从溶液制造晶体转换层的装置和方法制造方法及图纸

用于从生长溶液制造晶体转换层的装置(10)，其包括第一壁(11)和基底(14)，在它们之间限定了晶体生长腔(13)；溶液的入口/出口装置(12)，其用于随时间至少控制向晶体生长腔(13)供应生长溶液或从晶体生长腔(13)抽取生长溶液；加热装置(15)，其在晶体生长腔(13)、基底(14)或第一壁(11)中形成温度分布(15b)；温度分布(15b)，其控制在主要横向于所述形成面(14a)的方向上自由形成厚度大于1微米的晶体转换层；晶体转换层的全部厚度由晶体转换层的自由形成获得。自由形成获得。自由形成获得。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从溶液制造晶体转换层的装置和方法


[0001]本专利技术涉及一种通过液体工艺制造晶体转换层的装置。
[0002]本专利技术还涉及一种实施这样的装置制造晶体转换层的方法。

技术介绍

[0003]在X、伽马或者甚至带电或不带电的粒子辐射探测器的领域中，尤其是在医学或核成像领域中，重要的是尽可能准确探测出发射、接收、传送的辐射(例如通常被病人接收的辐射或穿过病人的辐射)的量。因此，有必要具有转换晶体的晶体厚层(即大于1微米)，以吸收最大的辐射。根据目标应用，对于晶体转换层，还有必要具有数平方毫米至数十平方厘米的表面。
[0004]在这种情况下，已知以液体形式进行沉积，例如通过旋转离心或通过其他称为“狭缝式(slot
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die)”或甚至“刮刀式”的方法。但是，如果这些方法适于获得具有亚微米厚度的薄层，则它们不允许获得厚度大于数十微米的厚层。
[0005]获得晶体转换厚层的已知解决方案包括在反应器的两个板之间使用过饱和溶液，以获得约束在这两个板之间的晶体生长，以获得晶体转换层。这种技术被称为“空间限域逆温结晶(s本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种允许从晶体转换层生长溶液制造晶体转换层的制造装置(10)，所述制造装置(10)包括：
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第一壁(11)和基底(14)，在它们之间限定了晶体生长腔(13)；
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至少一个生长溶液的入口/出口装置(12)，其随时间控制选自包括以下各项的组的至少一种功能：分别向晶体生长腔(13)供应生长溶液和从晶体生长腔(13)抽取生长溶液；
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温度设定装置(15)，其在选自包括以下各项的组的至少一个元件中形成温度分布(15b)：晶体生长腔(13)、基底(14)和第一壁(11)；所述温度分布(15b)控制自面向晶体生长腔(13)内部的基底(14)的形成面(14a)的全部或部分，在主要横向于所述形成面(14a)的方向上自由形成厚度大于1微米的晶体转换层；晶体转换层的整个厚度由晶体转换层的自由形成获得。2.根据权利要求1所述的制造装置(10)，其中第一壁(11)被密封地固定于基底(14)，使得由所述至少一个入口/出口装置(12)引入晶体生长腔(13)的所述生长溶液，仅由选自包括以下各项的组的至少一个元件自晶体生长腔(13)抽取：所述至少一个入口/出口装置(12)和布置在第一壁(11)中的或位于生长腔(13)处的一部分基底(14)中的自发流动排空。3.根据权利要求1或2的任一项所述的制造装置(10)，其中所述温度设定装置(15)包括允许随时间改变所述温度分布(15b)的元件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制造装置(10)，其中所述温度设定装置(15)包括允许在选自包括以下各项的组的至少一个元件中配置温度分布(15b)的元件：晶体生长腔(13)、基底(14)和第一壁(11)。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造装置(10)，其中由所述温度设定装置(15)产生的所述温度分布(15b)包括至少一个低于基底(14)温度的温度。6.根据权利要求1至4中任一项所述的制造装置(10)，其中由所述温度设定装置(15)产生的所述温度分布(15b)包括至少一个高于基底(14)温度的温度。7.根据权利要求1至6中任一项所述的制造装置(10)，其中所有或部分所述温度设定装置(10)被配置在选自包括以下各项的组的至少一个元件中：第一壁(11)、转换晶体的液体前体的入口/出口装置(12)和在与形成面(14a)相对的基底(14)的外表面处形成的第二壁(16)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的制造装置(10)，其中所述温度设定装置(15)包括多个控制区域(15a)，每个控制区域(15a)具有可由温度设定装置(15)独立于从一个控制区域(15a)到另一控制区域(15a)进行修改的区域温度。9.根据权利要求1至8中任一项所述的制造装置(10)，其包括平行于形成面(14a)布置在基底(14)的两侧上的多个独立的转换晶体生长溶液的入口/出口装置(12)。10.根据权利要求1至9中任一项所述的制造装置(10)，其中至少一个转换晶体的液体前体的入口/出口装置(12)被布置为面向所述形成面(14a)。11.根据权利要求1至10中任一项所述的制造装置(10)，其中所述形成面(14a)的全部或部分包括转换晶体的晶种层(17)。12.根据权利要求11所述的制造装置(10)，其中至少一部分的所述基底(14)由至少一个像素(14c)形成，其中所述晶种层(17)包括多个渗滤或非渗滤的晶粒(17a)，并且其中，在
所述至少一个像素(14c)处，所述晶种层(17)包括多个晶粒中的至少一个晶粒。13.根据权利要求11或12中任一项所述的制造装置(10)，其中所述晶种层(17)提供一个沿轴{n00}的主晶体取向，n为1至4(含)的整数。14.根据权利要求11或12中任一项所述的制造装置(10)，其中所述晶种层(17)提供一个沿包括以下各项的组的轴的主晶体取向：轴{110}和轴{111}。15.根据权利要求1至14中任一项所述的制造装置(10)，其中由温度设定装置(15)产生的所述温度分布(15)被配置为仅在不与第一壁(11)接触的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：让玛丽，
申请(专利权)人：国家科学研究中心，
类型：发明
国别省市：