基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法制造方法及图纸

本申请涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法，所述生长装置包括真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所述双加热体包括外围加热体和内围加热体，所述电极包括与所述外围加热体电性连接的外围加热体电极和与所述内围加热体电性连接的内围加热体电极，所述环状多孔坩埚设置于所述外围加热体和所述内围加热体之间，所述中心单孔坩埚设置于所述内围加热体内。本申请打破了传统多孔坩埚方案孔位数量、规格尺寸的限制，实现了多规格尺寸氟化物晶体的高通量制备，降低了晶体尤其是氟化物晶体的生产成本。生产成本。生产成本。

【技术实现步骤摘要】
基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法


[0001]本申请属于晶体生长领域，尤其涉及一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置及方法。

技术介绍

[0002]氟化物晶体（如氟化钙、氟化钡、氟化镁等）具有非常优异的光学透过性能，透过波段范围宽，覆盖了紫外、可见光和红外波段，在0.12
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14μm波段范围内都有极高的内透过率。氟化物晶体热力学性能良好，物化性能稳定，不潮解、易加工，抗辐射损伤能力强，是一类非常优异的光学晶体材料，广泛应用在高压电力设备、医疗器械、高端相机、显微镜、望远镜、光谱分光系统、准分子激光器、光刻机等光学仪器领域。
[0003]目前，国内外报道生长氟化物晶体主要是采用坩埚下降法晶体生长技术。大口径氟化物晶体生长过程获得稳定地微凸或平坦固液界面是实现高质量晶体生长的关键，然而大尺寸效应下，温场空间分布不均匀性及外界环境因素的扰动均会影响实际长晶固液界面形态，常常导致晶体多晶生长、甚至开裂等问题。另一方面，常规光学晶体元件尺寸要求较小，使用时需要在大口径晶体上掏棒取料加工，对于氟化物这类软脆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，包括：真空炉体，设于真空炉体内的环状多孔坩埚、中心单孔坩埚，附带电极的双加热体以及用于控制所述环状多孔坩埚和所述中心单孔坩埚同步升降的升降机构；所述双加热体包括外围加热体和内围加热体，所述电极包括与所述外围加热体电性连接的外围加热体电极和与所述内围加热体电性连接的内围加热体电极，所述环状多孔坩埚设置于所述外围加热体和所述内围加热体之间，所述中心单孔坩埚设置于所述内围加热体内。2.如权利要求1所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，所述外围加热体电极悬挂支撑外围加热体，和/或所述内围加热体电极悬挂支撑内围加热体；所述外围加热体电极及所述内围加热体电极的引出端的长度大于预设晶体生长影响距离，以用于提高温场分布均匀性。3.如权利要求1所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，所述内围加热体与所述外围加热体的半径相差至少2倍。4.如权利要求1所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，所述环状多孔坩埚的孔径为同一孔径。5.如权利要求1所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，还包括用以维持所述真空炉体的真空度的真空系统，所述真空系统设置在所述真空炉体的一侧，并与所述真空炉体连通。6.如权利要求1所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，所述真空炉体的材质为不锈钢材质。7.如权利要求1所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，所述升降机构设置于真空炉体的底部。8.如权利要求7所述的基于双加热多坩埚下降法的氟化物晶体生长装置，其特征在于，所述升降机构包括升降座、升降柱和升降顶，所述升降柱穿设于所述真空炉体的底部，所述升降座设于真空炉体的外侧，所述升降顶设于真空炉体的内侧且与所述环状多孔坩埚的底部经坩埚托杆固定连接，所述坩埚托杆用以带动所述环状多孔坩埚的升降。9.如权利要求1或8所述的基于双加热多坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏良碧，姜大朋，唐飞，钱小波，张振，张中晗，王静雅，张博，寇华敏，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：