复合损失限制了电池效率的进一步提升，上述问题可以采用双面钝化接触结构避免，即在电池受光面、背光面均设置钝化接触结构。虽然通过钝化接触结构可以大幅降低金属化复合，但是由于受光面钝化接触结构的poly层的吸光特性会影响电池对光的吸收，故只能对受光面需金属化制作电极的区域进行局部钝化。但是目前在实现受光面局部钝化的过程中，存在因为要去除绕镀而损伤电池结构的问题，无法真正有效提高电池效率。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本申请公开了一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件，以解决目前太阳电池制备方法存在因为要去除绕镀而损伤电池结构的问题。
2、第一个方面，本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，包括以下步骤：
3、在硅基底的受光面上制备背离所述硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层；其中，所述硅基底和所述第一非晶硅层均具有第一导电类型，所述受光面具有用于制作受光面
4、去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层；
5、在所述硅基底的背光面制备背离所述硅基底依次层叠的第二介质层、第二非晶硅层以及第二掩膜层；其中，所述第二非晶硅层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；
6、退火以使所述第一非晶硅层以及所述第二非晶硅层晶化后分别形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层；
7、对所述受光面进行单面刻蚀，以去除所述硅基底的所述受光面及边缘上的所述第二掩膜层的绕镀层，在所述第二掩膜层的绕镀层被去除后，所述第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀；其中，所述背光面上的第二掩膜层和部分厚度的所述第一掩膜层被保留；
8、对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层覆盖区域之外的区域进行刻蚀，以去除所述硅基底的受光面及边缘上的所述第二掺杂多晶硅层和所述第二介质层的绕镀层；
9、去除剩余的所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层。
10、可选地，所述对所述受光面进行单面刻蚀，以去除所述硅基底的所述受光面及边缘上的所述第二掩膜层的绕镀层，在所述第二掩膜层的绕镀层被去除后，所述第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀的步骤，包括：
11、使用质量百分比浓度为x % 的氢氟酸对所述受光面进行单面酸洗，并控制氢氟酸清洗时间t1满足：t2≤t1＜t3，t2为所述第二掩膜层绕镀层在质量百分比浓度为x %的氢氟酸中全部去除所需时间，t3为所述第一掩膜层在质量百分比浓度为x %的氢氟酸中全部去除所需时间。
12、可选地，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的绕镀层的厚度；
13、和/或，在同一浓度的氢氟酸溶液中，所述第二掩膜层的绕镀层的刻蚀速度大于所述第一掩膜层的刻蚀速度。
14、可选地，所述去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤，包括：
15、在所述第一掩膜层背离所述第一非晶硅层的一面上制作对应至所述第一区域的抗酸浆料；
16、去除所述抗酸浆料的覆盖范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层；
17、去除所述抗酸浆料。
18、可选地，所述在所述第一掩膜层背离所述第一非晶硅层的一面上制作对应至所述第一区域的抗酸浆料的步骤，包括：
19、采用印刷或喷涂的方式将抗酸浆料涂覆在所述第一掩膜层上，所述抗酸浆料的涂覆宽度为60 μm ~200 μm；
20、和/或，所述去除所述抗酸浆料的覆盖范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤，包括：
21、使用氢氟酸和硝酸的混合溶液进行刻蚀，氢氟酸和硝酸的混合溶液中氢氟酸的质量百分比浓度为0.1 %~10 %，硝酸的质量百分比浓度为10 %~50 %；
22、和/或，所述去除所述抗酸浆料的步骤，包括：
23、利用碱和双氧水的混合溶液清洗1 min~20 min，以去除所述抗酸浆料。
24、可选地，所述去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤之后，所述在所述硅基底的背光面制备背离所述硅基底依次层叠的第二介质层、第二非晶硅层以及第二掩膜层的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括以下步骤：
25、利用碱在添加剂的作用下对所述第一区域之外进行刻蚀，并在所述背光面形成背光面形貌，所述背光面形貌包括抛光面或绒面。
26、可选地， 所述对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层覆盖区域之外的区域进行刻蚀，以去除所述硅基底的受光面及边缘上的所述第二掺杂多晶硅层和所述第二介质层的绕镀层的步骤，包括：
27、对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层覆盖区域之外的区域进行碱刻蚀，去除所述硅基底的受光面及边缘上的所述第二掺杂多晶硅层和所述第二介质层的绕镀层，对所述受光面进行制绒，以使所述受光面形成绒面，并去除所述受光面上的裸露的掺杂层；其中，所述掺杂层在所述退火以使所述第一非晶硅层以及所述第二非晶硅层晶化后分别形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层的步骤中形成。
28、可选地，所述在硅基底的受光面上制备背离所述硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
29、对所述硅基底进行制绒，以在所述受光面形成绒面；
30、和/或，所述在硅基底的受光面上制备背离所述硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层的步骤，包括：
31、利用pecvd在所述受光面上制备由内至外依次层叠的所述第一介质层、所述第一非晶硅层和所述第一掩膜层。
32、可选地，所述去除剩余的所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层的步骤，包括：
33、酸洗以去除剩余的所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层；
34、和/或，所述去除剩余的所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层的步骤之后，所述太阳电池的制备方法还包括以下步骤：
35、在所述受光面制作第一功能层；
36、在所述背光面制作第二功能层；
37、在所述受光面制作受光面电极，在所述背光面制作背光面电极；其中，所述受光面电极贯穿所述第一功能层与所述第一掺杂多晶硅层欧姆接触，所述背光面电极贯穿所述第二功能层与所述第二掺杂多晶硅层欧姆接触。
38、可选地，本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对所述受光面进行单面刻蚀，以去除所述硅基底的所述受光面及边缘上的所述第二掩膜层的绕镀层，在所述第二掩膜层的绕镀层被去除后，所述第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的绕镀层的厚度；
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一掩膜层背离所述第一非晶硅层的一面上制作对应至所述第一区域的抗酸浆料的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤之后，所述在所述硅基底的背光面制备背离所述硅基底依次层叠的第二介质层、第二非晶硅层以及第二掩
7.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对所述第二掩膜层和所述第一掩膜层覆盖区域之外的区域进行刻蚀，以去除所述硅基底的受光面及边缘上的所述第二掺杂多晶硅层和所述第二介质层的绕镀层的步骤，包括：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在硅基底的受光面上制备背离所述硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层的步骤之前，所述太阳电池的制备方法还包括：
9.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除剩余的所述第一掩膜层以及所述第二掩膜层的步骤，包括：
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一介质层为氧化硅层；
11.一种太阳电池，其特征在于，采用如权利要求1至10中任一项所述的太阳电池的制备方法制备得到。
12.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求11所述的太阳电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对所述受光面进行单面刻蚀，以去除所述硅基底的所述受光面及边缘上的所述第二掩膜层的绕镀层，在所述第二掩膜层的绕镀层被去除后，所述第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度大于所述第二掩膜层的绕镀层的厚度；
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤，包括：
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述第一掩膜层背离所述第一非晶硅层的一面上制作对应至所述第一区域的抗酸浆料的步骤，包括：
6.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述去除所述第一区域范围之外的所述第一掩膜层、所述第一非晶硅层和所述第一介质层的步骤之后，所述在所述硅基底的背光面制备背离所述硅基底依次层叠...
【专利技术属性】
技术研发人员：何宇，蔡晓玲，
申请(专利权)人：通威太阳能眉山有限公司，
类型：发明
国别省市：
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