一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法制造方法及图纸

技术编号:38331856 阅读:25 留言:0更新日期:2023-07-29 09:14
本申请涉及一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法,所述装置包括真空腔体、升降机构、设置在所述真空腔体的多个保温机构,每个所述保温机构内设有发热器、坩埚和坩埚杆,其中,所述多个保温机构用于形成容置所述氟化物晶体的多个生长工位,所述保温机构内的发热器独立为对应保温机构内的坩埚加热;所述坩埚顺序划分为坩埚上部、坩埚中部和坩埚下部,其中坩埚上部为储料区,坩埚中部为板状结构的晶体生长区,坩埚下部为与坩埚杆固定连接的籽晶槽;所述坩埚杆顺序穿过所述保温机构和所述真空腔体的底部,多个所述坩埚杆的底部与同一升降机构固定连接。同一升降机构固定连接。同一升降机构固定连接。

【技术实现步骤摘要】
一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法


[0001]本申请涉及氟化物晶体生长领域,尤其涉及一种多工位生长板状氟化物晶体的装置及操作方法。

技术介绍

[0002]氟化物晶体(如CaF2、SrF2、MgF2、BaF2等)是非常重要的固体激光基质材料。氟化物晶体具有非常宽的透射范围,可以从深紫外一直到中红外;氟化物晶体的折射率比较低,可以尽量减小使用光谱的表面反射率和限制高强度激光泵浦作用下的非线性效应;低的声子能量可以减小能级之间的非辐射跃迁几率,提高辐射量子效率。因而,三价稀土离子掺杂的氟化物晶体是人们从事晶体结构缺陷、离子动力学性能、发光性能等基础理论研究工作的理想体系。尽管多数氟化物晶体的热和机械性能不如氧化物晶体材料,但它们与低热载荷的LD泵浦源结合,非常有利于建立高功率的小型化全固态中小功率激光器。因此,对氟化物的现实需求较高。
[0003]现有技术中可用提拉法、温度梯度法、坩埚下降法等令氟化物晶体进行生长。在众多的晶体生长方法中,坩埚下降法由于具有温度场相对较稳定、晶体生长过程控制参量少等优势而成为氟化物晶体生长的首选方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,包括:真空腔体、升降机构、设置在所述真空腔体的多个保温机构,每个所述保温机构内设有发热器、坩埚和坩埚杆,其中,所述多个保温机构用于形成容置所述氟化物晶体的多个生长工位,所述保温机构内的发热器独立为对应保温机构内的坩埚加热;所述坩埚顺序划分为坩埚上部、坩埚中部和坩埚下部,其中坩埚上部为储料区,坩埚中部为板状结构的晶体生长区,坩埚下部为与坩埚杆固定连接的籽晶槽;所述坩埚杆顺序穿过所述保温机构和所述真空腔体的底部,多个所述坩埚杆的底部与同一升降机构固定连接。2.如权利要求1所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述多个保温机构由多个“工”字型的石墨固化毡并排组装形成。3.如权利要求1所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述容置所述氟化物晶体的生长工位的横截面积为矩形。4.如权利要求1所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述氟化物晶体的生长工位个数为3

5个。5.如权利要求1所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述发热器包括独立控温的上发热器和下发热器,所述上发热器和所述下发热器经隔板隔开并分别排列在所述保温机构的上方和下方。6.如权利要求5所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述生长工位按照温度值的大小划分为高温区、梯度区和低温区,所述上发热器处于高温区,所述下发热器处于低温区,上发热器和下发热器的中间位置处于梯度区,所述隔板处于所述梯度区。7.如权利要求5或6所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述隔板的材质为石墨材质。8.如权利要求1所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,所述储料区的横截面积大于所述晶体生长区的横截面积;所述板状结构的长度为300mm

500mm,宽度为30mm

80 mm,高度为300mm

500 mm。9.如权利要求1所述的多工位生长板状氟化物晶体的装置,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏良碧姜大朋唐飞张中晗寇华敏张博王静雅钱小波
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
类型:发明
国别省市:

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