数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备技术

本公开涉及一种数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备，涉及存储技术领域，以提高数据读取的准确度。所述数据读写方法包括：在预充电阶段，数据信号线向第一晶体管提供第一参考电压，辅助信号线向第一晶体管和第二晶体管同时提供第一参考电压，电容器的第二电极施加第一写控制电压，第二晶体管导通，对存储节点进行预充电；其中，数据对应的最大数据电压与第一晶体管的阈值电压之和为基准电压，第一参考电压大于基准电压。在数据写入阶段，响应于写命令，辅助信号线浮置，数据信号线向第一晶体管提供数据电压，第一晶体管导通；存储节点放电至稳定状态，写入数据电压对应的数据。应的数据。应的数据。

【技术实现步骤摘要】
数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备


[0001]本公开涉及存储
，特别是涉及一种数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备。

技术介绍

[0002]随着通讯技术和数字技术的发展，人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品。存储器易于具有更高的集成密度以及更大的存储容量，逐渐成为了目前存储领域的重要研究方向之一。
[0003]比如，在DRAM中，相较于存储单元采用1T1C架构，存储单元采用2T架构，可以有效解决存储单元采用1T1C架构时因关键尺寸缩小带来的电容制备工艺难的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，本公开实施例提供了一种数据读写电路及其方法、存储器及其驱动方法、电子设备，利于对晶体管的阈值电压进行补偿，以确保存储数据读取的准确度，从而进一步提升电子设备的性能。
[0005]根据一些实施例，本公开一方面提供了一种数据读写方法，应用于存储单元。存储单元被配置为存储数据，包括电容器及与电容器的第一电极相连接的第一晶体管和第二晶体管。电容器的第一电极、第一晶体管和第二晶体管三者相连接的交点为存储节点。电容器还包括与第一电极相对设置的第二电极。存储单元的数据读写周期包括：预充电阶段和数据写入阶段。数据读写方法包括以下步骤。
[0006]在预充电阶段，数据信号线向第一晶体管提供第一参考电压，辅助信号线向第一晶体管和第二晶体管同时提供第一参考电压；电容器的第二电极施加第一写控制电压，第二晶体管导通，对存储节点进行预充电；其中，数据对应的最大数据电压与第一晶体管的阈值电压之和为基准电压，第一参考电压大于基准电压。
[0007]在数据写入阶段，响应于写命令，辅助信号线浮置，数据信号线向第一晶体管提供数据电压，第一晶体管导通；存储节点放电至稳定状态，写入所述数据电压对应的数据。
[0008]根据一些实施例，数据读写周期还包括：位于数据写入阶段之后的数据保持阶段。所述数据读写方法还包括：在数据保持阶段，上拉数据信号线的电压至第一参考电压，并于数据信号线的电压为第一参考电压之后先关断第二晶体管，再上拉辅助信号线的电压至第一参考电压；其中，在关断第二晶体管之后，向电容器的第二电极施加第二写控制电压；第二写控制电压小于第一写控制电压。
[0009]根据另一些实施例，数据读写周期还包括：位于数据写入阶段之后的数据保持阶段。所述数据读写方法还包括：在数据保持阶段，先向电容器的第二电极施加第二写控制电压，上拉数据信号线的电压至第一参考电压；再关断第二晶体管，上拉辅助信号线的电压至第一参考电压；其中，第二写控制电压小于第一写控制电压。
[0010]根据一些实施例，数据读写周期还包括数据读取阶段。所述数据读写方法还包括：
在数据读取阶段，响应于读命令，向电容器的第二电极施加读控制电压，并通过辅助信号线向第一晶体管和第二晶体管同时提供第二参考电压；其中，数据信号线响应于第一晶体管是否导通读取数据。
[0011]根据一些实施例，存储节点写入的数据包括“1”或“0”。在数据读取阶段，存储节点写入的数据为“1”时，第一晶体管处于导通状态。存储节点写入的数据为“0”时，第一晶体管处于关断状态。
