新型结构的CdZnTe探测器的制备方法技术

本发明专利技术提供了新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。该新型结构的CdZnTe探测器的制备方法包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd

【技术实现步骤摘要】
新型结构的CdZnTe探测器的制备方法


[0001]本专利技术涉及CdZnTe探测器的
，特别是涉及新型结构的CdZnTe探测器的制备方法。

技术介绍

[0002]Cd1‑
x
Zn
x
Te(简称为CdZnTe或CZT)是一种具有优异光电性能的II
‑
VI族化合物半导体，其具有较高的原子序数，较大的禁带宽度，较高的本征μτ值，较低的电子
‑
空穴电离能等优点，被认为是理想的室温X射线和γ射线探测器材料。目前，用CZT单晶体材料制作的室温辐射探测器已经被广泛应用于核医学、工业无损检测、航空航天及天体物理等领域；传统熔体法生长会存在的效率低、晶锭利用率低及废料不能回收利用等问题，而近空间升华法很好地解决了这一点；CSS法生长薄膜提高了生长效率，但由于外延异质结中薄膜与衬底之间存在失配，外延膜中不可避免地存在着大量的结构缺陷和电杂质，在能带中引入陷阱能级。这些能级对载流子产生复合、俘获和散射等作用过程，从而影响载流子寿命、迁移率等运输特性，最终影响CZT探测器的能量分辨率、电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型结构的CdZnTe探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、衬底预处理，对GaAs衬底进行预处理动作；S2、CdZnTe多晶源预处理，对CdZnTe多晶源进行预处理动作；S3、CdZnTe膜的生长程序的设置，对CdZnTe膜生长温度和时间参数进行设置；S4、CdZnTe膜生长，采用多晶源Cd
0.9
‑
0.8
Zn
0.1
‑
0.2
Te，对CdZnTe膜进行生长处理;S5、CdZnTe阻挡层的生长程序的设置，对CdZnTe阻挡层生长温度和时间参数进行设置；S6、CdZnTe阻挡层生长，采用多晶源Cd
0.8
‑
0.5
Zn
0.2
‑
0.5
Te，对CdZnTe阻挡层进行生长处理；S7、CdZnTe探测器的制备。2.根据权利要求1所述的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S1中，衬底预处理的具体步骤为：S11、将GaAs衬底切割成第一预设尺寸大小的方块；S12、将切割成第一预设尺寸的GaAs衬底依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗；S13、将经过超声清洗的GaAs衬底放至H2SO4:H2O2:H2O=4:1:1溶液中刻蚀；S14、用离子水对刻蚀完成的GaAs衬底进行清洗动作；S15、用氮气对清洗完成的GaAs衬底进行吹干动作；S16、将吹干后的GaAs衬底放置于近空间升华炉内备用。3.根据权利要求2所述的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法，其特征在于，所述第一预设尺寸为12
×
12mm2；且在所述步骤S12中，超声清洗的时间为20min，在所述步骤S13中，对GaAs衬底刻蚀的时间为20S。4.根据权利要求1所述的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2内，对CdZnTe多晶源预处理的具体步骤为：S21、将CdZnTe多晶源切割成15
×
15mm2大小的方块；S22、用1000目的砂纸对切割后的CdZnTe多晶源方块氧化层进行打磨；S23、将打磨后的CdZnTe多晶源依次放至丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗20min；S24、用氮气对清洗完成的CdZnTe多晶源进行吹干动作；S25、将吹干后的CdZnTe多晶源放置于近空间升华炉内备用。5.根据权利要求1所述的新型结构的CdZnTe探测器的制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，CdZnTe膜的生长程序设定的具体参数为：近空间升华炉内包括用于控制衬底温度的上加热台和用于控制CdZnTe多晶源温度的下加热台；且上加热台的温度设置为573
‑
773 K，下加热台的温度控制在923
‑
973 K，且生长时间为4h。6.根据权利要求1所述的新型结构的CdZnTe探测...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹昆，刘佳虎，查钢强，李颖锐，姜然，刘宇，
申请(专利权)人：深圳翱翔锐影科技有限公司，
类型：发明
国别省市：