一种非层状卤化亚铜晶体材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术属于二维纳米材料相关技术领域，其公开了一种非层状卤化亚铜晶体材料及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：(1)在加热板的中部温区平铺一层载玻片以形成第一层载玻片，再在所述第一层载玻片上等间距的架设第二层载玻片；(2)将所述加热板的中部温区进行加热到预定温度并保温；(3)在载玻片的间隙处加卤化亚铜粉末，并将卤化亚铜粉末铺展开后立即将衬底倒扣在卤化亚铜粉末上，继续保温后直接取样，完成制备。该制备方法以卤化亚铜粉末为反应源，以加热板为反应场所，通过简单的气相沉积，即可实现二维超薄卤化亚铜单晶纳米片的高效制备。片的高效制备。片的高效制备。

【技术实现步骤摘要】
一种非层状卤化亚铜晶体材料及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于二维纳米材料相关
，更具体地，涉及一种非层状卤化亚铜晶体材料及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]2004年，具有层状晶体结构的石墨烯首次通过机械剥离成功制备。石墨烯电子迁移率极高，然而零带隙的特性限制了其在电子元件、光电子器件中的应用。自此，同样具备层状晶体结构的二维半导体材料(下称层状半导体材料)作为一大类新型功能材料，引发了新一轮的研究热潮。层状半导体材料之所以能够得到广泛研究，和其层间较弱的范德华相互作用关系密切，这种较弱的范德华相互作用使得其易于通过机械剥离、液相剥离以及化学气相沉积等方法制备出原子级厚度的二维平面结构。二维平面结构不仅是二维材料搭建异质结、构建柔性器件的结构基础，也是硅基半导体集成工艺的兼容性前提。
[0003]但是，层状半导体材料种类有限，且可控合成路线尚处实验室阶段；相比之下，非层状半导体材料种类繁多，且至今已有几种发展成熟，在半导体工业中占据着重要地位(Si、GaAs、GaN等)。非层状半导体材料表面存在不饱和的悬挂键，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非层状卤化亚铜晶体材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)在加热板的中部温区平铺一层载玻片以形成第一层载玻片，再在所述第一层载玻片上等间距的架设第二层载玻片；(2)将所述加热板的中部温区进行加热到预定温度并保温；(3)在载玻片的间隙处加卤化亚铜粉末，并将卤化亚铜粉末铺展开后立即将衬底倒扣在卤化亚铜粉末上，继续保温后直接取样，完成制备。2.如权利要求1所述的非层状卤化亚铜晶体材料的制备方法，其特征在于：所述衬底的边缘接触所述第二层载玻片，且不接触卤化亚铜粉末。3.如权利要求1所述的非层状卤化亚铜晶体材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，采用的升温速率为80～100℃/min。4.如权利要求1所述的非层状卤化亚铜晶体材料的制备方法，其特征在于：预定温度为430～580℃，保温时间为1～2min。5.如权利要求4所述的非层状卤化亚铜晶体材料的制备方法，其特征在于：粉末选用CuI时，预定温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李渊，欧阳德才，赵梅，
申请(专利权)人：深圳华中科技大学研究院温州大学，
类型：发明
国别省市：