[0012]根据一些实施例，数据读写周期还包括：位于预充电阶段之前和/或位于数据读取阶段之前的待机阶段。数据读写方法还包括：在待机阶段，第一晶体管和第二晶体管处于关断状态，数据信号线向第一晶体管提供第一参考电压，辅助信号线向第一晶体管和第二晶体管同时提供第一参考电压。
[0013]根据一些实施例，数据读写周期还包括：位于数据写入阶段之后的数据保持阶段。数据读取阶段位于数据保持阶段之后。待机阶段包括：位于预充电阶段之前的第一待机阶段，以及位于数据保持阶段之后且位于数据读取阶段之前的第二待机阶段。
[0014]根据一些实施例，本公开又一方面还提供了一种数据读写电路，包括存储单元、数据信号线和辅助信号线。存储单元被配置为存储数据，包括电容器及与电容器的第一电极相连接的第一晶体管和第二晶体管。电容器还包括与第一电极相对设置的第二电极。数据信号线与第一晶体管相连接，被配置为于待机阶段和预充电阶段向第一晶体管提供第一参考电压，于数据写入阶段向第一晶体管提供数据电压，于数据读取阶段响应于所述第一晶体管是否导通读取数据。辅助信号线与第一晶体管、第二晶体管相连接，被配置为于待机阶段和预充电阶段向第一晶体管提供第一参考电压，于数据写入阶段浮置，于数据读取阶段向第一晶体管和第二晶体管同时提供第二参考电压。其中，数据对应的最大数据电压与第一晶体管的阈值电压之和为基准电压；第一参考电压大于基准电压。
[0015]根据一些实施例，数据读写电路还包括第一控制信号线和第二控制信号线。第一控制信号线与电容器的第二电极相连接，被配置为：于预充电阶段和数据写入阶段向电容器的第二电极施加第一写控制电压，于数据读取阶段向电容器的第二电极施加读控制电压。第二控制信号线与第二晶体管相连接，被配置为于待机阶段和数据读取阶段控制第二晶体管关断，于预充电阶段和数据写入阶段控制第二晶体管导通。
[0016]根据一些实施例，数据信号线还被配置为：于数据保持阶段，向第一晶体管提供第一参考电压。第二控制信号线还被配置为：于数据保持阶段，在数据信号线的电压为第一参考电压之后，控制第二晶体管关断。辅助信号线还被配置为：于数据保持阶段，在关断第二晶体管之后，向第一晶体管和第二晶体管同时提供第一参考电压。
[0017]此外，第一控制信号线还被配置为：于数据保持阶段，在关断第二晶体管之后，向电容器的第二电极施加第二写控制电压；其中，第二写控制电压小于第一写控制电压。
[0018]根据另一些实施例，第一控制信号线还被配置为：于数据保持阶段，向电容器的第二电极施加第二写控制电压；其中，第二写控制电压小于第一写控制电压。数据信号线还被配置为：于数据保持阶段，在第二电极的电压为第二写控制电压之后向第一晶体管提供第一参考电压。第二控制信号线还被配置为：于数据保持阶段，在数据信号线提供第一参考电压之后，控制第二晶体管关断。辅助信号线还被配置为：于数据保持阶段，在关断第二晶体管之后向第一晶体管和第二晶体管同时提供第一参考电压。
[0019]根据一些实施例，第一晶体管包括第一栅极、第一极和第二极。第二晶体管包括第二栅极、第一极和第二极。其中，第一栅极和第二晶体管的第一极均与电容器的第一电极相连接。电容器的第二电极与第一控制信号线相连接。第二栅极与第二控制信号线相连接。第一晶体管的第一极与数据信号线相连接。第一晶体管的第二极和第二晶体管的第二极分别与辅助信号线相连接。
[0020]根据一些实施例，存储单元的数量为多个。多个存储单元沿第一方向排布呈行，沿第二方向排布呈列；第一方向和第二方向相交。其中，一行存储单元共用一条第一控制信号线和一条第二控制信号线。一列存储单元共用一条数据信号线和一条辅助信号线。
[0021]根据一些实施例，数据读写电路还包括第一参考电压端和第二参考电压端。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据读写方法，其特征在于，应用于存储单元；所述存储单元被配置为存储数据，包括电容器及与所述电容器的第一电极相连接的第一晶体管和第二晶体管；所述第一电极、所述第一晶体管和所述第二晶体管三者相连接的交点为所述存储单元的存储节点；所述电容器还包括与所述第一电极相对设置的第二电极；所述存储单元的数据读写周期包括：预充电阶段和数据写入阶段；所述数据读写方法包括：在所述预充电阶段，数据信号线向所述第一晶体管提供第一参考电压，辅助信号线向所述第一晶体管和所述第二晶体管同时提供所述第一参考电压；所述电容器的第二电极施加第一写控制电压，所述第二晶体管导通，对所述存储节点进行预充电；其中，所述数据对应的最大数据电压与所述第一晶体管的阈值电压之和为基准电压，所述第一参考电压大于所述基准电压；在所述数据写入阶段，响应于写命令，所述辅助信号线浮置，所述数据信号线向所述第一晶体管提供数据电压，所述第一晶体管导通；所述存储节点放电至稳定状态，写入所述数据电压对应的数据。