【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能,特别是涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、太阳能电池由于利用了清洁能源,因此具有广泛的应用前景。目前,主要通过减薄半导体层的厚度,以降低太阳能电池的成本。然而,半导体层厚度减薄,半导体层表面的复合会增加,为了抑制半导体层表面的复合,就需要更加优异的钝化性能。太阳能电池的钝化主要有化学钝化和场效应钝化。
2、由于氧化铝膜层通常带有负电荷,因此对于p型半导体层,氧化铝是目前较为常见的一种钝化层。
3、然而,现有的含氢的氧化铝钝化层通常具有边缘绕镀,且会有副产物氢气和水汽积累,导致钝化层形成气泡或膜层炸裂,降低了钝化层的钝化效果。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,旨在解决含氢的氧化铝钝化层具有边缘绕镀,且会有副产物氢气和水汽积累,导致钝化层形成气泡或膜层炸裂,降低了钝化层的钝化效果的问题。
2、本专利技术的第一方面,提供一种太阳能电池,包括:
3、p型半导体层,以及位于所
...【技术保护点】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:P型半导体层,以及位于所述P型半导体层的至少一侧的表面上的钝化层;
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述叠层结构中的第二类氧化铝层为所述钝化层与所述P型半导体层的至少一侧的表面接触的氧化铝层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述含氢的氧化剂包含水、双氧水、乙酸的至少一种;所述不含氢的氧化剂包含臭氧、氧气中的至少一种。
4.根据权利要求1-3中任一所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化层的厚度为4nm至6nm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:p型半导体层,以及位于所述p型半导体层的至少一侧的表面上的钝化层;
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述叠层结构中的第二类氧化铝层为所述钝化层与所述p型半导体层的至少一侧的表面接触的氧化铝层。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述含氢的氧化剂包含水、双氧水、乙酸的至少一种;所述不含氢的氧化剂包含臭氧、氧气中的至少一种。
4.根据权利要求1-3中任一所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化层的厚度为4nm至6nm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化层中所述第二类氧化铝层的总厚度,是所述第一类氧化铝层的总厚度的80%-120%。...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鑫悦,苗凤秀,朱惠君,平飞林,李杰,吴娟,王杰,
申请(专利权)人:西安隆基乐叶光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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