2.如权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，所述数据读写周期还包括：位于所述数据写入阶段之后的数据保持阶段；所述数据读写方法还包括：在所述数据保持阶段，上拉所述数据信号线的电压至所述第一参考电压，并于所述数据信号线的电压为所述第一参考电压之后先关断所述第二晶体管，再上拉所述辅助信号线的电压至所述第一参考电压；其中，在关断所述第二晶体管之后，所述数据读写方法还包括：向所述电容器的第二电极施加第二写控制电压；所述第二写控制电压小于所述第一写控制电压。3.如权利要求1所述的数据读写电路，其特征在于，所述数据读写周期还包括：位于所述数据写入阶段之后的数据保持阶段；所述数据读写方法还包括：在所述数据保持阶段，先向所述电容器的第二电极施加第二写控制电压，上拉所述数据信号线的电压至所述第一参考电压；再关断所述第二晶体管，上拉所述辅助信号线的电压至所述第一参考电压；其中，所述第二写控制电压小于所述第一写控制电压。4.如权利要求1～3中任一项所述的数据读写电路，其特征在于，所述数据读写周期还包括：数据读取阶段；所述数据读写方法还包括：在所述数据读取阶段，响应于读命令，向所述电容器的第二电极施加读控制电压，并通过所述辅助信号线向所述第一晶体管和第二晶体管同时提供第二参考电压；其中，所述数据信号线响应于所述第一晶体管是否导通读取数据。5.如权利要求4所述的数据读写电路，其特征在于，所述存储节点写入的所述数据包括“1”或“0”；在所述数据读取阶段，所述存储节点写入的所述数据为“1”时，所述第一晶体管处于导通状态；所述存储节点写入的所述数据为“0”时，所述第一晶体管处于关断状态。6.如权利要求4所述的数据读写方法，其特征在于，所述数据读写周期还包括：位于所述预充电阶段之前和/或位于所述数据读取阶段之前的待机阶段；所述数据读写方法还包括：在所述待机阶段，所述第一晶体管和所述第二晶体管处于关断状态，所述数据信号线向所述第一晶体管提供所述第一参考电压，所述辅助信号线向所述第一晶体管和所述第二晶体管同时提供所述第一参考电压。
7.如权利要求6所述的数据读写方法，其特征在于，所述数据读写周期还包括：位于所述数据写入阶段之后的数据保持阶段；所述数据读取阶段位于所述数据保持阶段之后；所述待机阶段，包括：位于所述预充电阶段之前的第一待机阶段，以及位于所述数据保持阶段之后且位于所述数据读取阶段之前的第二待机阶段。8.一种数据读写电路，其特征在于，包括：存储单元，被配置为存储数据，包括电容器及与所述电容器的第一电极相连接的第一晶体管和第二晶体管；所述电容器还包括与所述第一电极相对设置的第二电极；所述第一电极、所述第一晶体管和所述第二晶体管三者相连接的交点为所述存储单元的存储节点；数据信号线，与所述第一晶体管相连接，被配置为：于待机阶段和预充电阶段向所述第一晶体管提供第一参考电压，于数据写入阶段向所述第一晶体管提供数据电压，于数据读取阶段响应于所述第一晶体管是否导通读取数据；辅助信号线，与所述第一晶体管、所述第二晶体管相连接，被配置为：于所述待机阶段和所述预充电阶段向所述第一晶体管提供所述第一参考电压，于所述数据写入阶段浮置，于所述数据读取阶段向所述第一晶体管和所述第二晶体管同时提供第二参考电压；其中，所述数据对应的最大数据电压与所述第一晶体管的阈值电压之和为基准电压；所述第一参考电压大于所述基准电压。9.如权利要求8所述的数据读写电路，其特征在于，还包括：第一控制信号线，与所述电容器的第二电极相连接，被配置为：于所述预充电阶段和所述数据写入阶段向所述第二电极施加第一写控制电压，于所述数据读取阶段向所述第二电极施加读控制电压；第二控制信号线，与所述第二晶体管相连接，被配置为：于所述待机阶段和所述数据读取阶段控制所述第二晶体管关断，于所述预充电阶段和所述数据写入阶段控制所述第二晶体管导通。10.如权利要求9所述的数据读写电路，其特征在于，所述数据信号线还被配置为：...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱正勇，康卜文，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：